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NCV2333DR2G NCV2333DR2G ONSEMI NCS333-D.PDF Description: ONSEMI - NCV2333DR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 270 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.15
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 270
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDBL86361-F085 FDBL86361-F085 ONSEMI 3750003.pdf Description: ONSEMI - FDBL86361-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+372.13 грн
10+ 267.37 грн
100+ 217.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDBL9401-F085T6 FDBL9401-F085T6 ONSEMI fdbl9401-f085t6-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL9401-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.0006 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180.7W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+669.22 грн
10+ 480.02 грн
100+ 415.13 грн
500+ 325.23 грн
2000+ 286.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDBL0110N60 FDBL0110N60 ONSEMI 2859342.pdf Description: ONSEMI - FDBL0110N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 850 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+395.59 грн
10+ 302.55 грн
100+ 245.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDBL86366-F085 FDBL86366-F085 ONSEMI ONSM-S-A0015368689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDBL86366-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.0024 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+264.25 грн
10+ 183.72 грн
100+ 152.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDBL86366-F085 FDBL86366-F085 ONSEMI ONSM-S-A0015368689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDBL86366-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.0024 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+152.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDBL0110N60 FDBL0110N60 ONSEMI 2859342.pdf Description: ONSEMI - FDBL0110N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 850 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+245.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDBL9401-F085T6 FDBL9401-F085T6 ONSEMI fdbl9401-f085t6-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL9401-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.0006 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180.7W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+480.02 грн
100+ 415.13 грн
500+ 325.23 грн
2000+ 286.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDBL0150N80 FDBL0150N80 ONSEMI 2572501.pdf Description: ONSEMI - FDBL0150N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+317.41 грн
10+ 235.32 грн
100+ 193.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDBL0200N100 FDBL0200N100 ONSEMI 2859343.pdf Description: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+590.25 грн
10+ 424.51 грн
100+ 364.32 грн
500+ 327.4 грн
2000+ 292.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDBL86062-F085 FDBL86062-F085 ONSEMI 2859345.pdf Description: ONSEMI - FDBL86062-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+548.82 грн
10+ 389.33 грн
100+ 339.3 грн
500+ 259.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDBL86363-F085 FDBL86363-F085 ONSEMI 2729320.pdf Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDBL86063-F085 FDBL86063-F085 ONSEMI 2357021.pdf Description: ONSEMI - FDBL86063-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FQP13N06L FQP13N06L ONSEMI 1783741.pdf Description: ONSEMI - FQP13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.088 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.96 грн
13+ 61.76 грн
100+ 47.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQP13N06L. FQP13N06L. ONSEMI 2265207.pdf Description: ONSEMI - FQP13N06L. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 13.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
FOD817B3SD FOD817B3SD ONSEMI 2303998.pdf Description: ONSEMI - FOD817B3SD - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 130%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: FOD817
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+10.32 грн
3000+ 10.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
FOD817B3SD FOD817B3SD ONSEMI 2303998.pdf Description: ONSEMI - FOD817B3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 130%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.87 грн
500+ 14.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
FOD817B3S FOD817B3S ONSEMI 2907264.pdf Description: ONSEMI - FOD817B3S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 130
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD817B FOD817B ONSEMI 2907264.pdf Description: ONSEMI - FOD817B - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 130
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD817B300 FOD817B300 ONSEMI 1563587.pdf Description: ONSEMI - FOD817B300 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 130%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.31 грн
34+ 23.45 грн
100+ 12.04 грн
Мінімальне замовлення: 21
SZBZX84C20LT1G SZBZX84C20LT1G ONSEMI 2236792.pdf Description: ONSEMI - SZBZX84C20LT1G - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+12.67 грн
88+ 8.91 грн
213+ 3.67 грн
500+ 2.18 грн
3000+ 1.47 грн
9000+ 1.27 грн
Мінімальне замовлення: 62
BZX85C4V7. BZX85C4V7. ONSEMI 2303870.pdf Description: ONSEMI - BZX85C4V7. - Zener-Diode, 4.7 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
Zener-Spannung, nom.: 4.7
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: BZX85C
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товар відсутній
ES1D ES1D ONSEMI 3760317.pdf Description: ONSEMI - ES1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 300290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.95 грн
29+ 27.6 грн
100+ 10.55 грн
500+ 9.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
ES3J ES3J ONSEMI ONSM-S-A0013750300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - ES3J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 45 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 45ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES3J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 34872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.31 грн
22+ 37.14 грн
100+ 25.25 грн
500+ 18.37 грн
Мінімальне замовлення: 17
