![FCH067N65S3-F155 FCH067N65S3-F155](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/c0e23eaae048d5c72370d3c4210863f264b1172d/to-247.jpg)
FCH067N65S3-F155 ON Semiconductor
на замовлення 23460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 371.56 грн |
900+ | 367.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH067N65S3-F155 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCH067N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.059 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FCH067N65S3-F155 за ціною від 335.05 грн до 613.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCH067N65S3-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 29760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCH067N65S3-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 23460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCH067N65S3-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCH067N65S3-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCH067N65S3-F155 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 2673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCH067N65S3-F155 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCH067N65S3-F155 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCH067N65S3-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
FCH067N65S3-F155 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 28A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 312W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 59mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FCH067N65S3-F155 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 28A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 312W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 59mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |