НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TPW-150Eaton BussmannDescription: FUSE RECTANGULR 150A 80VDC BLADE
товар відсутній
TPW-150Bussmann / EatonSpecialty Fuses TPW 150 AMP FUSE
товар відсутній
TPW-175Eaton BussmannDescription: FUSE RECTANGULR 175A 80VDC BLADE
товар відсутній
TPW-175Bussmann / EatonSpecialty Fuses TPW 175 AMP FUSE
товар відсутній
TPW-200Bussmann / EatonSpecialty Fuses TPW 200 AMP FUSE
товар відсутній
TPW-200Eaton BussmannDescription: FUSE RECTANGULR 200A 80VDC BLADE
товар відсутній
TPW-225Eaton BussmannDescription: FUSE RECTANGULR 225A 80VDC BLADE
товар відсутній
TPW-225Bussmann / EatonSpecialty Fuses TPW 225 AMP FUSE
товар відсутній
TPW-250Bussmann / EatonSpecialty Fuses TPW 250 AMP FUSE
товар відсутній
TPW-250
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TPW-250Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE RECT 250A 80VDC BLADE
Features: Indicating
Packaging: Bulk
Package / Case: Blade Type, Module
Size / Dimension: 2.495" L x 1.459" W x 3.681" H (63.37mm x 37.06mm x 93.50mm)
Fuse Type: Rectangular
Current Rating (Amps): 250A
Mounting Type: Requires Holder
Applications: Telecom
Approval Agency: UR
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Voltage Rating - DC: 80 VDC
товар відсутній
TPW-400DT-12/24Tycon SystemsDescription: WIND TURBINE, HORIZ, 400W 12/24V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TPW-ALPU 160KRADERCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 160mm; W: 50mm; H: 200mm; rigid; 600kg; ALPU
Manufacturer series: ALPU
Height: 200mm
Shore hardness: 94
Version: rigid; with mounting plate
Type of mounting element: transport wheel
Force: 600kg
Wheel diameter: 160mm
Wheel width: 50mm
Mounting holes pitch: 105x80mm
Material: polyurethane
Base dimensions: 135x110mm
Kind of Bearing: ball
Body material: steel sheet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2715.33 грн
2+ 2475.4 грн
24+ 2292.24 грн
TPW-ALPU 160KRADERCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 160mm; W: 50mm; H: 200mm; rigid; 600kg; ALPU
Manufacturer series: ALPU
Height: 200mm
Shore hardness: 94
Version: rigid; with mounting plate
Type of mounting element: transport wheel
Force: 600kg
Wheel diameter: 160mm
Wheel width: 50mm
Mounting holes pitch: 105x80mm
Material: polyurethane
Base dimensions: 135x110mm
Kind of Bearing: ball
Body material: steel sheet
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2262.77 грн
TPW-ALPU 200KRADERCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 200mm; W: 50mm; H: 240mm; rigid; 800kg; ALPU
Manufacturer series: ALPU
Mounting holes pitch: 105x80mm
Body material: steel sheet
Height: 240mm
Material: polyurethane
Force: 800kg
Wheel diameter: 200mm
Wheel width: 50mm
Base dimensions: 135x110mm
Kind of Bearing: ball
Shore hardness: 94
Version: rigid; with mounting plate
Type of mounting element: transport wheel
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2533.43 грн
TPW-ALPU 200KRADERCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 200mm; W: 50mm; H: 240mm; rigid; 800kg; ALPU
Manufacturer series: ALPU
Mounting holes pitch: 105x80mm
Body material: steel sheet
Height: 240mm
Material: polyurethane
Force: 800kg
Wheel diameter: 200mm
Wheel width: 50mm
Base dimensions: 135x110mm
Kind of Bearing: ball
Shore hardness: 94
Version: rigid; with mounting plate
Type of mounting element: transport wheel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3040.11 грн
24+ 2818.68 грн
TPW-ZPU 160KRADERCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 160mm; W: 50mm; H: 200mm; rigid; 850kg; ZPU
Manufacturer series: ZPU
Height: 200mm
Shore hardness: 92
Version: rigid; with mounting plate
Type of mounting element: transport wheel
Force: 850kg
Wheel diameter: 160mm
Wheel width: 50mm
Mounting holes pitch: 105x80mm
Material: polyurethane
Base dimensions: 135x110mm
Kind of Bearing: ball
Body material: steel sheet
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TPW-ZPU 160KRADERCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 160mm; W: 50mm; H: 200mm; rigid; 850kg; ZPU
Manufacturer series: ZPU
Height: 200mm
Shore hardness: 92
Version: rigid; with mounting plate
Type of mounting element: transport wheel
Force: 850kg
Wheel diameter: 160mm
Wheel width: 50mm
Mounting holes pitch: 105x80mm
Material: polyurethane
Base dimensions: 135x110mm
Kind of Bearing: ball
Body material: steel sheet
товар відсутній
TPW-ZPU 200KRADERCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 200mm; W: 50mm; H: 240mm; rigid; 100kg; ZPU
Type of mounting element: transport wheel
Wheel diameter: 200mm
Wheel width: 50mm
Height: 240mm
Version: rigid; with mounting plate
Force: 100kg
Material: polyurethane
Body material: steel sheet
Shore hardness: 92
Manufacturer series: ZPU
Kind of Bearing: ball
Base dimensions: 135x110mm
Mounting holes pitch: 105x80mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TPW-ZPU 200KRADERCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 200mm; W: 50mm; H: 240mm; rigid; 100kg; ZPU
Type of mounting element: transport wheel
Wheel diameter: 200mm
Wheel width: 50mm
Height: 240mm
Version: rigid; with mounting plate
Force: 100kg
Material: polyurethane
Body material: steel sheet
Shore hardness: 92
Manufacturer series: ZPU
Kind of Bearing: ball
Base dimensions: 135x110mm
Mounting holes pitch: 105x80mm
товар відсутній
TPW1500CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPW1500CNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin DSOP EP Advance T/R
товар відсутній
TPW1500CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
на замовлення 7771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.04 грн
10+ 149.74 грн
100+ 104.19 грн
500+ 79.45 грн
1000+ 73.55 грн
2000+ 70.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW1500CNH,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 18428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.57 грн
10+ 158.31 грн
100+ 110.13 грн
250+ 101.43 грн
500+ 92.74 грн
1000+ 74.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW1500CNH,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; Idm: 220A; 142W; DSOP8
Mounting: SMD
Case: DSOP8
Power dissipation: 142W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
On-state resistance: 15.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
TPW1500CNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin DSOP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+216.23 грн
71+ 175.49 грн
100+ 164 грн
500+ 140.02 грн
1000+ 121.25 грн
2000+ 112.81 грн
5000+ 109.23 грн
Мінімальне замовлення: 57
TPW1500CNH,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; Idm: 220A; 142W; DSOP8
Mounting: SMD
Case: DSOP8
Power dissipation: 142W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
On-state resistance: 15.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
TPW1500CNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW1500CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.013 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.39 грн
10+ 159.3 грн
100+ 117.04 грн
500+ 100.38 грн
1000+ 90.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPW1500CNH,L1Q(MToshibaSilicon N-channel MOSFETs
товар відсутній
TPW1500CNHL1Q(MToshibaMOSFET
товар відсутній
TPW1R005PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
на замовлення 6952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.74 грн
10+ 191.64 грн
25+ 158.67 грн
100+ 121 грн
500+ 99.99 грн
1000+ 94.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW1R005PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+94.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPW1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 300A 8-Pin DSOP Advance T/R
товар відсутній
TPW1R005PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
на замовлення 10076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.53 грн
10+ 173.28 грн
100+ 121.75 грн
500+ 93.57 грн
1000+ 86.92 грн
2000+ 85.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW1R005PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 0.00075 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+251.15 грн
10+ 215.39 грн
25+ 173.93 грн
100+ 136.6 грн
500+ 107.98 грн
1000+ 100.32 грн
5000+ 96.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPW1R005PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 0.00075 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 750µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+136.6 грн
500+ 107.98 грн
1000+ 100.32 грн
5000+ 96.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
TPW1R005PLL1Q(MToshibaArray
товар відсутній
TPW1R104PB,L1Q(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW1R104PB,L1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 950 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+153.62 грн
500+ 123.77 грн
1000+ 100.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
TPW1R104PB,L1Q(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW1R104PB,L1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 950 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.65 грн
10+ 199.13 грн
100+ 149.55 грн
500+ 122.26 грн
1000+ 97.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPW1R104PB,L1XHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 8-Pin DSOP Advance(WF)M T/R
товар відсутній
TPW1R104PB,L1XHQToshibaMOSFETs 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 20333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.52 грн
10+ 136.65 грн
25+ 110.13 грн
50+ 102.88 грн
100+ 88.39 грн
250+ 81.87 грн
500+ 71.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPW1R104PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPW1R104PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.34 грн
10+ 128.38 грн
100+ 88.75 грн
500+ 67.33 грн
1000+ 62.2 грн
2000+ 58.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW1R104PB,L1XHQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A T/R
товар відсутній
TPW1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 13583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.07 грн
10+ 162.27 грн
100+ 113.46 грн
500+ 86.87 грн
1000+ 80.56 грн
2000+ 78.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+86.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPW1R306PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
на замовлення 10779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.3 грн
10+ 162.48 грн
100+ 109.4 грн
250+ 106.51 грн
500+ 90.57 грн
1000+ 84.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW1R306PL,L1Q(MToshibaSilicon N-Channel MOSFET
товар відсутній
TPW1R306PL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 260A; Idm: 500A; 170W; DSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 260A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 170W
Case: DSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
TPW1R306PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW1R306PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00095 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 14837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+319.42 грн
10+ 273.91 грн
25+ 221.89 грн
100+ 173.59 грн
500+ 137.24 грн
1000+ 127.49 грн
5000+ 123.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPW1R306PL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 260A; Idm: 500A; 170W; DSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 260A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 170W
Case: DSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TPW1R306PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW1R306PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00095 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 950µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 14837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+173.59 грн
500+ 137.24 грн
1000+ 127.49 грн
5000+ 123.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
TPW2900ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.85 грн
10+ 162.72 грн
100+ 113.75 грн
500+ 87.1 грн
1000+ 80.78 грн
2000+ 78.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW2900ENH,L1QToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 5103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.69 грн
10+ 184.97 грн
100+ 128.24 грн
250+ 118.82 грн
500+ 107.23 грн
1000+ 102.16 грн
5000+ 86.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW2900ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
товар відсутній
TPW2900ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.65 грн
10+ 180.44 грн
100+ 133.3 грн
500+ 111.7 грн
1000+ 98.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPW2900ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.3 грн
500+ 111.7 грн
1000+ 98.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
TPW2R508NH,L1QToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.81 грн
10+ 153.31 грн
100+ 106.51 грн
250+ 98.54 грн
500+ 89.12 грн
1000+ 86.94 грн
5000+ 73.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW2R508NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
на замовлення 11530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.07 грн
10+ 143.02 грн
100+ 99.21 грн
500+ 75.49 грн
1000+ 69.83 грн
2000+ 66.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW2R508NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+73.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPW2R508NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.002 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.98 грн
500+ 94.34 грн
1000+ 84.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
TPW2R508NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.002 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.26 грн
10+ 152.8 грн
100+ 112.98 грн
500+ 94.34 грн
1000+ 84.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPW2R508NH,L1Q(MToshibaSilicon N Channel MOSFET
товар відсутній
TPW3115-S5TR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 4.8Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-5
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 20pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TPW3115-S5TR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 4.8Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-5
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 20pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29 грн
15+ 20.98 грн
25+ 18.9 грн
100+ 12.26 грн
250+ 10.32 грн
500+ 8.38 грн
1000+ 6.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
TPW3115-SC5R3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 4.8Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-353 (SC-70-5)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 20pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TPW3115-SC5R3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 4.8Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-353 (SC-70-5)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 20pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29 грн
15+ 20.98 грн
25+ 18.9 грн
100+ 12.26 грн
250+ 10.32 грн
500+ 8.38 грн
1000+ 6.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
TPW3125L1-SC6R-S3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 4.8Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 20pC
Crosstalk: -65dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1
товар відсутній
TPW3125L1-SC6R-S3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 4.8Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 20pC
Crosstalk: -65dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1
товар відсутній
TPW3157A-CR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 2Ohm
-3db Bandwidth: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 20pC
Crosstalk: -65dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29 грн
18+ 17.06 грн
25+ 14.16 грн
100+ 10.11 грн
250+ 8.53 грн
500+ 7.56 грн
1000+ 6.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
TPW3157A-CR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 2Ohm
-3db Bandwidth: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 20pC
Crosstalk: -65dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1
товар відсутній
TPW33-EE5Сердечник EE5,25/2,65/1,95 Ui=3300 AL=290nH
товар відсутній
TPW33-T10/6/4-CСердечник T10,0/6,0/4,0 Ui=3300 AL=1400nH
товар відсутній
TPW3R70APL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.37 грн
10+ 159.02 грн
100+ 111.05 грн
500+ 84.95 грн
1000+ 78.75 грн
2000+ 76.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW3R70APL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 5299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.91 грн
10+ 175.81 грн
100+ 107.96 грн
500+ 88.39 грн
1000+ 81.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW3R70APL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
товар відсутній