FCH067N65S3-F155 FCH067N65S3-F155 ONSEMI 3971539.pdf Description: ONSEMI - FCH067N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.059 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+613.71 грн
5+ 523.8 грн
10+ 433.9 грн
50+ 401.45 грн
100+ 369.23 грн
250+ 335.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
AR0144CSSC00SUKA0-CRBR AR0144CSSC00SUKA0-CRBR ONSEMI AR0144CS_Web.pdf Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CRBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
AR0144CSSC20SUKA0-CRBR AR0144CSSC20SUKA0-CRBR ONSEMI AR0144CS_Web.pdf Description: ONSEMI - AR0144CSSC20SUKA0-CRBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
AR0144CSSC00SUKA0-CRBR1 AR0144CSSC00SUKA0-CRBR1 ONSEMI Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CRBR1 - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG ONSEMI 2354277.pdf Description: ONSEMI - NTLJD3119CTBG - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.55 грн
15+ 52.3 грн
100+ 35.96 грн
500+ 27.95 грн
1000+ 22.72 грн
5000+ 19.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTC143EET1G DTC143EET1G ONSEMI ONSM-S-A0013750038-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 41610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 500
NSV45025T1G NSV45025T1G ONSEMI NSI45025-D.PDF Description: ONSEMI - NSV45025T1G - LED-Treiber, AC/DC, 25mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSVC2030JBT3G NSVC2030JBT3G ONSEMI NSIC2030JB-D.PDF Description: ONSEMI - NSVC2030JBT3G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 175°C, 1 Ausgang, 120V, AEC-Q101, DO-214AA (SMB)-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 120
Bauform - Treiber: DO-214AA (SMB)
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSV45025AZT1G NSV45025AZT1G ONSEMI NSI45025AZ-D.PDF Description: ONSEMI - NSV45025AZT1G - LED-Treiber, AC/DC, 25mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-223-4
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOT-223
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSV45030AT1G NSV45030AT1G ONSEMI NSI45030A-D.PDF Description: ONSEMI - NSV45030AT1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSV50010YT1G NSV50010YT1G ONSEMI NSI50010Y-D.PDF Description: ONSEMI - NSV50010YT1G - LED-Treiber, AC/DC, 10mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 50V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 50
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSV45030T1G NSV45030T1G ONSEMI NSI45030-D.PDF Description: ONSEMI - NSV45030T1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NC7WV14P6X NC7WV14P6X ONSEMI NC7WV14-D.pdf Description: ONSEMI - NC7WV14P6X - Schmitt-Trigger-Inverter, Familie NC7WV14, 1 Eingang, 900 mV-3.6V Versorgungsspannung, SC-70-6
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WV
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 900
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7WV14
Logiktyp: Schmitt-Trigger-Inverter
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: 7WV14
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19 грн
43+ 18.61 грн
100+ 18.22 грн
500+ 16.55 грн
Мінімальне замовлення: 42
NC7WV14P6X NC7WV14P6X ONSEMI NC7WV14-D.pdf Description: ONSEMI - NC7WV14P6X - Schmitt-Trigger-Inverter, Familie NC7WV14, 1 Eingang, 900 mV-3.6V Versorgungsspannung, SC-70-6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.22 грн
500+ 16.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
NC7WV14L6X NC7WV14L6X ONSEMI NC7WV14-D.pdf Description: ONSEMI - NC7WV14L6X - Logik-IC, Wechselrichter, Zwei, 1 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7WV14
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NC7WV
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 900
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7WV14
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDH210N08 FDH210N08 ONSEMI FDH210N08-D.PDF Description: ONSEMI - FDH210N08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 210
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 462
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
2SJ652-1E 2SJ652-1E ONSEMI 2337914.pdf Description: ONSEMI - 2SJ652-1E - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 28 A, 0.0285 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0285
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
BCP68T1G BCP68T1G ONSEMI 1796166.pdf Description: ONSEMI - BCP68T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
Verlustleistung: 1.5
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTPF150N65S3HF NTPF150N65S3HF ONSEMI NTPF150N65S3HF-D.PDF Description: ONSEMI - NTPF150N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 192
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NVHL020N090SC1 NVHL020N090SC1 ONSEMI 2913026.pdf Description: ONSEMI - NVHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 118
Verlustleistung Pd: 503
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 503
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FAN9673Q FAN9673Q ONSEMI FAN9673-D.PDF Description: ONSEMI - FAN9673Q - PFC CONTROLLER
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FAN9673QX FAN9673QX ONSEMI 2304655.pdf Description: ONSEMI - FAN9673QX - IC, PFC-Controller, drei Kanäle, 30V & 1mA Versorgung, 97% Tastverhältnis, 55kHz bis 75kHz, LQFP-32
Versorgungsstrom: 6
Bauform - Controller-IC: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): 97
Frequenz: 75
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 32
UVLO: -
Produktpalette: FAN9673
Versorgungsspannung, max.: -
Einschaltstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 105
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
FAN9673QX FAN9673QX ONSEMI 2304655.pdf Description: ONSEMI - FAN9673QX - IC, PFC-Controller, drei Kanäle, 30V & 1mA Versorgung, 97% Tastverhältnis, 55kHz bis 75kHz, LQFP-32
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
NCP1380DDR2G NCP1380DDR2G ONSEMI 1842134.pdf Description: ONSEMI - NCP1380DDR2G - PWM-Controller, Current-Mode, quasi-resonant, 8.3V-18V Versorgungsspannung, 500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8.3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.85 грн
500+ 34.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
FNB35060T FNB35060T ONSEMI ONSM-S-A0003587421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FNB35060T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 50 A, 2500 Vrms, SPM27-RA, SPM3
