TPW1R306PL,L1Q(M TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW1R306PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00095 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 950µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: TOSHIBA - TPW1R306PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00095 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 950µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 14837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 170.86 грн |
| 500+ | 135.09 грн |
| 1000+ | 125.49 грн |
| 5000+ | 121.37 грн |
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Технічний опис TPW1R306PL,L1Q(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW1R306PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00095 ohm, DSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 170W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: DSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 950µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції TPW1R306PL,L1Q(M за ціною від 121.37 грн до 314.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
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TPW1R306PL,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPW1R306PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00095 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 14837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPW1R306PL,L1Q(M | Виробник : Toshiba |
 Silicon N-Channel MOSFET |
товар відсутній |
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| TPW1R306PL,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 260A; Idm: 500A; 170W; DSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 260A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 170W Case: DSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
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| TPW1R306PL,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 260A; Idm: 500A; 170W; DSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 260A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 170W Case: DSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |