![NTP6412ANG NTP6412ANG](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4848/488_TO-220-3.jpg)
NTP6412ANG onsemi
![ntb6412an-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 148.51 грн |
50+ | 115.16 грн |
100+ | 94.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTP6412ANG onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTP6412ANG за ціною від 65.23 грн до 158.7 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTP6412ANG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTP6412ANG | Виробник : ONSEMI |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 58 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 167 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 167 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0168 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|