tariffCode: 85415000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM3
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2500Vrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 50A
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM27-RA
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2808.2 грн
5+ 2651.84 грн
10+ 2495.48 грн
50+ 2291.1 грн
FPDB50PH60.. FPDB50PH60.. ONSEMI 2304407.pdf Description: ONSEMI - FPDB50PH60.. - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), SPM, IGBT, 600 V, 50 A, 2500 Vrms, SPMHA-027, SPM3
IPM-Baureihe: SPM3
Isolationsspannung: 2500
Nennstrom (Ic/Id): 50
Bauform - IPM: SPMHA-027
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
FNC42060F FNC42060F ONSEMI ONSM-S-A0003587496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FNC42060F - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 20 A, 2 kV, SPMAA-A26, SPM45
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM45
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 20A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPMAA-A26
Produktpalette: Motion SPM 45 Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1158.62 грн
5+ 1050.73 грн
10+ 942.84 грн
50+ 768.06 грн
FSA515GEVB ONSEMI 2815750.pdf Description: ONSEMI - FSA515GEVB - EVALUATIONSBOARD, DEPLETION-SWITCH
Prozessorkern: FSA515UCX
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FSA515UCX
Unterart Anwendung: Depletion-Switch
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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NTP6412ANG NTP6412ANG ONSEMI ONSM-S-A0014832339-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTP6412ANG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 58
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 167
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 167
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0168
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+158.7 грн
10+ 142.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
NCV5230DR2G NCV5230DR2G ONSEMI NE5230-D.PDF Description: ONSEMI - NCV5230DR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 600 kHz, 0.25 V/µs, 1.8V bis 15V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 15V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: 0
Spannungsanstieg: 0.25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 600
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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NTE4151PT1G NTE4151PT1G ONSEMI 1921128.pdf Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.26 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.02 грн
38+ 21.03 грн
100+ 11.57 грн
500+ 10.53 грн
Мінімальне замовлення: 27
NTE4153NT1G NTE4153NT1G ONSEMI 1900865.pdf Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 51458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+30.88 грн
37+ 21.66 грн
100+ 9.3 грн
500+ 8.49 грн
Мінімальне замовлення: 26
NCT80DBR2G NCT80DBR2G ONSEMI NCT80-D.PDF Description: ONSEMI - NCT80DBR2G - Temperatursensor-IC, Digital, ± 3°C, -40 °C, 125 °C, TSSOP, 24 Pin(s)
Erfassungsgenauigkeit: ± 3°C
IC-Ausgang: Digital
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, min.: 2.8
Bauform - Sensor: TSSOP
Erfassungstemperatur, min.: -40
Erfassungstemperatur, max.: 125
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.75
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NCP1081DEG NCP1081DEG ONSEMI 2160878.pdf Description: ONSEMI - NCP1081DEG - Power over Ethernet (PoE)-Controller, IEEE802.3af, 802.3a, 57Vin, 38V UVLO, 500kHz, TSSOP-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): 80%
Leistung, max.: 40W
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
UVLO: 38V
Produktpalette: -
productTraceability: No
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+337.73 грн
10+ 272.06 грн
25+ 265.03 грн
50+ 238.84 грн
100+ 180.93 грн
250+ 162.84 грн
500+ 156.81 грн
1000+ 130.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
NCP305LSQ36T1G. NCP305LSQ36T1G. ONSEMI NCP304-D.PDF Description: ONSEMI - NCP305LSQ36T1G. - SPANNUNGSPRÜFER, 3.6V, SC-82AB, 85°C
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low, Open-Drain
Verzögerungszeit: -
Bauform - digitaler IC: SC-82AB
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 800
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 10
Schwellenspannung: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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NCP303LSN29T1G NCP303LSN29T1G ONSEMI 1840600.pdf Description: ONSEMI - NCP303LSN29T1G - Spannungsprüfer-IC, Active-Low-Reset, 0.8V-10Vin, TSOP-5
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low
Verzögerungszeit: -
Bauform - digitaler IC: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 800
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 10
Schwellenspannung: 2.9
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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NCV2333DR2G NCS333-D.PDF
NCV2333DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV2333DR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 270 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.15
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 270
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FDBL86361-F085 3750003.pdf
FDBL86361-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86361-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+372.13 грн
10+ 267.37 грн
100+ 217.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDBL9401-F085T6 fdbl9401-f085t6-d.pdf
FDBL9401-F085T6
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9401-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.0006 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180.7W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+669.22 грн
10+ 480.02 грн
100+ 415.13 грн
500+ 325.23 грн
2000+ 286.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDBL0110N60 2859342.pdf
FDBL0110N60
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0110N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 850 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+395.59 грн
10+ 302.55 грн
100+ 245.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDBL86366-F085 ONSM-S-A0015368689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDBL86366-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86366-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.0024 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+264.25 грн
10+ 183.72 грн
100+ 152.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDBL86366-F085 ONSM-S-A0015368689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDBL86366-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86366-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.0024 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+152.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDBL0110N60 2859342.pdf
FDBL0110N60
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0110N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 850 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+245.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDBL9401-F085T6 fdbl9401-f085t6-d.pdf
FDBL9401-F085T6
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9401-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.0006 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180.7W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+480.02 грн
100+ 415.13 грн
500+ 325.23 грн
2000+ 286.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDBL0150N80 2572501.pdf
FDBL0150N80
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0150N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+317.41 грн
10+ 235.32 грн
100+ 193.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDBL0200N100 2859343.pdf
FDBL0200N100
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+590.25 грн
10+ 424.51 грн
100+ 364.32 грн
500+ 327.4 грн
2000+ 292.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDBL86062-F085 2859345.pdf
FDBL86062-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86062-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+548.82 грн
10+ 389.33 грн
100+ 339.3 грн
500+ 259.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDBL86363-F085 2729320.pdf
FDBL86363-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+210.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDBL86063-F085 2357021.pdf
FDBL86063-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86063-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FQP13N06L 1783741.pdf
FQP13N06L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.088 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+78.96 грн
13+ 61.76 грн
100+ 47.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQP13N06L. 2265207.pdf
FQP13N06L.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP13N06L. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 13.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
FOD817B3SD 2303998.pdf
FOD817B3SD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817B3SD - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 130%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: FOD817
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+10.32 грн
3000+ 10.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
FOD817B3SD 2303998.pdf
FOD817B3SD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817B3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 130%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+15.87 грн
500+ 14.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
FOD817B3S 2907264.pdf
FOD817B3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817B3S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 130
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD817B 2907264.pdf
FOD817B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817B - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 130
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FOD817B300 1563587.pdf
FOD817B300
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817B300 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 130%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+38.31 грн
34+ 23.45 грн
100+ 12.04 грн
Мінімальне замовлення: 21
SZBZX84C20LT1G 2236792.pdf
SZBZX84C20LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84C20LT1G - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
62+12.67 грн
88+ 8.91 грн
213+ 3.67 грн
500+ 2.18 грн
3000+ 1.47 грн
9000+ 1.27 грн
Мінімальне замовлення: 62
BZX85C4V7. 2303870.pdf
BZX85C4V7.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85C4V7. - Zener-Diode, 4.7 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
Zener-Spannung, nom.: 4.7
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: BZX85C
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товар відсутній
ES1D 3760317.pdf
ES1D
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 300290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+39.95 грн
29+ 27.6 грн
100+ 10.55 грн
500+ 9.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
ES3J ONSM-S-A0013750300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ES3J
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES3J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 45 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 45ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES3J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 34872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+48.31 грн
22+ 37.14 грн
100+ 25.25 грн
500+ 18.37 грн
Мінімальне замовлення: 17
FCH067N65S3-F155 3971539.pdf
FCH067N65S3-F155
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH067N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.059 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+613.71 грн
5+ 523.8 грн
10+ 433.9 грн
50+ 401.45 грн
100+ 369.23 грн
250+ 335.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
AR0144CSSC00SUKA0-CRBR AR0144CS_Web.pdf
AR0144CSSC00SUKA0-CRBR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CRBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
AR0144CSSC20SUKA0-CRBR AR0144CS_Web.pdf
AR0144CSSC20SUKA0-CRBR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0144CSSC20SUKA0-CRBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
AR0144CSSC00SUKA0-CRBR1
AR0144CSSC00SUKA0-CRBR1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CRBR1 - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTLJD3119CTBG 2354277.pdf
NTLJD3119CTBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTLJD3119CTBG - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+67.55 грн
15+ 52.3 грн
100+ 35.96 грн
500+ 27.95 грн
1000+ 22.72 грн
5000+ 19.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTC143EET1G ONSM-S-A0013750038-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DTC143EET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 41610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 500
NSV45025T1G NSI45025-D.PDF
NSV45025T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV45025T1G - LED-Treiber, AC/DC, 25mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSVC2030JBT3G NSIC2030JB-D.PDF
NSVC2030JBT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVC2030JBT3G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 175°C, 1 Ausgang, 120V, AEC-Q101, DO-214AA (SMB)-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 120
Bauform - Treiber: DO-214AA (SMB)
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSV45025AZT1G NSI45025AZ-D.PDF
NSV45025AZT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV45025AZT1G - LED-Treiber, AC/DC, 25mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-223-4
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOT-223
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSV45030AT1G NSI45030A-D.PDF
NSV45030AT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV45030AT1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSV50010YT1G NSI50010Y-D.PDF
NSV50010YT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV50010YT1G - LED-Treiber, AC/DC, 10mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 50V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 50
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSV45030T1G NSI45030-D.PDF
NSV45030T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV45030T1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NC7WV14P6X NC7WV14-D.pdf
NC7WV14P6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WV14P6X - Schmitt-Trigger-Inverter, Familie NC7WV14, 1 Eingang, 900 mV-3.6V Versorgungsspannung, SC-70-6
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WV
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 900
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7WV14
Logiktyp: Schmitt-Trigger-Inverter
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: 7WV14
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
42+19 грн
43+ 18.61 грн
100+ 18.22 грн
500+ 16.55 грн
Мінімальне замовлення: 42
NC7WV14P6X NC7WV14-D.pdf
NC7WV14P6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WV14P6X - Schmitt-Trigger-Inverter, Familie NC7WV14, 1 Eingang, 900 mV-3.6V Versorgungsspannung, SC-70-6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+18.22 грн
500+ 16.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
NC7WV14L6X NC7WV14-D.pdf
NC7WV14L6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WV14L6X - Logik-IC, Wechselrichter, Zwei, 1 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7WV14
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NC7WV
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 900
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7WV14
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDH210N08 FDH210N08-D.PDF
FDH210N08
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH210N08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 210
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 462
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
2SJ652-1E 2337914.pdf
2SJ652-1E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SJ652-1E - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 28 A, 0.0285 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0285
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
BCP68T1G 1796166.pdf
BCP68T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP68T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
Verlustleistung: 1.5
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTPF150N65S3HF NTPF150N65S3HF-D.PDF
NTPF150N65S3HF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTPF150N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 192
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NVHL020N090SC1 2913026.pdf
NVHL020N090SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 118
Verlustleistung Pd: 503
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 503
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FAN9673Q FAN9673-D.PDF
FAN9673Q
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN9673Q - PFC CONTROLLER
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FAN9673QX 2304655.pdf
FAN9673QX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN9673QX - IC, PFC-Controller, drei Kanäle, 30V & 1mA Versorgung, 97% Tastverhältnis, 55kHz bis 75kHz, LQFP-32
Versorgungsstrom: 6
Bauform - Controller-IC: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): 97
Frequenz: 75
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 32
UVLO: -
Produktpalette: FAN9673
Versorgungsspannung, max.: -
Einschaltstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 105
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
FAN9673QX 2304655.pdf
FAN9673QX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN9673QX - IC, PFC-Controller, drei Kanäle, 30V & 1mA Versorgung, 97% Tastverhältnis, 55kHz bis 75kHz, LQFP-32
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
NCP1380DDR2G 1842134.pdf
NCP1380DDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1380DDR2G - PWM-Controller, Current-Mode, quasi-resonant, 8.3V-18V Versorgungsspannung, 500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8.3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+47.85 грн
500+ 34.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
FNB35060T ONSM-S-A0003587421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FNB35060T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FNB35060T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 50 A, 2500 Vrms, SPM27-RA, SPM3
tariffCode: 85415000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM3
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2500Vrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 50A
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM27-RA
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2808.2 грн
5+ 2651.84 грн
10+ 2495.48 грн
50+ 2291.1 грн
FPDB50PH60.. 2304407.pdf
FPDB50PH60..
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPDB50PH60.. - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), SPM, IGBT, 600 V, 50 A, 2500 Vrms, SPMHA-027, SPM3
IPM-Baureihe: SPM3
Isolationsspannung: 2500
Nennstrom (Ic/Id): 50
Bauform - IPM: SPMHA-027
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
FNC42060F ONSM-S-A0003587496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FNC42060F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FNC42060F - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 20 A, 2 kV, SPMAA-A26, SPM45
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM45
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 20A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPMAA-A26
Produktpalette: Motion SPM 45 Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1158.62 грн
5+ 1050.73 грн
10+ 942.84 грн
50+ 768.06 грн
FSA515GEVB 2815750.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSA515GEVB - EVALUATIONSBOARD, DEPLETION-SWITCH
Prozessorkern: FSA515UCX
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FSA515UCX
Unterart Anwendung: Depletion-Switch
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
NTP6412ANG ONSM-S-A0014832339-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTP6412ANG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP6412ANG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 58
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 167
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 167
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0168
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+158.7 грн
10+ 142.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
NCV5230DR2G NE5230-D.PDF
NCV5230DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5230DR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 600 kHz, 0.25 V/µs, 1.8V bis 15V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 15V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: 0
Spannungsanstieg: 0.25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 600
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NTE4151PT1G 1921128.pdf
NTE4151PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.26 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+30.02 грн
38+ 21.03 грн
100+ 11.57 грн
500+ 10.53 грн
Мінімальне замовлення: 27
NTE4153NT1G 1900865.pdf
NTE4153NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 51458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+30.88 грн
37+ 21.66 грн
100+ 9.3 грн
500+ 8.49 грн
Мінімальне замовлення: 26
NCT80DBR2G NCT80-D.PDF
NCT80DBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCT80DBR2G - Temperatursensor-IC, Digital, ± 3°C, -40 °C, 125 °C, TSSOP, 24 Pin(s)
Erfassungsgenauigkeit: ± 3°C
IC-Ausgang: Digital
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, min.: 2.8
Bauform - Sensor: TSSOP
Erfassungstemperatur, min.: -40
Erfassungstemperatur, max.: 125
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.75
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCP1081DEG 2160878.pdf
NCP1081DEG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1081DEG - Power over Ethernet (PoE)-Controller, IEEE802.3af, 802.3a, 57Vin, 38V UVLO, 500kHz, TSSOP-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): 80%
Leistung, max.: 40W
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
UVLO: 38V
Produktpalette: -
productTraceability: No
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+337.73 грн
10+ 272.06 грн
25+ 265.03 грн
50+ 238.84 грн
100+ 180.93 грн
250+ 162.84 грн
500+ 156.81 грн
1000+ 130.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
NCP305LSQ36T1G. NCP304-D.PDF
NCP305LSQ36T1G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP305LSQ36T1G. - SPANNUNGSPRÜFER, 3.6V, SC-82AB, 85°C
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low, Open-Drain
Verzögerungszeit: -
Bauform - digitaler IC: SC-82AB
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 800
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 10
Schwellenspannung: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NCP303LSN29T1G 1840600.pdf
NCP303LSN29T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP303LSN29T1G - Spannungsprüfer-IC, Active-Low-Reset, 0.8V-10Vin, TSOP-5
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low
Verzögerungszeit: -
Bauform - digitaler IC: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 800
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 10
Schwellenspannung: 2.9
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
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