Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (139479) > Сторінка 1813 з 2325

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 464 696 928 1160 1392 1624 1808 1809 1810 1811 1812 1813 1814 1815 1816 1817 1818 1856 2088 2320 2325  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
NCV303LSN15T1G. NCV303LSN15T1G. ONSEMI 1840600.pdf Description: ONSEMI - NCV303LSN15T1G. - Überwachungsschaltung 800mV-10V 1.5V Schwelle programmierb. Verzögerung Active-Low Open-Drain TSOP-5
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low, Open-Drain
Verzögerungszeit: -
Bauform - digitaler IC: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 800
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 10
Schwellenspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
NCV303LSN46T1G NCV303LSN46T1G ONSEMI NCP302-D.PDF Description: ONSEMI - NCV303LSN46T1G - SPANNUNGSPRÜFER, 4.6V, TSOP-5, 125°C
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low, Open-Drain
Verzögerungszeit: -
Bauform - digitaler IC: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 800
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 10
Schwellenspannung: 4.6
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NCV303LSN43T1G. NCV303LSN43T1G. ONSEMI NCP302-D.PDF Description: ONSEMI - NCV303LSN43T1G. - SPANNUNGSPRÜFER, 4.3V, TSOP-5, 125°C
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low, Open-Drain
Verzögerungszeit: -
Bauform - digitaler IC: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 800
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 10
Schwellenspannung: 4.3
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
FGH50T65SQD-F155 FGH50T65SQD-F155 ONSEMI FGH50T65SQD-D.PDF Description: ONSEMI - FGH50T65SQD-F155 - IGBT, 650 V, 50A FIELD STOP 4 TRENCH
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCP81075DR2G NCP81075DR2G ONSEMI ncp81075-d.pdf Description: ONSEMI - NCP81075DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 8.5V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 8.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.54 грн
10+ 138.38 грн
100+ 100.85 грн
500+ 90.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
NCP81075DR2G NCP81075DR2G ONSEMI ncp81075-d.pdf Description: ONSEMI - NCP81075DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 8.5V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 8.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.85 грн
500+ 90.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN302P FDN302P ONSEMI ONSM-S-A0013339524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.69 грн
26+ 30.57 грн
100+ 15.95 грн
500+ 14.52 грн
Мінімальне замовлення: 19
NCV20072DTBR2G NCV20072DTBR2G ONSEMI NCS20071-D.PDF Description: ONSEMI - NCV20072DTBR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSSOP, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 2.4
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 3
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NL17SZ125DTT1G NL17SZ125DTT1G ONSEMI 1878614.pdf Description: ONSEMI - NL17SZ125DTT1G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, TSOP-5
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDV301N FDV301N ONSEMI 2304439.pdf Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 96623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+28.07 грн
42+ 18.68 грн
106+ 7.38 грн
500+ 6.72 грн
Мінімальне замовлення: 28
FDG6301N FDG6301N ONSEMI ONSM-S-A0013669802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.81 грн
27+ 29.71 грн
100+ 18.37 грн
500+ 13.36 грн
Мінімальне замовлення: 22
SZESD7241N2T5G SZESD7241N2T5G ONSEMI esd7241-d.pdf Description: ONSEMI - SZESD7241N2T5G - ESD-Schutzbaustein, 48 V, X2DFN, 2 Pin(s), 24 V, 300 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: X2DFN
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 48V
Betriebsspannung: 24V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 300mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.53 грн
24+ 33.46 грн
100+ 20.48 грн
500+ 14.3 грн
1000+ 9.11 грн
2500+ 8.51 грн
Мінімальне замовлення: 19
SZBZX84C24LT1G SZBZX84C24LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - SZBZX84C24LT1G - Zener-Diode, 24 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Zener-Spannung, nom.: 24
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: AEC-Q101
Betriebstemperatur, max.: 150
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: BZX84
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
ATP103-TL-H ATP103-TL-H ONSEMI ENA1623-D.PDF Description: ONSEMI - ATP103-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 55 A, 0.01 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 55
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: ATPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP202-TL-H ATP202-TL-H ONSEMI ATP202-D.PDF Description: ONSEMI - ATP202-TL-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.009 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: ATPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP405-TL-H ATP405-TL-H ONSEMI ATP405-D.PDF Description: ONSEMI - ATP405-TL-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.025 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 70
Bauform - Transistor: ATPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP208-TL-H ATP208-TL-H ONSEMI ATP208-D.PDF Description: ONSEMI - ATP208-TL-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0046 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 90
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP108-TL-H ATP108-TL-H ONSEMI 2337916.pdf Description: ONSEMI - ATP108-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.008 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 70
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP101-TL-H ATP101-TL-H ONSEMI 2337915.pdf Description: ONSEMI - ATP101-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.023 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 25
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP302-TL-H ATP302-TL-H ONSEMI ONSMS35935-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - ATP302-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.01 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 70
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 70
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP112-TL-H ATP112-TL-H ONSEMI 2237022.pdf Description: ONSEMI - ATP112-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.033 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 25
