AFGB30T65SQDN onsemi
Виробник: onsemi
IGBT Transistors IGBT 650V FS4 High speed version for OBC application in D2PAK 650V, 30A, D2PAK
IGBT Transistors IGBT 650V FS4 High speed version for OBC application in D2PAK 650V, 30A, D2PAK
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 347.76 грн |
10+ | 288.11 грн |
25+ | 237.04 грн |
100+ | 202.98 грн |
250+ | 191.62 грн |
500+ | 180.27 грн |
800+ | 154.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGB30T65SQDN onsemi
Description: 650V/30A FS4 IGBT TO263 A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 245 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Td (on/off) @ 25°C: 14.5ns/63.2ns, Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 56 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 220 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AFGB30T65SQDN
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
AFGB30T65SQDN | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 725 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
AFGB30T65SQDN | Виробник : ON Semiconductor | 650 V 30 A IGBT Chip Transistor |
товару немає в наявності |
||
AFGB30T65SQDN | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGB30T65SQDN - IGBT, 60 A, 1.6 V, 220 W, 650 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 220 Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
||
AFGB30T65SQDN | Виробник : onsemi |
Description: 650V/30A FS4 IGBT TO263 A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 245 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 14.5ns/63.2ns Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 56 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 220 W Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
||
AFGB30T65SQDN | Виробник : onsemi |
Description: 650V/30A FS4 IGBT TO263 A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 245 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 14.5ns/63.2ns Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 56 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 220 W Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |