Продукція > SI4

Trans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4004DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

товару немає в наявності

SI4008BDY

на замовлення 570 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI400CF-021

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI400CF-022

на замовлення 998 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4010-B1-GS

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC
Packaging: Tube
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Verified

товару немає в наявності

SI4010-B1-GS

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4010-B1-GS

Crystal-SOC RF Transmitter

товару немає в наявності

SI4010-B1-GS

RF Microcontrollers - MCU SoC RF transmitter with 8051

товару немає в наявності

SI4010-B1-GSR

Crystal-SOC RF Transmitter

товару немає в наявності

SI4010-B1-GT

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4010-B1-GT

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Tube
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4010-C2

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4010-C2-AS

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товару немає в наявності

SI4010-C2-ASR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товару немає в наявності

SI4010-C2-AT

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Tube

товару немає в наявності

SI4010-C2-AT

RF Microcontrollers - MCU

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	302.22 грн
10+	267.7 грн
100+	212.2 грн
250+	203.69 грн
500+	186.65 грн
1000+	157.56 грн
2500+	149.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4010-C2-ATR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R Automotive AEC-Q100

товару немає в наявності

SI4010-C2-ATR

RF Microcontrollers - MCU

товару немає в наявності

SI4010-C2-ATR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R Automotive AEC-Q100

на замовлення 580000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	216.05 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C2-GS

SI4010-C2-GS SI4010
кількість в упаковці: 56 шт

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4010-C2-GS

8051 Sub-GHz RF Transmitter

товару немає в наявності

SI4010-C2-GS

RF Transmitter, 27-960MHz, 1.8?3.6V, -40?85°C SI4010-C2-GS Silicon Labs UISI4010c2gs
кількість в упаковці: 4 шт

на замовлення 56 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	418.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4010-C2-GS

на замовлення 6757 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	293.27 грн
10+	252.17 грн
56+	227 грн
112+	194.1 грн
280+	175.16 грн
504+	166.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4010-C2-GS

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	393.47 грн
38+	321.09 грн
100+	287.55 грн

Мінімальне замовлення: 31

SI4010-C2-GS

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 14-Pin SOIC Tube

товару немає в наявності

SI4010-C2-GS

8051 Sub-GHz RF Transmitter

товару немає в наявності

SI4010-C2-GS

RF System on a Chip - SoC 8051 Sub-GHz RF transmitter

на замовлення 2938 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	433.87 грн
10+	332.18 грн
100+	272.53 грн
250+	249.82 грн
500+	200.14 грн
1176+	189.49 грн
10584+	183.82 грн

SI4010-C2-GS

RF Transmitter, 27-960MHz, 1.8?3.6V, -40?85°C SI4010-C2-GS Silicon Labs UISI4010c2gs
кількість в упаковці: 4 шт

на замовлення 112 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	418.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4010-C2-GS

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4010-C2-GSR

SI4010-C2-GSR SI4010
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4010-C2-GSR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Verified

товару немає в наявності

SI4010-C2-GSR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 4940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	218.06 грн
10+	214.82 грн
25+	211.5 грн
100+	200.82 грн
250+	182.99 грн
500+	172.89 грн
1000+	170.05 грн
3000+	167.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4010-C2-GSR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 14-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

SI4010-C2-GSR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	191.34 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C2-GSR

RF System on a Chip - SoC SoC RF transmitter with 8051

на замовлення 2898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4010-C2-GSR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Verified

товару немає в наявності

SI4010-C2-GSR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 4940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	234.83 грн

Мінімальне замовлення: 52

SI4010-C2-GSR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	177.67 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C2-GT

8051 Sub-GHz RF Transmitter

товару немає в наявності

SI4010-C2-GT

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Strip
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	268.7 грн
10+	197.91 грн
25+	179.71 грн
100+	147.8 грн
250+	143.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4010-C2-GT

8051 Sub-GHz RF Transmitter

товару немає в наявності

SI4010-C2-GT

MSOP 10/I°/SOC RF TRANSMITTER WITH 8051 SI4010MSOP
кількість в упаковці: 50 шт

товару немає в наявності

SI4010-C2-GT

Crystal-SOC RF Transmitter

товару немає в наявності

SI4010-C2-GT

RF System on a Chip - SoC 8051 Sub-GHz RF transmitter

на замовлення 378 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	379.22 грн
10+	317.49 грн
100+	239.88 грн
250+	227.11 грн
500+	171.75 грн
1050+	166.78 грн
2100+	165.36 грн

SI4010-C2-GTR

Description: SILICON LABS - SI4010-C2-GTR - ZF-TRANSMITTER, 100KBPS, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 19.8A
Bauform - HF-IC: MSOP
Ausgangsleistung (dBm): 10dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: 5A992.c
Frequenz, min.: 27MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagentor- & Türöffner, Hausautomatisierung & Sicherheit, RKE-Systeme, drahtlose Fernsteuerung
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, OOK
Anzahl der Pins: 10Pins
Übertragungsrate: 100Kbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	132.39 грн
250+	126.25 грн
500+	124.88 грн
1000+	122.15 грн
2000+	118.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4010-C2-GTR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

63+	194.91 грн

Мінімальне замовлення: 63

SI4010-C2-GTR

MSOP 10/I°/SOC RF TRANSMITTER WITH 8051 SI4010MSOP
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4010-C2-GTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товару немає в наявності

SI4010-C2-GTR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 7364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	252.58 грн
10+	216.91 грн
25+	195.17 грн
100+	166.89 грн
250+	150.61 грн
500+	143.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4010-C2-GTR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

товару немає в наявності

SI4010-C2-GTR

на замовлення 2192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	241.23 грн
10+	190.28 грн
25+	175.95 грн
50+	150.08 грн
100+	132.39 грн
250+	126.25 грн
500+	124.88 грн
1000+	122.15 грн
2000+	118.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4010-C2-GTR

RF System on a Chip - SoC SoC RF transmitter with 8051

на замовлення 2219 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	275.72 грн
10+	235.87 грн
100+	194.46 грн
250+	183.11 грн
500+	173.17 грн
1000+	158.98 грн
2500+	158.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4010-C2-GTR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	180.99 грн
10+	172.7 грн
25+	170.96 грн
100+	162.97 грн
250+	150.63 грн
500+	144.28 грн
1000+	143.96 грн
3000+	143.7 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4010-C2-GTR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: 8051 MCU Core, Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Memory Size: 4kB RAM
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Garage Openers, RKE, Security Alarms
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	158.6 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C2-GTR

8051 Sub-GHz RF Transmitter

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	189.23 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C2001AT

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товару немає в наявності

SI4010-C2001ATR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товару немає в наявності

SI4010-C2002AT

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товару немає в наявності

SI4010-C2002ATR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товару немає в наявності

SI4010-C2002GS

Description: 8B WIRELESS MCU
Packaging: Strip
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4010-C2003AT

Crystal-Less SOC RF Transmitter

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	170.89 грн
75+	164.32 грн

Мінімальне замовлення: 72

SI4010-C2003AT

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

на замовлення 48 шт:

термін постачання 70-79 дні (днів)

2+	274.9 грн
10+	244.04 грн
100+	179.56 грн
250+	172.46 грн
500+	157.56 грн
1000+	137.68 грн
2500+	132.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4010-C2003AT

Crystal-Less SOC RF Transmitter

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	158.68 грн
10+	152.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4010-C2003ATR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товару немає в наявності

SI4010-C2003ATR

High Performance RF Transmitter

товару немає в наявності

SI4010-C2004AT

Crystal-Less SOC RF Transmitter

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4010-C2004AT

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товару немає в наявності

SI4010-C2004AT

Crystal-Less SOC RF Transmitter

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	158.68 грн
10+	152.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4010-C2004ATR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	306.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C2004ATR

RF Microcontrollers - MCU 8b Wireless MCU AEC-Q100

товару немає в наявності

SI4010-C2004ATR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	164.41 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C2004ATR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	208.95 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4010-C200FGT

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP Tube

товару немає в наявності

SI4010-C200FGT

Description: EZRADIO TX SUBG 8051 SOC

товару немає в наявності

SI4010-C200FGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товару немає в наявності

SI4010-C200RGT

Description: 8B WIRELESS MCU
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	265.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4010-C200RGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

на замовлення 2487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	107.05 грн
116+	105.42 грн
118+	103.78 грн
120+	98.5 грн
250+	89.74 грн
500+	84.75 грн
1000+	83.35 грн

Мінімальне замовлення: 114

SI4010-C200RGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

на замовлення 2487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	99.41 грн
10+	97.89 грн
25+	96.37 грн
100+	91.46 грн
250+	83.33 грн
500+	78.7 грн
1000+	77.4 грн

Мінімальне замовлення: 7

SI4010-C200RGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товару немає в наявності

SI4010-C200YGTR

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товару немає в наявності

SI4010-C2012GT

RF Transmitter FSK/OOK 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товару немає в наявності

SI4010-C2020GTR

SI4010-C2020GTR

товару немає в наявності

SI4010-C2020GTR

Silicon Laboratories

товару немає в наявності

SI4010-C2024GTR

SI4010-C2024GTR

товару немає в наявності

SI4010-C2025GT

SI4010-C2025GT

товару немає в наявності

SI4010-C2M0RGS

ONLY FOR CUSTOMER CAME (CUSTOM)

товару немає в наявності

SI4010-C2M0RGSR

ONLY FOR CUSTOMER CAME (CUSTOM)

товару немає в наявності

SI4010-C2M0SGS

SoC RF transmitter with 8051 - CUSTOM CAME

товару немає в наявності

SI4010-C2M0SGSR

SoC RF transmitter with 8051 - CUSTOM CAME

товару немає в наявності

SI4010-C2M20GTR

SI4010-C2M20GTR

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	190.37 грн
10+	187.25 грн
25+	184.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4010-C2M20GTR

SI4010-C2M20GTR

товару немає в наявності

SI4010-C2M20GTR

SI4010-C2M20GTR

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4010-C2X-GS

SI4010-C2X-GS

товару немає в наявності

SI4010DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

товару немає в наявності

SI4010DY-T1-GE3

MOSFET N-Channel 30V

на замовлення 5649 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4010DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

товару немає в наявності

SI4011-C1001GT

0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051

товару немає в наявності

SI4011-C1001GTR

0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	173.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4011-C1002GT

0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051

товару немає в наявності

SI4011-C100GGTR

0M SOC RF TRANSMITT.WITH 8051

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4011-C100JGTR

SI4011-C100JGTR SI4011
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4011-C100MGTR

SI4011-C100MGTR SI4011
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

SI4011-C100NGTR

SI4011-C100NGTR SI4011
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

SI4011-C2-GT

Description: IC TRANSMITTER EZRADIO 10MSOP

товару немає в наявності

SI4011-CA-GT

SI4011-CA-GT

товару немає в наявності

SI4011-CC-GT

Description: IC TRANSMITTER 10MSOP

товару немає в наявності

SI4011-CC-GTR

Description: IC TRANSMITTER 10MSOP

товару немає в наявності

SI4012-A0-GT

SI4012-A0-GT SI4012
кількість в упаковці: 50 шт

товару немає в наявності

SI4012-A0-GT

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP

товару немає в наявності

SI4012-A0-GTR

RF Transmitter

товару немає в наявності

SI4012-B1-GT

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4012-C1001GT

RF Transmitter 100KBd 3.3V 10-Pin MSOP Tube

товару немає в наявності

SI4012-C1001GT

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Strip
Features: Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 866 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	248.74 грн
10+	182.31 грн
25+	164.95 грн
100+	134.85 грн
250+	124.29 грн
500+	117.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4012-C1001GT

RF Transmitter 8051 Sub-GHz RF transmitter

на замовлення 605 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.29 грн
10+	195.06 грн
100+	150.46 грн
250+	139.81 грн
500+	105.75 грн
1050+	105.04 грн
2100+	97.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4012-C1001GT

Description: SILICON LABS - SI4012-C1001GT - ZF-Sender, 27MHz bis 960MHz, FSK, OOK, 100kBaud, 10dBm, 1.8V bis 3.6V, MSOP-10
Übertragungsstrom: 19.8
Bauform - HF-IC: MSOP
Ausgangsleistung (dBm): 10
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Frequenz, min.: 27
Anwendungen HF-Sender: Hausautomatisierung / Industrieautomation, Fernsteuerung
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.8
Empfindlichkeit (dBm): -
HF/IF-Modulation: FSK, OOK
Anzahl der Pins: 10
Übertragungsrate: 100
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Frequenz, max.: 960
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: To Be Advised

товару немає в наявності

SI4012-C1001GT

MSOP 10/–40 TO 85 OC/27-960 MHZ RF TRANSMITTER SI4012
кількість в упаковці: 50 шт

товару немає в наявності

SI4012-C1001GTR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Crystal-less Operation
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	104.67 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4012-C1001GTR

RF Transmitter 8051 Sub-GHz RF transmitter

на замовлення 7848 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.67 грн
10+	205.68 грн
100+	146.2 грн
250+	139.1 грн
500+	124.91 грн
1000+	105.04 грн
2500+	99.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4012-C1001GTR

Description: SILICON LABS - SI4012-C1001GTR - HF-Transmitter, 27 bis 960MHz, FSK/OOK, 10dBm Out, 100kBaud, 1.8 bis 3.6V, MSOP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 19.8mA
Bauform - HF-IC: MSOP
Ausgangsleistung (dBm): 10dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 27MHz
Anwendungen HF-Sender: Hausautomatisierung / Industrieautomation, Fernsteuerung
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, OOK
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Übertragungsrate: 100Kbaud
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1837 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	251.58 грн
10+	200.63 грн
25+	188.69 грн
50+	163.38 грн
100+	140.58 грн
250+	133.75 грн
500+	120.11 грн
1000+	101 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4012-C1001GTR

MSOP 10/–40 TO 85 OC/27-960 MHZ RF TRANSMITTER SI4012
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4012-C1001GTR

Description: RF TX IC FSK 27-960MHZ 10TFSOP
Features: Crystal-less Operation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 27MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Home Automation, Remote Sensing, RKE
Data Rate (Max): 100kBaud
Current - Transmitting: 19.8mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 10-MSOP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 4465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	220.34 грн
10+	189.48 грн
25+	170.51 грн
100+	145.8 грн
250+	131.57 грн
500+	118.06 грн
1000+	97.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4012-C1001GTR

RF Transmitter 100KBd 3.3V 10-Pin MSOP T/R

товару немає в наявності

SI4018

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; Thk: 0.18mm; 900mW/mK; -60÷220°C; 4kV
Operating temperature: -60...220°C
Material: glass fiber reinforced silicone
Thickness: 0.18mm
Type of heat transfer pad: silicone
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Dielectric strength: 4kV
Dimensions: 200x200mm
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	4767.37 грн

SI4018

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	3972.81 грн

SI4018-S

на замовлення 8 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1972.87 грн
2+	1798.31 грн

SI4018-S

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1644.06 грн
2+	1443.09 грн

SI4020

на замовлення 2350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4020-I1-FT

Description: RF TX IC FSK 315/433MHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 3dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 14mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4020-I1-FT

TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO) SI4020
кількість в упаковці: 96 шт

товару немає в наявності

SI4020-I1-FTR

TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO)(NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS; SUGGESTE SI4020TSSOP
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

SI4020-I1-FTR

Description: IC TX FSK 915MHZ 5.4V 16-TSSOP

товару немає в наявності

SI4021

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4021-A1-FT

Description: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 8dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 512kbps
Current - Transmitting: 24mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4021-A1-FT

SI4021-A1-FT SI4021
кількість в упаковці: 96 шт

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4021-A1-FT

RF Transmitter TX SubG

товару немає в наявності

SI4021-A1-FTR

TSSOP 16/TRANSMITTER -EZRadio - UNIVERSAL ISM BAND FSK IA4221 SI4021
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

SI4021-A1-FTR

RF Transmitter TX SubG

товару немає в наявності

SI4021-A1-FTR

Description: RF TX IC FSK 433/868MHZ 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 433MHz, 868MHz, 915MHz
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 8dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 512kbps
Current - Transmitting: 24mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 16-TSSOP
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4021A1FTR

на замовлення 2430 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4022-A0-FT

SI4022-A0-FT SI4022
кількість в упаковці: 96 шт

товару немає в наявності

SI4022-A0-FT

Description: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP

товару немає в наявності

SI4022-A0-FTR

RF Transmitter TX SubG

товару немає в наявності

SI4022-A0-FTR

Description: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP

товару немає в наявності

SI4022-A0-FTR

TSSOP 16/I°/TRANSMITTER (EZRADIO) SI4022
кількість в упаковці: 2000 шт

товару немає в наявності

SI4022-A1-FT

RF Transmitter FSK 3.3V 16-Pin TSSOP

товару немає в наявності

SI4022-A1-FT

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4022-A1-FT

Description: RF TX IC FSK 868/915MHZ 16TSSOP

товару немає в наявності

SI4023-S

SI4023-S Heatsinks - equipment

товару немає в наявності

SI4030-A0-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (100mW)
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 28mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4030-A0-FMR

