![FDV301N FDV301N](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/cdbbcd5b550f69cb57198f33704acb75e5ea1be2/sot-23.jpg)
на замовлення 221250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.61 грн |
9000+ | 3.11 грн |
24000+ | 2.7 грн |
45000+ | 2.47 грн |
99000+ | 2.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDV301N ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDV301N за ціною від 1.29 грн до 28.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDV301N | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 534000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDV301N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3540000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDV301N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 342000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDV301N | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V |
на замовлення 324000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDV301N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDV301N | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 9Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 6322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDV301N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDV301N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDV301N | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 9Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6322 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDV301N | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 96623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDV301N | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 898161 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDV301N | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V |
на замовлення 326878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDV301N | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 96623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
FDV301N | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1340 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
FDV301N | Виробник : UMW |
![]() кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
FDV301N | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 19140 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
FDV301N | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 833 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
FDV301N | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
FDV301N | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 193 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
FDV301N |
![]() |
на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||||
![]() |
FDV301N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
FDV301N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
FDV301N Код товару: 115435 |
![]() |
товар відсутній
|