Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PSMQC040N10NS2_R2_00601
PSMQC040N10NS2_R2_00601

PSMQC040N10NS2_R2_00601 Panjit International Inc.


Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+68.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMQC040N10NS2_R2_00601 Panjit International Inc.

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 122A, Pulsed drain current: 488A, Power dissipation: 125W, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 53nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції PSMQC040N10NS2_R2_00601 за ціною від 67.92 грн до 222.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMQC040N10NS2_R2_00601 PSMQC040N10NS2_R2_00601 Виробник : Panjit PSMQC040N10NS2-3247342.pdf MOSFETs 100V 4.4mohm Excellect low FOM MOSFET
на замовлення 5914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.48 грн
10+ 154.69 грн
100+ 96.39 грн
500+ 78.41 грн
1000+ 71.93 грн
3000+ 68.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMQC040N10NS2_R2_00601 PSMQC040N10NS2_R2_00601 Виробник : Panjit International Inc. Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+222.54 грн
10+ 139.3 грн
100+ 96.56 грн
500+ 73.45 грн
1000+ 67.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMQC040N10NS2_R2_00601 PSMQC040N10NS2_R2_00601 Виробник : PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 122A
Pulsed drain current: 488A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMQC040N10NS2_R2_00601 PSMQC040N10NS2_R2_00601 Виробник : PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 122A
Pulsed drain current: 488A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній