на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 164.49 грн |
| 10+ | 91 грн |
| 100+ | 70.28 грн |
| 250+ | 69.56 грн |
| 500+ | 56.76 грн |
| 1000+ | 51.07 грн |
| 10000+ | 50.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMP055N08NS1_T0_00601 Panjit
Description: 80V/ 5.5MOHM / TJMAX 175C MV MOS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB-L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 7 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4773 pF @ 40 V.
Інші пропозиції PSMP055N08NS1_T0_00601 за ціною від 49.27 грн до 168.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMP055N08NS1_T0_00601 | Виробник : Panjit International Inc. |
 Description: 80V/ 5.5MOHM / TJMAX 175C MV MOSPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB-L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4773 pF @ 40 V |
на замовлення 1993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMP055N08NS1_T0_00601 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 111A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 136W Case: TO220ABL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 65.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
PSMP055N08NS1_T0_00601 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 111A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 136W Case: TO220ABL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 65.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |