![TPW1500CNH,L1Q(M TPW1500CNH,L1Q(M](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/3870120-40.jpg)
TPW1500CNH,L1Q(M TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW1500CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.013 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: TOSHIBA - TPW1500CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.013 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 212 грн |
10+ | 156.8 грн |
100+ | 115.2 грн |
500+ | 98.8 грн |
1000+ | 89.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPW1500CNH,L1Q(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW1500CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.013 ohm, DSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: DSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції TPW1500CNH,L1Q(M за ціною від 108.71 грн до 215.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TPW1500CNH,L1Q(M | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
TPW1500CNH,L1Q(M | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
TPW1500CNH,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; Idm: 220A; 142W; DSOP8 Mounting: SMD Case: DSOP8 Power dissipation: 142W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 220A Drain-source voltage: 150V Drain current: 50A On-state resistance: 15.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
TPW1500CNH,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; Idm: 220A; 142W; DSOP8 Mounting: SMD Case: DSOP8 Power dissipation: 142W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 220A Drain-source voltage: 150V Drain current: 50A On-state resistance: 15.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |