Продукція > TOSHIBA > TPW2900ENH,L1Q
TPW2900ENH,L1Q

TPW2900ENH,L1Q Toshiba

TPW2900ENH_datasheet_en_20191030-1568571.pdf Виробник: Toshiba
MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 5103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+218.94 грн
10+ 179.44 грн
100+ 124.41 грн
250+ 115.27 грн
500+ 104.02 грн
1000+ 99.1 грн
5000+ 84.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPW2900ENH,L1Q Toshiba

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-DSOP Advance, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V.

Інші пропозиції TPW2900ENH,L1Q за ціною від 76.09 грн до 250.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPW2900ENH,L1Q TPW2900ENH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPW2900ENH_datasheet_en_20191030.pdf?did=30357&prodName=TPW2900ENH Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+250.14 грн
10+ 157.85 грн
100+ 110.35 грн
500+ 84.5 грн
1000+ 78.36 грн
2000+ 76.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPW2900ENH,L1Q TPW2900ENH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPW2900ENH_datasheet_en_20191030.pdf?did=30357&prodName=TPW2900ENH Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
товар відсутній