TPW3R70APL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.3 грн
500+ 113.21 грн
1000+ 89.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
TPW3R70APL,L1Q(MToshibaSilicon N-channel MOSFETs
товар відсутній
TPW3R70APL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.08 грн
10+ 182.88 грн
100+ 133.3 грн
500+ 113.21 грн
1000+ 89.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPW4051-QF4R3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1
товар відсутній
TPW4051-QF4R3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1
товар відсутній
TPW4051-SOBR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP8T 16-WSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 1
товар відсутній
TPW4051-SOBR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP8T 16-WSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 1
товар відсутній
TPW4051-SR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1
товар відсутній
TPW4051-SR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1
товар відсутній
TPW4051-TR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1
товар відсутній
TPW4051-TR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1
товар відсутній
TPW4052-SR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP4T (SINGLE-POLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 2
товар відсутній
TPW4052-SR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP4T (SINGLE-POLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 2
товар відсутній
TPW4052-TR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP4T (SINGLE-POLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 2
товар відсутній
TPW4052-TR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP4T (SINGLE-POLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 2
товар відсутній
TPW4053-SR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH 3X SPDT (SINGLEPOL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TPW4053-SR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH 3X SPDT (SINGLEPOL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.62 грн
10+ 57.74 грн
25+ 48.72 грн
100+ 36.1 грн
250+ 31.39 грн
500+ 28.51 грн
1000+ 25.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPW4053-TR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH 3X SPDT (SINGLEPOL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TPW4053-TR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH 3X SPDT (SINGLEPOL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+ 52.68 грн
25+ 49.45 грн
100+ 37.88 грн
250+ 35.18 грн
500+ 29.94 грн
1000+ 23.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
TPW4R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TPW4R008NH,L1QToshibaMOSFETs N-CH Mosfet 80V 116A 8DSOP
на замовлення 28244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.41 грн
10+ 168.31 грн
25+ 136.21 грн
50+ 126.79 грн
100+ 105.06 грн
250+ 98.54 грн
500+ 85.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW4R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
товар відсутній
TPW4R008NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW4R008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0033 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 19956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.45 грн
500+ 89.17 грн
1000+ 82.9 грн
5000+ 80.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
TPW4R008NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW4R008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0033 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 19956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.26 грн
10+ 178 грн
25+ 143.86 грн
100+ 112.45 грн
500+ 89.17 грн
1000+ 82.9 грн
5000+ 80.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPW4R008NH,L1Q(MToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS
товар відсутній
TPW4R50ANHToshibaToshiba
товар відсутній
TPW4R50ANH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 92A
товар відсутній
TPW4R50ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 7615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.1 грн
10+ 154.72 грн
100+ 107.86 грн
500+ 82.41 грн
1000+ 76.36 грн
2000+ 73.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW4R50ANH,L1QToshibaMOSFETs N-CH Mosfet 60V N-CH Mosfet 100V
на замовлення 8305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.3 грн
10+ 170.81 грн
100+ 105.06 грн
500+ 85.49 грн
1000+ 78.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW4R50ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+81.3 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPW4R50ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+134.92 грн
500+ 105.66 грн
1000+ 78.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
TPW4R50ANH,L1Q(MToshibaTPW4R50ANH,L1Q(M
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+76.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPW4R50ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.2 грн
10+ 169.06 грн
100+ 134.92 грн
500+ 105.66 грн
1000+ 78.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPW4R50ANH,L1Q(MToshibaTPW4R50ANH,L1Q(M
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+151.57 грн
100+ 122.89 грн
108+ 114.7 грн
200+ 109.62 грн
500+ 91.07 грн
1000+ 81.55 грн
Мінімальне замовлення: 82
TPW4R50ANHL1Q(MToshibaMOSFET
товар відсутній
TPW5200FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 4826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.34 грн
10+ 164 грн
100+ 130.5 грн
500+ 103.63 грн
1000+ 87.93 грн
2000+ 83.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW5200FNH,L1QToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