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP301-TL-H ATP301-TL-H ONSEMI ONSMS35934-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - ATP301-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.057 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 70
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP106-TL-H ATP106-TL-H ONSEMI ONSMS35748-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - ATP106-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.019 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP108-TL-H ATP108-TL-H ONSEMI 2337916.pdf Description: ONSEMI - ATP108-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.008 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 60
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP302-TL-H ATP302-TL-H ONSEMI ONSMS35935-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - ATP302-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.01 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 70
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP101-TL-H ATP101-TL-H ONSEMI 2337915.pdf Description: ONSEMI - ATP101-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.023 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 30
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP301-TL-H ATP301-TL-H ONSEMI ONSMS35934-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - ATP301-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.057 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 70
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NC7SZ374P6X NC7SZ374P6X ONSEMI nc7sz374-d.pdf Description: ONSEMI - NC7SZ374P6X - Flipflop, Tri-State, positive Taktflanke, NC7S374, D, 2.6 ns, 175 MHz, 32 mA, SC-70
Logik-IC-Sockelnummer: 74374
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
IC-Ausgang: Tri-State
Ausgangsstrom: 32
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz: 175
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S374
Ausbreitungsverzögerung: 2.6
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NC7SZ175P6X NC7SZ175P6X ONSEMI FAIRS38047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NC7SZ175P6X - Flipflop, nicht invertiert, positive Taktflanke, NC7S175, D, 2.6 ns, 175 MHz, 32 mA, SC-70
Logik-IC-Sockelnummer: 74175
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
IC-Ausgang: Nicht invertiert
Ausgangsstrom: 32
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz: 175
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S175
Ausbreitungsverzögerung: 2.6
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
74LCX138BQX 74LCX138BQX ONSEMI 74LCX138-D.pdf Description: ONSEMI - 74LCX138BQX - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NLV14543BDR2G NLV14543BDR2G ONSEMI MC14543B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14543BDR2G - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NC7SV19P6X NC7SV19P6X ONSEMI NC7SV19-D.pdf Description: ONSEMI - NC7SV19P6X - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NUP2105LT1G NUP2105LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299902-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NUP2105LT1G - TVS-Diode, NUP21, bidirektional, 24V, 44V, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 26.2V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 32V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 24V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 350W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NUP21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 44V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 77150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.18 грн
500+ 10.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
FSA636UCX FSA636UCX ONSEMI 3213417.pdf Description: ONSEMI - FSA636UCX - Spezielle Schnittstelle, USB, Kameras, Mobiltelefone, Displays, Laptops, Smartphones, Tablets
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Schnittstellenanwendungsbereich: Kameras, Mobiltelefone, Displays, Laptops, Smartphones, Tablets
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: USB
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: WLCSP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AFGB30T65SQDN AFGB30T65SQDN ONSEMI AFGB30T65SQDN-D.PDF Description: ONSEMI - AFGB30T65SQDN - IGBT, 60 A, 1.6 V, 220 W, 650 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 220
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
AFGY120T65SPD-B4 AFGY120T65SPD-B4 ONSEMI AFGY120T65SPD-B4-D.PDF Description: ONSEMI - AFGY120T65SPD-B4 - IGBT, 240 A, 1.5 V, 882 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 882
Transistormontage: Durchsteckmontage
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 240
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
NZT660A NZT660A ONSEMI 1794589.pdf Description: ONSEMI - NZT660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.53 грн
20+ 39.72 грн
100+ 25.33 грн
500+ 19.89 грн
Мінімальне замовлення: 17
NZT660A NZT660A ONSEMI 1794589.pdf Description: ONSEMI - NZT660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.33 грн
500+ 19.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
NCP1247AD065R2G NCP1247AD065R2G ONSEMI ONSM-S-A0013669856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP1247AD065R2G - Current-Mode-Regler, Festfrequenz, bis zu 28V Versorgungsspannung, 65/100kHz, 800mAout, SOIC-7
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Controller-IC: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Frequenz: 65kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 28V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: NCP1247
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 33
NSV45025AT1G NSV45025AT1G ONSEMI NSI45025A-D.PDF Description: ONSEMI - NSV45025AT1G - CURRENT REGULATORS
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCP1246AD065R2G NCP1246AD065R2G ONSEMI 2354282.pdf Description: ONSEMI - NCP1246AD065R2G - IC, AC/DC-Regler, Festfrequenz, Current-Mode, für Flyback-Wandler, 100kHz, SOIC-7
tariffCode: 85423190
AC-Eingangsspannung, max.: -
hazardous: false
Nennleistung: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Bauform - AC/DC-Wandler: SOIC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
AC-Eingangsspannung, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCP1246AD065R2G NCP1246AD065R2G ONSEMI 2354282.pdf Description: ONSEMI - NCP1246AD065R2G - IC, AC/DC-Regler, Festfrequenz, Current-Mode, für Flyback-Wandler, 100kHz, SOIC-7
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSR02100HT1G NSR02100HT1G ONSEMI ONSM-S-A0013750243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSR02100HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 100 V, 200 mA, 950 mV, 2 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+28.14 грн
41+ 19.23 грн
105+ 7.51 грн
500+ 4.77 грн
3000+ 3.57 грн
Мінімальне замовлення: 28
NSR02100HT1G NSR02100HT1G ONSEMI ONSM-S-A0013750243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSR02100HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 100 V, 200 mA, 950 mV, 2 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.77 грн
3000+ 3.57 грн
Мінімальне замовлення: 500
FDB0105N407L FDB0105N407L ONSEMI ONSM-S-A0003584168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDB0105N407L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 300
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTHLD040N65S3HF NTHLD040N65S3HF ONSEMI 2850024.pdf Description: ONSEMI - NTHLD040N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 446
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446
Bauform - Transistor: TO-247AD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1048.39 грн
5+ 995.22 грн
10+ 941.28 грн
BC846BWT1G BC846BWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN304P FDN304P ONSEMI 2298379.pdf Description: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 162651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.89 грн
21+ 37.68 грн
100+ 23.61 грн
500+ 17.21 грн
Мінімальне замовлення: 18
FJPF5021OTU FJPF5021OTU ONSEMI 2572451.pdf Description: ONSEMI - FJPF5021OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 500 V, 5 A, 40 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 20
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.01 грн
10+ 99.29 грн
100+ 77.16 грн
500+ 59.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
FJP5555TU FJP5555TU ONSEMI FJP5555-D.pdf Description: ONSEMI - FJP5555TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCD57090EDWR2G NCD57090EDWR2G ONSEMI 3409743.pdf Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik-ICs
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -65
Quellstrom: 6.5
Versorgungsspannung, min.: 3.3
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCx57090y
Versorgungsspannung, max.: 15
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SZESD8351XV2T1G SZESD8351XV2T1G ONSEMI esd8351-d.pdf Description: ONSEMI - SZESD8351XV2T1G - ESD-Schutzbaustein, 11.2 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, SZESD8351
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.2V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZESD8351
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+8.2 грн
Мінімальне замовлення: 500
NCS210RSQT2G NCS210RSQT2G ONSEMI 2711393.pdf Description: ONSEMI - NCS210RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 40 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 200V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 40kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.96 грн
20+ 40.34 грн
100+ 27.91 грн
500+ 21.85 грн
3000+ 20.04 грн
Мінімальне замовлення: 15
NCV210RSQT2G NCV210RSQT2G ONSEMI 2711393.pdf Description: ONSEMI - NCV210RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 40 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 200V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 40kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
NCS210RSQT2G NCS210RSQT2G ONSEMI 2711393.pdf Description: ONSEMI - NCS210RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 40 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 200V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 40kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.91 грн
500+ 21.85 грн
3000+ 20.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
NCV21914DR2G NCV21914DR2G ONSEMI 3191492.pdf Description: ONSEMI - NCV21914DR2G - Operationsverstärker, RRO, 4 Kanäle, 2 MHz, 1.6 V/µs, 4V bis 36V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.6V/µs
Qualifikation: 0
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2MHz
Eingangsoffsetspannung: 1µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.3 грн
10+ 158.7 грн
100+ 120.4 грн
500+ 95.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
NCV21914DR2G NCV21914DR2G ONSEMI 3191492.pdf Description: ONSEMI - NCV21914DR2G - Operationsverstärker, RRO, 4 Kanäle, 2 MHz, 1.6 V/µs, 4V bis 36V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.6V/µs
Qualifikation: 0
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2MHz
Eingangsoffsetspannung: 1µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.4 грн
500+ 95.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
FSV20100V FSV20100V ONSEMI 2552638.pdf Description: ONSEMI - FSV20100V - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 660 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 270A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 660mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.65 грн
10+ 95.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
FSV20150V FSV20150V ONSEMI 2552639.pdf Description: ONSEMI - FSV20150V - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 840 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 270A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 840mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.12 грн
11+ 72.63 грн
100+ 56.37 грн
500+ 38.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
FSV20100V FSV20100V ONSEMI 2552638.pdf Description: ONSEMI - FSV20100V - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 660 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 270A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 660mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NCV303LSN15T1G. 1840600.pdf
NCV303LSN15T1G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV303LSN15T1G. - Überwachungsschaltung 800mV-10V 1.5V Schwelle programmierb. Verzögerung Active-Low Open-Drain TSOP-5
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low, Open-Drain
Verzögerungszeit: -
Bauform - digitaler IC: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 800
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 10
Schwellenspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
NCV303LSN46T1G NCP302-D.PDF
NCV303LSN46T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV303LSN46T1G - SPANNUNGSPRÜFER, 4.6V, TSOP-5, 125°C
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low, Open-Drain
Verzögerungszeit: -
Bauform - digitaler IC: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 800
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 10
Schwellenspannung: 4.6
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NCV303LSN43T1G. NCP302-D.PDF
NCV303LSN43T1G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV303LSN43T1G. - SPANNUNGSPRÜFER, 4.3V, TSOP-5, 125°C
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low, Open-Drain
Verzögerungszeit: -
Bauform - digitaler IC: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 800
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 10
Schwellenspannung: 4.3
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
FGH50T65SQD-F155 FGH50T65SQD-D.PDF
FGH50T65SQD-F155
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH50T65SQD-F155 - IGBT, 650 V, 50A FIELD STOP 4 TRENCH
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCP81075DR2G ncp81075-d.pdf
NCP81075DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81075DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 8.5V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 8.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+191.54 грн
10+ 138.38 грн
100+ 100.85 грн
500+ 90.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
NCP81075DR2G ncp81075-d.pdf
NCP81075DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81075DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 8.5V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 8.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+100.85 грн
500+ 90.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN302P ONSM-S-A0013339524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDN302P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+42.69 грн
26+ 30.57 грн
100+ 15.95 грн
500+ 14.52 грн
Мінімальне замовлення: 19
NCV20072DTBR2G NCS20071-D.PDF
NCV20072DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20072DTBR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSSOP, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 2.4
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 3
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NL17SZ125DTT1G 1878614.pdf
NL17SZ125DTT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ125DTT1G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, TSOP-5
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDV301N 2304439.pdf
FDV301N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 96623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+28.07 грн
42+ 18.68 грн
106+ 7.38 грн
500+ 6.72 грн
Мінімальне замовлення: 28
FDG6301N ONSM-S-A0013669802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDG6301N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+35.81 грн
27+ 29.71 грн
100+ 18.37 грн
500+ 13.36 грн
Мінімальне замовлення: 22
SZESD7241N2T5G esd7241-d.pdf
SZESD7241N2T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD7241N2T5G - ESD-Schutzbaustein, 48 V, X2DFN, 2 Pin(s), 24 V, 300 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: X2DFN
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 48V
Betriebsspannung: 24V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 300mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+42.53 грн
24+ 33.46 грн
100+ 20.48 грн
500+ 14.3 грн
1000+ 9.11 грн
2500+ 8.51 грн
Мінімальне замовлення: 19
SZBZX84C24LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
SZBZX84C24LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84C24LT1G - Zener-Diode, 24 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Zener-Spannung, nom.: 24
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: AEC-Q101
Betriebstemperatur, max.: 150
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: BZX84
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
ATP103-TL-H ENA1623-D.PDF
ATP103-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP103-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 55 A, 0.01 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 55
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: ATPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP202-TL-H ATP202-D.PDF
ATP202-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP202-TL-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.009 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: ATPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP405-TL-H ATP405-D.PDF
ATP405-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP405-TL-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.025 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 70
Bauform - Transistor: ATPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP208-TL-H ATP208-D.PDF
ATP208-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP208-TL-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0046 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 90
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP108-TL-H 2337916.pdf
ATP108-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP108-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.008 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 70
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP101-TL-H 2337915.pdf
ATP101-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP101-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.023 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 25
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP302-TL-H ONSMS35935-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ATP302-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP302-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.01 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 70
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 70
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP112-TL-H 2237022.pdf
ATP112-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP112-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.033 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 25
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP301-TL-H ONSMS35934-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ATP301-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP301-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.057 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 70
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP106-TL-H ONSMS35748-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ATP106-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP106-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.019 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP108-TL-H 2337916.pdf
ATP108-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP108-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.008 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 60
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP302-TL-H ONSMS35935-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ATP302-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP302-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.01 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 70
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP101-TL-H 2337915.pdf
ATP101-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP101-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.023 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 30
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP301-TL-H ONSMS35934-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ATP301-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP301-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 28 A, 0.057 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 70
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NC7SZ374P6X nc7sz374-d.pdf
NC7SZ374P6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ374P6X - Flipflop, Tri-State, positive Taktflanke, NC7S374, D, 2.6 ns, 175 MHz, 32 mA, SC-70
Logik-IC-Sockelnummer: 74374
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
IC-Ausgang: Tri-State
Ausgangsstrom: 32
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz: 175
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S374
Ausbreitungsverzögerung: 2.6
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NC7SZ175P6X FAIRS38047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NC7SZ175P6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ175P6X - Flipflop, nicht invertiert, positive Taktflanke, NC7S175, D, 2.6 ns, 175 MHz, 32 mA, SC-70
Logik-IC-Sockelnummer: 74175
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
IC-Ausgang: Nicht invertiert
Ausgangsstrom: 32
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz: 175
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S175
Ausbreitungsverzögerung: 2.6
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
74LCX138BQX 74LCX138-D.pdf
74LCX138BQX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74LCX138BQX - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NLV14543BDR2G MC14543B-D.PDF
NLV14543BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14543BDR2G - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NC7SV19P6X NC7SV19-D.pdf
NC7SV19P6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SV19P6X - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NUP2105LT1G ONSM-S-A0013299902-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NUP2105LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP2105LT1G - TVS-Diode, NUP21, bidirektional, 24V, 44V, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 26.2V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 32V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 24V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 350W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NUP21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 44V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 77150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+11.18 грн
500+ 10.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
FSA636UCX 3213417.pdf
FSA636UCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSA636UCX - Spezielle Schnittstelle, USB, Kameras, Mobiltelefone, Displays, Laptops, Smartphones, Tablets
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Schnittstellenanwendungsbereich: Kameras, Mobiltelefone, Displays, Laptops, Smartphones, Tablets
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: USB
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: WLCSP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AFGB30T65SQDN AFGB30T65SQDN-D.PDF
AFGB30T65SQDN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGB30T65SQDN - IGBT, 60 A, 1.6 V, 220 W, 650 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 220
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
AFGY120T65SPD-B4 AFGY120T65SPD-B4-D.PDF
AFGY120T65SPD-B4
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGY120T65SPD-B4 - IGBT, 240 A, 1.5 V, 882 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 882
Transistormontage: Durchsteckmontage
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 240
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
NZT660A 1794589.pdf
NZT660A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NZT660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+47.53 грн
20+ 39.72 грн
100+ 25.33 грн
500+ 19.89 грн
Мінімальне замовлення: 17
NZT660A 1794589.pdf
NZT660A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NZT660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+25.33 грн
500+ 19.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
NCP1247AD065R2G ONSM-S-A0013669856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP1247AD065R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1247AD065R2G - Current-Mode-Regler, Festfrequenz, bis zu 28V Versorgungsspannung, 65/100kHz, 800mAout, SOIC-7
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Controller-IC: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Frequenz: 65kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 28V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: NCP1247
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 33
NSV45025AT1G NSI45025A-D.PDF
NSV45025AT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV45025AT1G - CURRENT REGULATORS
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCP1246AD065R2G 2354282.pdf
NCP1246AD065R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1246AD065R2G - IC, AC/DC-Regler, Festfrequenz, Current-Mode, für Flyback-Wandler, 100kHz, SOIC-7
tariffCode: 85423190
AC-Eingangsspannung, max.: -
hazardous: false
Nennleistung: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Bauform - AC/DC-Wandler: SOIC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
AC-Eingangsspannung, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCP1246AD065R2G 2354282.pdf
