Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPW1500CNH,L1Q
TPW1500CNH,L1Q

TPW1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

TPW1500CNH_datasheet_en_20191030.pdf?did=30112&prodName=TPW1500CNH Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+77.1 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPW1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-DSOP Advance, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V.

Інші пропозиції TPW1500CNH,L1Q за ціною від 69.67 грн до 237.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPW1500CNH,L1Q TPW1500CNH,L1Q Виробник : Toshiba TPW1500CNH_datasheet_en_20191030-1568552.pdf MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 18428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.18 грн
10+ 157.17 грн
100+ 109.34 грн
250+ 100.71 грн
500+ 92.07 грн
1000+ 74.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW1500CNH,L1Q TPW1500CNH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPW1500CNH_datasheet_en_20191030.pdf?did=30112&prodName=TPW1500CNH Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
на замовлення 7771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+237.33 грн
10+ 148.66 грн
100+ 103.44 грн
500+ 78.88 грн
1000+ 73.02 грн
2000+ 69.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW1500CNH,L1Q TPW1500CNH,L1Q Виробник : Toshiba tpw1500cnh_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin DSOP EP Advance T/R
товар відсутній