Продукція > TOSHIBA > TPW3R70APL,L1Q
TPW3R70APL,L1Q

TPW3R70APL,L1Q Toshiba

TPW3R70APL_datasheet_en_20191021-1568588.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 5299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+233.7 грн
10+ 170.55 грн
100+ 104.73 грн
500+ 85.75 грн
1000+ 79.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPW3R70APL,L1Q Toshiba

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-DSOP Advance, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V.

Інші пропозиції TPW3R70APL,L1Q за ціною від 73.88 грн до 244.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPW3R70APL,L1Q TPW3R70APL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPW3R70APL_datasheet_en_20191021.pdf?did=59527&prodName=TPW3R70APL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+244.82 грн
10+ 154.26 грн
100+ 107.73 грн
500+ 82.41 грн
1000+ 76.4 грн
2000+ 73.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW3R70APL,L1Q TPW3R70APL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPW3R70APL_datasheet_en_20191021.pdf?did=59527&prodName=TPW3R70APL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
товар відсутній