товар відсутній
TPW5200FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
товар відсутній
TPW5200FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+172.31 грн
500+ 140.38 грн
1000+ 111.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
TPWA02B-TF21
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TPWA10B-TF21
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TPWBOOM1Technical ProDescription: TECHNICAL PRO PORTABLE RECHARGEA
Packaging: Tape & Box (TB)
Accessory Type: Bluetooth Speaker
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1566.72 грн
TPWBOOM8Technical ProDescription: TECHNICAL PRO 8 INCH PORTABLE 10
Packaging: Tape & Box (TB)
Accessory Type: Bluetooth Speaker
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3917.97 грн
TPWCC16B-TC10MURATA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TPWDS-BBE-1Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
товар відсутній
TPWDS-BBE-1Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
товар відсутній
TPWDS-BBE-2Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
товар відсутній
TPWDS-BBE-2Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
товар відсутній
TPWDS-BBE-3Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
товар відсутній
TPWDS-BBE-3Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
товар відсутній
TPWDS-BBM-1Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
товар відсутній
TPWDS-BBM-1Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
товар відсутній
TPWDS-BBM-2Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
товар відсутній
TPWDS-BBM-2Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
товар відсутній
TPWDS-BBM-3Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
товар відсутній
TPWDS-BBM-3Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
товар відсутній
TPWDS-BSE-1Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
товар відсутній
TPWDS-BSE-1Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
товар відсутній
TPWDS-BSE-2Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
товар відсутній
TPWDS-BSE-2Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
товар відсутній
TPWDS-BSE-3Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
товар відсутній
TPWDS-BSE-3Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
товар відсутній
TPWDS-BSM-1Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
товар відсутній
TPWDS-BSM-1Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
товар відсутній
TPWDS-BSM-2Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
товар відсутній
TPWDS-BSM-2Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
товар відсутній
TPWDS-BSM-3Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
товар відсутній
TPWDS-BSM-3Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
товар відсутній
TPWDS-SSE-1Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
товар відсутній
TPWDS-SSE-1Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
товар відсутній
TPWDS-SSE-2Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
товар відсутній
TPWDS-SSE-2Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
товар відсутній
TPWDS-SSE-3Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
товар відсутній
TPWDS-SSE-3Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
товар відсутній
TPWDS-SSM-1Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
товар відсутній
TPWDS-SSM-1Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
товар відсутній
TPWDS-SSM-2Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
товар відсутній
TPWDS-SSM-2Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
товар відсутній
TPWDS-SSM-3Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
товар відсутній
TPWDS-SSM-3Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
товар відсутній
TPWE066DKHN-T6Sullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGE AGP DUAL 1MM 132 POS
товар відсутній
TPWE066DKHN-TUGPSullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGE U-AGP DUAL 1MM 132 POS
товар відсутній
TPWE090DKHN-TAGPSullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGE U-AGP DUAL 1MM 180 POS
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TPWE121DKRN-T621Sullins Connector SolutionsDescription: CONN CPU SLOT 1 FEMALE 242POS
Packaging: Tray
Features: Card Extender
Gender: Female
Contact Finish: Gold
Color: Brown
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 242
Pitch: 0.039" (1.00mm)
Operating Temperature: -55°C ~ 85°C
Read Out: Dual
Contact Type: Cantilever
Card Type: CPU - Slot 1
Card Thickness: 0.063" (1.60mm)
Termination: Solder
Contact Finish Thickness: 5.00µin (0.127µm)
Contact Material: Phosphor Bronze
Number of Positions/Bay/Row: 73; 48
Number of Rows: 2
товар відсутній
TPWF18LTechnical ProDescription: TECHNICAL PRO 1000 WATTS 18 INCH
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8167.46 грн
TPWF18L-2Technical ProDescription: (QTY 2) TECHNICAL PRO 18" 1000 W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15898.37 грн
TPWJB12PKGTechnical ProDescription: TECHNICAL PRO RECHARGEABLE 12 IN
Packaging: Tape & Box (TB)
Accessory Type: Bluetooth Speaker
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7836.72 грн
TPWM1352Technical ProDescription: TECHNICAL PRO PROFESSIONAL UHF D
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TPWM1641Technical ProDescription: MIC ANLG CARDIOID 19"LX9.500"W
Packaging: Tape & Box (TB)
Output Type: Analog
Size / Dimension: 19.000" L x 9.500" W (482.60mm x 241.30mm)
Termination: Solder Pads
Direction: Cardioid
Port Location: Bottom
Height (Max): 1.750" (44.45mm)
Frequency Range: 40 Hz ~ 20 kHz
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19592.97 грн
TPWM241Technical ProDescription: TECHNICAL PRO DUAL WIRELESS MICR
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4534.78 грн
TPWPH15Technical ProDescription: TECHNICAL PRO 15 WATTS LIGHTWEIG
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1591.8 грн
TPWR001Microchip TechnologyEnergy Harvesting Development Kit For Wireless Sensors
товар відсутній
TPWR001Microchip TechnologyDescription: KIT DEV FOR WIRELESS SENSORS
товар відсутній
TPWR6003PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+99.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPWR6003PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 14806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.5 грн
10+ 180.23 грн
100+ 126.78 грн
500+ 97.51 грн
1000+ 90.6 грн
2000+ 89.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPWR6003PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 412A 8-Pin DSOP EP Advance T/R
товар відсутній
TPWR6003PL,L1QToshibaMOSFETs DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 45486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.85 грн
10+ 185.81 грн
25+ 152.88 грн
50+ 147.08 грн
100+ 121.72 грн
250+ 114.48 грн
500+ 100.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPWR6003PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 412A 8-Pin DSOP Advance Tube
товар відсутній
TPWR6003PLL1Q(MToshibaMOSFETs
товар відсутній
TPWR7904PB,L1XHQToshibaMOSFETs 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.93 грн
10+ 179.97 грн
100+ 124.62 грн
250+ 121 грн
500+ 105.78 грн
1000+ 84.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPWR7904PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPWR7904PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
на замовлення 14980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.85 грн
10+ 162.87 грн
100+ 113.94 грн
500+ 87.25 грн
1000+ 80.92 грн
2000+ 78.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPWR8004PLToshibaArray
товар відсутній
TPWR8004PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
на замовлення 9997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.96 грн
10+ 171.85 грн
100+ 120.73 грн
500+ 92.76 грн
1000+ 86.15 грн
2000+ 84.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPWR8004PL,L1QToshibaMOSFETs N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP
на замовлення 14029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.3 грн
10+ 174.14 грн
25+ 149.25 грн
100+ 118.1 грн
250+ 115.2 грн
500+ 98.54 грн
1000+ 93.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPWR8004PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+141.78 грн
95+ 130.27 грн
97+ 127.78 грн
107+ 111.36 грн
250+ 85.17 грн
Мінімальне замовлення: 87
TPWR8004PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+93.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPWR8004PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+131.65 грн
10+ 120.97 грн
25+ 118.66 грн
100+ 103.41 грн
250+ 79.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
TPWR8004PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
товар відсутній
TPWR8004PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
товар відсутній
TPWR8004PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00065 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00065ohm
на замовлення 6824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+146.3 грн
500+ 121.51 грн
1000+ 90.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
TPWR8004PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance T/R
на замовлення 4808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+380.97 грн
51+ 242.71 грн
63+ 196.63 грн
100+ 177.75 грн
500+ 145.39 грн
1000+ 129.91 грн
2000+ 126.4 грн
Мінімальне замовлення: 33
TPWR8004PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00065 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00065ohm
на замовлення 6824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.83 грн
10+ 181.25 грн
100+ 146.3 грн
500+ 121.51 грн
1000+ 90.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPWR8004PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance T/R
товар відсутній
TPWR8004PLL1Q(MToshibaMOSFETs
товар відсутній
TPWR8503NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
на замовлення 4914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.34 грн
10+ 111.02 грн
100+ 77.37 грн
500+ 72.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPWR8503NL,L1QToshibaMOSFET N-CH Mosfet 30V 150A 8DSOP
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.87 грн
10+ 165.81 грн
100+ 115.2 грн
250+ 109.4 грн
500+ 97.81 грн
1000+ 78.97 грн
5000+ 78.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPWR8503NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
товар відсутній
TPWR8503NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 300A 8-Pin DSOP Advance T/R
товар відсутній
TPWR8503NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPWR8503NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 0.00072 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.82 грн
10+ 186.94 грн
25+ 151.99 грн
100+ 118.49 грн
500+ 93.35 грн
1000+ 87.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPWR8503NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPWR8503NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 0.00072 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.82 грн
10+ 186.94 грн
25+ 151.99 грн
100+ 118.49 грн
500+ 93.35 грн
1000+ 87.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPWRD5M50B02-A0
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)