Фото | Назва | Виробник | Інформація |
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Ціна без ПДВ |
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HUF75321P3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75321P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 35 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 93 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 93 Bauform - Transistor: TO-220AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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HUF75852G3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75852G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 75 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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NDS331N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 116450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDB7030BL. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 60 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 60 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 Verlustleistung: 60 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
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FDB7030BL. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Verlustleistung: 60 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068 Qualifikation: - SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
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NL17SZ16DFT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL17SZ16DFT2G - Logik, Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5 Logik-IC-Sockelnummer: - Logik-IC-Familie: 17SZ Bauform - Logikbaustein: SOT-353 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: - Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NL17SZ16XV5T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL17SZ16XV5T2G - SINGLE BUFFER MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NL17SZ16DBVT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL17SZ16DBVT1G - SINGLE BUFFER MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NCV553SQ30T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV553SQ30T1G - LDO REGULATOR, 80 MA, ULTRA-LOW IQ 3.0V MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NCV8114BSN300T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8114BSN300T1G - LDO REGULATOR, 300 MA, LOW IQ 3.0V HZ MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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CAT5115YI-50-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5115YI-50-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 50K MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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NCP1096PAR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1096PAR2G - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Tastverhältnis (%): - Leistung, max.: 90W Anzahl der Kanäle: 1Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Eingangsspannung: 57V Anzahl der Pins: 16Pin(s) UVLO: 32.3V Produktpalette: - productTraceability: No PoE-Controller: PD-Controller Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP1096PAR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1096PAR2G - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Tastverhältnis (%): - Leistung, max.: 90W Anzahl der Kanäle: 1Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Eingangsspannung: 57V Anzahl der Pins: 16Pin(s) UVLO: 32.3V Produktpalette: - productTraceability: No PoE-Controller: PD-Controller Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP1095DBR2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1095DBR2 - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC Bauform - Controller-IC: TSSOP Ausgangsstrom: - PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt MSL: MSL 3 - 168 Stunden Tastverhältnis (%): - Frequenz: - Leistung, max.: 90 Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -40 Eingangsspannung: 57 Anzahl der Pins: 16 UVLO: 32.3 Produktpalette: - PoE-Controller: PD-Controller Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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RHRG5060 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RHRG5060 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 50 ns, 500 A Bauform - Diode: TO-247AB Durchlassstoßstrom: 500 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1 Sperrverzögerungszeit: 50 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: RHRG5 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NL7SZ18DBVT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL7SZ18DBVT1G - DECODERS / ENCODERS MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NLV74LCX138DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV74LCX138DR2G - DECODERS / ENCODERS MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NC7SV19L6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SV19L6X - DECODERS / ENCODERS MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SGF23N60UFTU. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SGF23N60UFTU. - IGBT, 600V, PT SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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FSAL200QSCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSAL200QSCX - Analoger Multiplexer / Demultiplexer, 2:1, 4 Schaltkreise, 12 Ohm, 3V bis 5.5V, QSOP-16 Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40 Bauform - analoger Multiplexer: QSOP Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Multiplexerkonfiguration: 2:1 Anzahl der Schaltkreise: 4 Durchlasswiderstand, max.: 12 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDN306P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 11330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDBL9406-F085T6 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL9406-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 136.4W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDBL9406-F085T6 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL9406-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 136.4W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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30C02CH-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300 DC-Stromverstärkung hFE: 300 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700 Verlustleistung: 700 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 540 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 5399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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30C02CH-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30 Verlustleistung: 700 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 5399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP5109BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5109BDR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC Sinkstrom: 500 Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Quellstrom: 250 Versorgungsspannung, min.: 10 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 100 Ausgabeverzögerung: 100 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NCV333ASN2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV333ASN2T1G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s) Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: TSOP Betriebstemperatur, min.: -40 Spannungsanstieg: 0.15 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Bandbreite: 350 Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 6640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV20091SQ3T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV20091SQ3T2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Eingang, 1 Verstärker, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70 Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SC-70 Betriebstemperatur, min.: -40 Spannungsanstieg: 0.15 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Bandbreite: 350 Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDT86246L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 2.2W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 6919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FAN5333ASX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 30V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: - Eingangsspannung, min.: 1.8V Topologie: Boost Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 11174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSR0530P2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR0530P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 500 mA, 620 mV, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-923 Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 620mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: NSR05 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 13100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZNZ9F5V1T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZNZ9F5V1T5G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOD-923, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage Bauform - Diode: SOD-923 Diodenmontage: Oberflächenmontage Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung Pd: 250 Verlustleistung: 250 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: SZNZ9FxxxxT5G Betriebstemperatur, max.: 150 Zener-Spannung, nom.: 5.1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 6510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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QSB363ZR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSB363ZR - Fototransistor, 940 nm, 24 °, 75 mW, 2 Pin(s), T-3/4 (1.8mm) tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Wellenlänge, typ.: 940nm Stromverbrauch: 75mW hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 euEccn: NLR Abstrahlwinkel: 24° Bauform - Transistor: T-3/4 (1.8mm) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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QSB34GR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSB34GR - Fotodiode, 60° Winkel für halbe Empfindlichkeit, 30nA Dunkelstrom, 940nm, PLCC-2 tariffCode: 85414900 Bauform - Diode: PLCC Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60° Dunkelstrom: 0.03µA rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940nm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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QSB363ZR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSB363ZR - Fototransistor, 940 nm, 24 °, 75 mW, 2 Pin(s), T-3/4 (1.8mm) tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Wellenlänge, typ.: 940nm Stromverbrauch: 75mW hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 euEccn: NLR Abstrahlwinkel: 24° Bauform - Transistor: T-3/4 (1.8mm) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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QSB363 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSB363 - Fototransistor, 940 nm, 12 °, 75 mW, 2 Pin(s) MSL: MSL 3 - 168 Stunden Stromverbrauch: 75 Anzahl der Pins: 2 Abstrahlwinkel: 12 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Transistor: - Wellenlänge, typ.: 940 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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QSB34CZR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSB34CZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2 Bauform - Diode: PLCC Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60 Dunkelstrom: 0.03 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -25 Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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QSB34ZR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSB34ZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2 Bauform - Diode: PLCC Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60 Dunkelstrom: 0.03 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -25 Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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BZX84C3V6LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C3V6LT1G - Zener-Diode, 3.6 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 3.6V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 11417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UC3525AN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UC3525AN - IC, PWM CONTROLLER Bauform - Controller-IC: DIP Ausgangsstrom: 200 Ausgangsspannung: 18 Frequenz: 430 Betriebstemperatur, min.: -30 Versorgungsspannung, min.: 8 Eingangsspannung: 35 Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 35 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товар відсутній |
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FDC6318P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SL05T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Bauform - Diode: SOT-23 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V Betriebsspannung: - rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 225mW usEccn: EAR99 Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SL05T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Bauform - Diode: SOT-23 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V Betriebsspannung: - rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 225mW usEccn: EAR99 Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HN1B01FDW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 380mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HN2D02FUTW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-363 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 3ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HN2D0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 9880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HN2D02FUTW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A Bauform - Diode: SC-88 Durchlassstoßstrom: 1 Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2 Sperrverzögerungszeit: 3 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: HN2D0 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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NTTFS5C453NLTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5C453NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 0.0025 ohm, WDFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 107 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 68 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 68 Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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FFSP1065B-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSP1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 11 A, 25 nC, TO-220 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 25 Diodenmontage: Durchsteckmontage Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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FDA69N25 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDA69N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.034 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 69 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 480 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 480 Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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NSR05T30XV2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSR05T30XV2T5G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 450 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 3A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 450mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS3890 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HUFA76429D3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUFA76429D3 - MOSFET'S - SINGLE Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 20 Qualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 110 Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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FDS6982AS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7WZ14P6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7WZ14P6X - Logik-IC, 2 Inputs, 6 Pin(s), SC-70 Logik-IC-Familie: NC7W Bauform - Logikbaustein: SC-70 Ausgangsstrom: 32 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: NC7W14 Logiktyp: Inverter-Schmitt-Trigger Anzahl der Pins: 6 Versorgungsspannung, max.: 5.5 Anzahl der Eingänge: 2 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товар відсутній |
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NL27WZ02USG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL27WZ02USG - NOR-Gatter, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, VSSOP-8 Logikfunktion: NOR-Gatter Logik-IC-Familie: 27WZ Bauform - Logikbaustein: VSSOP Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logiktyp: NOR-Gatter Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: 27WZ02 Versorgungsspannung, max.: 5.5 Anzahl der Eingänge: 2 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl von Elementen: Zwei SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP1393BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1393BDR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V-12V Versorgung, 1Aout, 16V Sperrspannung, 40ns/20ns Ein/Aus, SOIC-8 Sinkstrom: 1 Treiberkonfiguration: Halbbrücke Leistungsschalter: MOSFET IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: - Quellstrom: 500 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 16 Eingabeverzögerung: - Ausgabeverzögerung: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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NCP1393BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1393BDR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V-12V Versorgung, 1Aout, 16V Sperrspannung, 40ns/20ns Ein/Aus, SOIC-8 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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NTH4L060N090SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 320W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTHL020N090SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 118A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 503W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQP2N90 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP2N90 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.2 A, 5.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 2.2 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 85 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 85 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 5.6 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HUF75321P3 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75321P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - HUF75321P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
HUF75852G3 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75852G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - HUF75852G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NDS331N |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 116450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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21+ | 39.01 грн |
25+ | 31.27 грн |
100+ | 21.03 грн |
500+ | 15.39 грн |
FDB7030BL. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товар відсутній
FDB7030BL. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 60
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
Qualifikation: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 60
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
Qualifikation: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товар відсутній
NL17SZ16DFT2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ16DFT2G - Logik, Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NL17SZ16DFT2G - Logik, Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NL17SZ16XV5T2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ16XV5T2G - SINGLE BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NL17SZ16XV5T2G - SINGLE BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NL17SZ16DBVT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ16DBVT1G - SINGLE BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NL17SZ16DBVT1G - SINGLE BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCV553SQ30T1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV553SQ30T1G - LDO REGULATOR, 80 MA, ULTRA-LOW IQ 3.0V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV553SQ30T1G - LDO REGULATOR, 80 MA, ULTRA-LOW IQ 3.0V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCV8114BSN300T1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8114BSN300T1G - LDO REGULATOR, 300 MA, LOW IQ 3.0V HZ
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV8114BSN300T1G - LDO REGULATOR, 300 MA, LOW IQ 3.0V HZ
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CAT5115YI-50-GT3 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5115YI-50-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 50K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5115YI-50-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 50K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NCP1096PAR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1096PAR2G - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 90W
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
UVLO: 32.3V
Produktpalette: -
productTraceability: No
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP1096PAR2G - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 90W
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
UVLO: 32.3V
Produktpalette: -
productTraceability: No
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 144.63 грн |
500+ | 128.49 грн |
NCP1096PAR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1096PAR2G - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 90W
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
UVLO: 32.3V
Produktpalette: -
productTraceability: No
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP1096PAR2G - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 90W
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
UVLO: 32.3V
Produktpalette: -
productTraceability: No
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 196.23 грн |
10+ | 150.89 грн |
100+ | 144.63 грн |
500+ | 128.49 грн |
NCP1095DBR2 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1095DBR2 - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
Bauform - Controller-IC: TSSOP
Ausgangsstrom: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): -
Frequenz: -
Leistung, max.: 90
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung: 57
Anzahl der Pins: 16
UVLO: 32.3
Produktpalette: -
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1095DBR2 - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
Bauform - Controller-IC: TSSOP
Ausgangsstrom: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): -
Frequenz: -
Leistung, max.: 90
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung: 57
Anzahl der Pins: 16
UVLO: 32.3
Produktpalette: -
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
RHRG5060 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RHRG5060 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 50 ns, 500 A
Bauform - Diode: TO-247AB
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1
Sperrverzögerungszeit: 50
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRG5
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - RHRG5060 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 50 ns, 500 A
Bauform - Diode: TO-247AB
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1
Sperrverzögerungszeit: 50
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRG5
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 261.9 грн |
10+ | 236.1 грн |
100+ | 164.18 грн |
NL7SZ18DBVT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL7SZ18DBVT1G - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NL7SZ18DBVT1G - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NLV74LCX138DR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74LCX138DR2G - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV74LCX138DR2G - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NC7SV19L6X |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SV19L6X - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NC7SV19L6X - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
SGF23N60UFTU. |
