Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPW1R104PB,L1XHQ
TPW1R104PB,L1XHQ

TPW1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

TPW1R104PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=62007&prodName=TPW1R104PB Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+62.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPW1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-DSOP Advance, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TPW1R104PB,L1XHQ за ціною від 56.86 грн до 199.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPW1R104PB,L1XHQ TPW1R104PB,L1XHQ Виробник : Toshiba TPW1R104PB_datasheet_en_20200624-1858378.pdf MOSFETs 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 20333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+163.12 грн
10+ 133.85 грн
25+ 107.88 грн
50+ 100.78 грн
100+ 86.59 грн
250+ 80.2 грн
500+ 69.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPW1R104PB,L1XHQ TPW1R104PB,L1XHQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R104PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=62007&prodName=TPW1R104PB Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+199.61 грн
10+ 124.5 грн
100+ 86.05 грн
500+ 65.28 грн
1000+ 60.31 грн
2000+ 56.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW1R104PB,L1XHQ TPW1R104PB,L1XHQ Виробник : Toshiba tpw1r104pb_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 8-Pin DSOP Advance(WF)M T/R
товару немає в наявності