Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPWR8503NL,L1Q
TPWR8503NL,L1Q

TPWR8503NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=15482&prodName=TPWR8503NL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
на замовлення 4914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+171.07 грн
10+ 107.7 грн
100+ 75.06 грн
500+ 70.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPWR8503NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-DSOP Advance, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPWR8503NL,L1Q за ціною від 75.91 грн до 196.8 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPWR8503NL,L1Q TPWR8503NL,L1Q Виробник : Toshiba TPWR8503NL_datasheet_en_20191030-1150180.pdf MOSFET N-CH Mosfet 30V 150A 8DSOP
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+196.8 грн
10+ 160.85 грн
100+ 111.75 грн
250+ 106.13 грн
500+ 94.89 грн
1000+ 76.61 грн
5000+ 75.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPWR8503NL,L1Q TPWR8503NL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15482&prodName=TPWR8503NL Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
товар відсутній