товар відсутній
FSAL200QSCX |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSAL200QSCX - Analoger Multiplexer / Demultiplexer, 2:1, 4 Schaltkreise, 12 Ohm, 3V bis 5.5V, QSOP-16
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Bauform - analoger Multiplexer: QSOP
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Multiplexerkonfiguration: 2:1
Anzahl der Schaltkreise: 4
Durchlasswiderstand, max.: 12
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FSAL200QSCX - Analoger Multiplexer / Demultiplexer, 2:1, 4 Schaltkreise, 12 Ohm, 3V bis 5.5V, QSOP-16
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Bauform - analoger Multiplexer: QSOP
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Multiplexerkonfiguration: 2:1
Anzahl der Schaltkreise: 4
Durchlasswiderstand, max.: 12
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 104.76 грн |
10+ | 89.12 грн |
100+ | 70.05 грн |
500+ | 60.91 грн |
FDN306P |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 36.51 грн |
26+ | 30.8 грн |
100+ | 19.15 грн |
500+ | 13.94 грн |
FDBL9406-F085T6 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9406-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDBL9406-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 267.37 грн |
100+ | 215.78 грн |
FDBL9406-F085T6 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9406-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDBL9406-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 356.5 грн |
10+ | 267.37 грн |
100+ | 215.78 грн |
30C02CH-TL-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
Verlustleistung: 700
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 540
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
Verlustleistung: 700
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 540
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
28+ | 28.93 грн |
36+ | 21.89 грн |
100+ | 13.68 грн |
500+ | 7.11 грн |
3000+ | 5.49 грн |
30C02CH-TL-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Verlustleistung: 700
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Verlustleistung: 700
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 7.11 грн |
3000+ | 5.49 грн |
NCP5109BDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5109BDR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 250
Versorgungsspannung, min.: 10
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 100
Ausgabeverzögerung: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP5109BDR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 250
Versorgungsspannung, min.: 10
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 100
Ausgabeverzögerung: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCV333ASN2T1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV333ASN2T1G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.15
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bandbreite: 350
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV333ASN2T1G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.15
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bandbreite: 350
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 71.14 грн |
14+ | 58.56 грн |
100+ | 44.41 грн |
500+ | 28.09 грн |
3000+ | 22.11 грн |
NCV20091SQ3T2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20091SQ3T2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Eingang, 1 Verstärker, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SC-70
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.15
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bandbreite: 350
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV20091SQ3T2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Eingang, 1 Verstärker, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SC-70
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.15
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bandbreite: 350
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 44.09 грн |
22+ | 36.28 грн |
100+ | 27.83 грн |
500+ | 17.57 грн |
FDT86246L |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 2.2W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 2.2W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 6919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 45.97 грн |
500+ | 35.43 грн |
1000+ | 25.4 грн |
4000+ | 24.93 грн |
FAN5333ASX |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 11174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 71.77 грн |
500+ | 61.71 грн |
3000+ | 52.4 грн |
6000+ | 51.33 грн |
9000+ | 50.33 грн |
NSR0530P2T5G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0530P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 500 mA, 620 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 620mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSR0530P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 500 mA, 620 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 620mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 35.96 грн |
36+ | 22.05 грн |
100+ | 10.09 грн |
500+ | 9.15 грн |
SZNZ9F5V1T5G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZNZ9F5V1T5G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOD-923, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOD-923
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SZNZ9FxxxxT5G
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 5.1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - SZNZ9F5V1T5G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOD-923, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOD-923
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SZNZ9FxxxxT5G
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 5.1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 32.52 грн |
30+ | 26.5 грн |
100+ | 18.06 грн |
500+ | 8.13 грн |
QSB363ZR |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB363ZR - Fototransistor, 940 nm, 24 °, 75 mW, 2 Pin(s), T-3/4 (1.8mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 940nm
Stromverbrauch: 75mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-3/4 (1.8mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - QSB363ZR - Fototransistor, 940 nm, 24 °, 75 mW, 2 Pin(s), T-3/4 (1.8mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 940nm
Stromverbrauch: 75mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-3/4 (1.8mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)QSB34GR |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB34GR - Fotodiode, 60° Winkel für halbe Empfindlichkeit, 30nA Dunkelstrom, 940nm, PLCC-2
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60°
Dunkelstrom: 0.03µA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - QSB34GR - Fotodiode, 60° Winkel für halbe Empfindlichkeit, 30nA Dunkelstrom, 940nm, PLCC-2
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60°
Dunkelstrom: 0.03µA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 100.85 грн |
22+ | 35.81 грн |
100+ | 31.9 грн |
500+ | 29.26 грн |
QSB363ZR |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB363ZR - Fototransistor, 940 nm, 24 °, 75 mW, 2 Pin(s), T-3/4 (1.8mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 940nm
Stromverbrauch: 75mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-3/4 (1.8mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - QSB363ZR - Fototransistor, 940 nm, 24 °, 75 mW, 2 Pin(s), T-3/4 (1.8mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 940nm
Stromverbrauch: 75mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-3/4 (1.8mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)QSB363 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB363 - Fototransistor, 940 nm, 12 °, 75 mW, 2 Pin(s)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Stromverbrauch: 75
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 12
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 940
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - QSB363 - Fototransistor, 940 nm, 12 °, 75 mW, 2 Pin(s)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Stromverbrauch: 75
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 12
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 940
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
QSB34CZR |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB34CZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - QSB34CZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
QSB34ZR |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB34ZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - QSB34ZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
BZX84C3V6LT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C3V6LT1G - Zener-Diode, 3.6 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BZX84C3V6LT1G - Zener-Diode, 3.6 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
72+ | 10.87 грн |
98+ | 8.05 грн |
236+ | 3.31 грн |
500+ | 3.02 грн |
UC3525AN |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UC3525AN - IC, PWM CONTROLLER
Bauform - Controller-IC: DIP
Ausgangsstrom: 200
Ausgangsspannung: 18
Frequenz: 430
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 8
Eingangsspannung: 35
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - UC3525AN - IC, PWM CONTROLLER
Bauform - Controller-IC: DIP
Ausgangsstrom: 200
Ausgangsspannung: 18
Frequenz: 430
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 8
Eingangsspannung: 35
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
FDC6318P |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 67.31 грн |
15+ | 54.65 грн |
100+ | 35.81 грн |
500+ | 24.1 грн |
3000+ | 19.03 грн |
SL05T1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
31+ | 26.03 грн |
41+ | 19.23 грн |
100+ | 10.55 грн |
500+ | 6.24 грн |
3000+ | 5.09 грн |
SL05T1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 10.55 грн |
500+ | 6.24 грн |
3000+ | 5.09 грн |
HN1B01FDW1T1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
32+ | 24.7 грн |
41+ | 19.23 грн |
120+ | 6.57 грн |
500+ | 3.92 грн |
HN2D02FUTW1T1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 3ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HN2D0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 3ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HN2D0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 31.35 грн |
36+ | 22.12 грн |
100+ | 11.1 грн |
500+ | 8.28 грн |
1000+ | 5.76 грн |
HN2D02FUTW1T1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
Bauform - Diode: SC-88
Durchlassstoßstrom: 1
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 3
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: HN2D0
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
Bauform - Diode: SC-88
Durchlassstoßstrom: 1
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 3
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: HN2D0
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTTFS5C453NLTAG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5C453NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 0.0025 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 107
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS5C453NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 0.0025 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 107
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FFSP1065B-F085 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 11 A, 25 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 25
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FFSP1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 11 A, 25 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 25
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDA69N25 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA69N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.034 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 69
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 480
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDA69N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.034 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 69
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 480
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSR05T30XV2T5G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR05T30XV2T5G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 3A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSR05T30XV2T5G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 3A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
32+ | 25.1 грн |
46+ | 17.2 грн |
112+ | 7 грн |
500+ | 3.59 грн |
FDS3890 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 146.2 грн |
10+ | 110.23 грн |
100+ | 80.52 грн |
500+ | 68.17 грн |
1000+ | 52.8 грн |
HUFA76429D3 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUFA76429D3 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - HUFA76429D3 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDS6982AS |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)NC7WZ14P6X |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ14P6X - Logik-IC, 2 Inputs, 6 Pin(s), SC-70
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7W14
Logiktyp: Inverter-Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 2
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NC7WZ14P6X - Logik-IC, 2 Inputs, 6 Pin(s), SC-70
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7W14
Logiktyp: Inverter-Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 2
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
NL27WZ02USG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL27WZ02USG - NOR-Gatter, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, VSSOP-8
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Bauform - Logikbaustein: VSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logiktyp: NOR-Gatter
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: 27WZ02
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NL27WZ02USG - NOR-Gatter, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, VSSOP-8
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Bauform - Logikbaustein: VSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logiktyp: NOR-Gatter
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: 27WZ02
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 39.87 грн |
28+ | 28.85 грн |
100+ | 17.28 грн |
NCP1393BDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1393BDR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V-12V Versorgung, 1Aout, 16V Sperrspannung, 40ns/20ns Ein/Aus, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Quellstrom: 500
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1393BDR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V-12V Versorgung, 1Aout, 16V Sperrspannung, 40ns/20ns Ein/Aus, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Quellstrom: 500
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCP1393BDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1393BDR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V-12V Versorgung, 1Aout, 16V Sperrspannung, 40ns/20ns Ein/Aus, SOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1393BDR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V-12V Versorgung, 1Aout, 16V Sperrspannung, 40ns/20ns Ein/Aus, SOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTH4L060N090SC1 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm
Description: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 736.45 грн |
5+ | 672.34 грн |
10+ | 608.24 грн |
50+ | 547.37 грн |
100+ | 457.68 грн |
250+ | 423.51 грн |
NTHL020N090SC1 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 503W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 503W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1595.64 грн |
5+ | 1480.72 грн |
10+ | 1365.01 грн |
50+ | 1246.46 грн |
100+ | 1062.79 грн |
FQP2N90 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP2N90 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.2 A, 5.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 85
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQP2N90 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.2 A, 5.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 85
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 139.94 грн |
10+ | 114.92 грн |
100+ | 84.43 грн |