Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPWR6003PL,L1Q
TPWR6003PL,L1Q

TPWR6003PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

TPWR6003PL_datasheet_en_20191021.pdf?did=36851&prodName=TPWR6003PL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+98.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPWR6003PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-DSOP Advance, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPWR6003PL,L1Q за ціною від 88.95 грн до 282.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPWR6003PL,L1Q TPWR6003PL,L1Q Виробник : Toshiba TPWR6003PL_datasheet_en_20191021-2509568.pdf MOSFETs DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 45486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.23 грн
10+ 184.47 грн
25+ 151.78 грн
50+ 146.02 грн
100+ 120.85 грн
250+ 113.65 грн
500+ 99.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPWR6003PL,L1Q TPWR6003PL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPWR6003PL_datasheet_en_20191021.pdf?did=36851&prodName=TPWR6003PL Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 14806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+282.46 грн
10+ 178.93 грн
100+ 125.87 грн
500+ 96.81 грн
1000+ 89.95 грн
2000+ 88.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPWR6003PL,L1Q Виробник : Toshiba tpwr6003pl_datasheet_en_20191021.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 412A 8-Pin DSOP EP Advance T/R
товар відсутній