Продукція > ON SEMICONDUCTOR > DTC143EET1G
DTC143EET1G

DTC143EET1G ON Semiconductor

dtc143e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 351000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC143EET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-75, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTC143EET1G за ціною від 0.76 грн до 15.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 351000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.13 грн
9000+ 1.64 грн
24000+ 1.51 грн
45000+ 1.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.17 грн
9000+ 1.69 грн
24000+ 1.54 грн
45000+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : ONSEMI 1760841.pdf Description: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.25 грн
9000+ 1.9 грн
24000+ 1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 351000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5282+2.28 грн
9000+ 1.77 грн
24000+ 1.62 грн
45000+ 1.46 грн
Мінімальне замовлення: 5282
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5155+2.34 грн
9000+ 1.82 грн
24000+ 1.66 грн
45000+ 1.49 грн
Мінімальне замовлення: 5155
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 393000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.43 грн
6000+ 2.21 грн
9000+ 1.88 грн
30000+ 1.64 грн
75000+ 1.41 грн
150000+ 1.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013750038-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 41410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 500
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
61+9.91 грн
72+ 8.33 грн
84+ 7.18 грн
Мінімальне замовлення: 61
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 394628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13.54 грн
31+ 9.56 грн
100+ 5.19 грн
500+ 3.82 грн
1000+ 2.65 грн
Мінімальне замовлення: 23
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : onsemi DTC143E_D-2310912.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 359063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+14.36 грн
34+ 9.51 грн
100+ 4.03 грн
1000+ 2.36 грн
3000+ 2.02 грн
9000+ 1.53 грн
24000+ 1.39 грн
Мінімальне замовлення: 23
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013750038-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 41410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+15.91 грн
72+ 10.92 грн
168+ 4.66 грн
500+ 4.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
DTC143EET1G Виробник : ON-Semicoductor dtc143e-d.pdf NPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+4.7k DTC143EET1G TDTC143eet1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+0.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : ONSEMI MMUN2232.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DTC143EET1G DTC143EET1G Виробник : ONSEMI MMUN2232.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
товар відсутній