Продукція > ONSEMI > FDBL0200N100
FDBL0200N100

FDBL0200N100 onsemi

fdbl0200n100-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9760 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+270.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDBL0200N100 onsemi

Description: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 429W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 429W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDBL0200N100 за ціною від 260.53 грн до 590.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDBL0200N100 FDBL0200N100 Виробник : ONSEMI 2859343.pdf Description: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+364.32 грн
500+ 327.4 грн
2000+ 292.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDBL0200N100 FDBL0200N100 Виробник : onsemi fdbl0200n100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9760 pF @ 50 V
на замовлення 12648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+508.11 грн
10+ 419.45 грн
100+ 349.59 грн
500+ 289.48 грн
1000+ 260.53 грн
FDBL0200N100 FDBL0200N100 Виробник : ON Semiconductor fdbl0200n100-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+540.07 грн
10+ 459.96 грн
25+ 453.23 грн
100+ 363.54 грн
250+ 330.06 грн
500+ 279.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDBL0200N100 FDBL0200N100 Виробник : onsemi / Fairchild FDBL0200N100_D-2311994.pdf MOSFET 100 V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+551.26 грн
10+ 465.64 грн
25+ 381.21 грн
100+ 337.31 грн
250+ 325.46 грн
500+ 293.4 грн
1000+ 268.31 грн
FDBL0200N100 FDBL0200N100 Виробник : ON Semiconductor fdbl0200n100-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+581.61 грн
25+ 488.09 грн
100+ 391.5 грн
250+ 355.45 грн
500+ 300.98 грн
Мінімальне замовлення: 21
FDBL0200N100 FDBL0200N100 Виробник : ONSEMI 2859343.pdf Description: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+590.25 грн
10+ 424.51 грн
100+ 364.32 грн
500+ 327.4 грн
2000+ 292.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDBL0200N100 FDBL0200N100 Виробник : ON Semiconductor fdbl0200n100-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
товар відсутній
FDBL0200N100 FDBL0200N100 Виробник : ON Semiconductor fdbl0200n100-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
товар відсутній