![BC846BWT1G BC846BWT1G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/5/11/9/7/8/409/ons_/manual/3sc70.jpg)
BC846BWT1G ON Semiconductor
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 0.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC846BWT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BC846BWT1G за ціною від 0.84 грн до 10.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC846BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BWT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BWT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 1269000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BWT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.2W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 15625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BWT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 59070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 62532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BWT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.2W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 15625 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 62532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BWT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 1275825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC846BWT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 308211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC846BWT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 59070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
BC846BWT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|