NCP1246AD065R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1246AD065R2G - IC, AC/DC-Regler, Festfrequenz, Current-Mode, für Flyback-Wandler, 100kHz, SOIC-7
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSR02100HT1G ONSM-S-A0013750243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSR02100HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR02100HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 100 V, 200 mA, 950 mV, 2 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+28.14 грн
41+ 19.23 грн
105+ 7.51 грн
500+ 4.77 грн
3000+ 3.57 грн
Мінімальне замовлення: 28
NSR02100HT1G ONSM-S-A0013750243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSR02100HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR02100HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 100 V, 200 mA, 950 mV, 2 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.77 грн
3000+ 3.57 грн
Мінімальне замовлення: 500
FDB0105N407L ONSM-S-A0003584168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDB0105N407L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB0105N407L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 300
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTHLD040N65S3HF 2850024.pdf
NTHLD040N65S3HF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHLD040N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 446
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446
Bauform - Transistor: TO-247AD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1048.39 грн
5+ 995.22 грн
10+ 941.28 грн
BC846BWT1G ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC846BWT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN304P 2298379.pdf
FDN304P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 162651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+45.89 грн
21+ 37.68 грн
100+ 23.61 грн
500+ 17.21 грн
Мінімальне замовлення: 18
FJPF5021OTU 2572451.pdf
FJPF5021OTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJPF5021OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 500 V, 5 A, 40 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 20
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+111.01 грн
10+ 99.29 грн
100+ 77.16 грн
500+ 59.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
FJP5555TU FJP5555-D.pdf
FJP5555TU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJP5555TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCD57090EDWR2G 3409743.pdf
NCD57090EDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik-ICs
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -65
Quellstrom: 6.5
Versorgungsspannung, min.: 3.3
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCx57090y
Versorgungsspannung, max.: 15
Eingabeverzögerung: 60
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SZESD8351XV2T1G esd8351-d.pdf
SZESD8351XV2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD8351XV2T1G - ESD-Schutzbaustein, 11.2 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, SZESD8351
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.2V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZESD8351
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+8.2 грн
Мінімальне замовлення: 500
NCS210RSQT2G 2711393.pdf
NCS210RSQT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS210RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 40 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 200V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 40kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+54.96 грн
20+ 40.34 грн
100+ 27.91 грн
500+ 21.85 грн
3000+ 20.04 грн
Мінімальне замовлення: 15
NCV210RSQT2G 2711393.pdf
NCV210RSQT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV210RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 40 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 200V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 40kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
NCS210RSQT2G 2711393.pdf
NCS210RSQT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS210RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 40 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 200V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 40kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+27.91 грн
500+ 21.85 грн
3000+ 20.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
NCV21914DR2G 3191492.pdf
NCV21914DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV21914DR2G - Operationsverstärker, RRO, 4 Kanäle, 2 MHz, 1.6 V/µs, 4V bis 36V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.6V/µs
Qualifikation: 0
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2MHz
Eingangsoffsetspannung: 1µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+210.3 грн
10+ 158.7 грн
100+ 120.4 грн
500+ 95.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
NCV21914DR2G 3191492.pdf
NCV21914DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV21914DR2G - Operationsverstärker, RRO, 4 Kanäle, 2 MHz, 1.6 V/µs, 4V bis 36V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.6V/µs
Qualifikation: 0
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2MHz
Eingangsoffsetspannung: 1µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+120.4 грн
500+ 95.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
FSV20100V 2552638.pdf
FSV20100V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSV20100V - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 660 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 270A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 660mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+126.65 грн
10+ 95.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
FSV20150V 2552639.pdf
FSV20150V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSV20150V - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 840 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 270A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 840mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+89.12 грн
11+ 72.63 грн
100+ 56.37 грн
500+ 38.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
FSV20100V 2552638.pdf
FSV20100V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSV20100V - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 660 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 270A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 660mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 464 696 928 1160 1392 1624 1808 1809 1810 1811 1812 1813 1814 1815 1816 1817 1818 1856 2088 2320 2325  [ Наступна Сторінка >> ]