RF Transmitter TX SubG +13 dBm

товару немає в наявності

SI4030-A0-FMR

Description: RF TX ISM FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4030-B1-FM

RF Transmitter TX SubG +13 dBm

товару немає в наявності

SI4030-B1-FM

TX SubG +13dBm

товару немає в наявності

SI4030-B1-FM

Description: RF TX IC FSK 900-960MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4030-B1-FM

ISM Transmitter 256Kbps 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

SI4030-B1-FMR

Description: RF TX IC FSK 900-960MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4030-B1-FMR

ISM Transmitter 256Kbps 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

SI4030-B1-FMR

QFN 20/I°/+13DBM SI4430 EZRADIOPRO TRANSMITTER (REV B1) SI4030
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4030-B1-FMR

RF Transmitter TX SubG +13 dBm

товару немає в наявності

SI4031

на замовлення 5500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4031-A0-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 28mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4031-B1-FM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

SI4031-B1-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4031-B1-FM

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

товару немає в наявності

SI4031-B1-FM

QFN 20/I°/+13dBm Si4431 EZRadioPRO® Transmitter (rev B1) SI4031
кількість в упаковці: 91 шт

товару немає в наявності

SI4031-B1-FMR

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

товару немає в наявності

SI4031-B1-FMR

QFN 20/I°/+13dBm Si4431 EZRadioPRO® Transmitter (rev B1) SI4031
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4031-B1-FMR

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

SI4031-B1-FMR

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4031-B1-FMR

+13 dBm Sub-GHz Transmitter

товару немає в наявності

SI4032-B1-FM

QFN 20/I°/+20DBM SI4432 EZRADIOPRO® TRANSMITTER (REV B1) SI4032
кількість в упаковці: 91 шт

товару немає в наявності

SI4032-B1-FM

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

товару немає в наявності

SI4032-B1-FM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

SI4032-B1-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4032-B1-FM

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

товару немає в наявності

SI4032-B1-FM

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

товару немає в наявності

SI4032-B1-FM

Description: SILICON LABS - SI4032-B1-FM - ZF-Sender, 240MHz bis 930MHz, FSK, GFSK, OOK, 256kB/s, 20dBm, 1.8V bis 3.6V, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 240MHz
Anwendungen HF-Sender: Automatische Zählerauslesung, Haustechnik, Telemetrie mit geringer Leistungsaufnahme, drahtlose Alarm-/Sicherheitsanlagen
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 3410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	603.48 грн
10+	528.65 грн
25+	437.09 грн
50+	364.47 грн
100+	309.82 грн
250+	289.35 грн
500+	276.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4032-B1-FMR

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 30mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4032-B1-FMR

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

товару немає в наявності

SI4032-B1-FMR

QFN 20/I°/+20DBM SI4432 EZRADIOPRO® TRANSMITTER (REV B1) SI4032QFN+Q221
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4032-B1-FMR

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

товару немає в наявності

SI4032-B1-FMR

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

SI4032-V2-FM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tube

товару немає в наявності

SI4032-V2-FM

Description: RF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Modulation or Protocol: FSK, GFSK, OOK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (100mW)
Data Rate (Max): 128kbps
Current - Transmitting: 80mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4032-V2-FMR

товару немає в наявності

SI4032-V2-FMR

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

товару немає в наявності

SI4033-B2-FM

SI4033-B2-FM

товару немає в наявності

SI4033-B2-FMR

SI4033B2-FMR EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4033
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4033-B2-FMR

SI4033-B2-FMR

товару немає в наявності

SI4038DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 42.5A 8-Pin SOIC N

товару немає в наявності

SI4038DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 42.5A 8-Pin SOIC N

товару немає в наявності

SI4038DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 42.5A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 87nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42.5A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

SI4038DY-T1-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SI4154DY-GE3

товару немає в наявності

SI4038DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V

товару немає в наявності

SI4038DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4070 pF @ 20 V

товару немає в наявності

SI4038DY-T1-GE3

товару немає в наявності

SI4048DY-T1-E3

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4048DY-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

на замовлення 2875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4048DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V

товару немає в наявності

SI4048DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V

товару немає в наявності

SI4048DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4055-B1A-FM

Easy-to-use, low current, sub-GHz EZRadio transceiver

товару немає в наявності

SI4055-B1A-FM

RF Transceiver Sub-GHz transmitter

на замовлення 485 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4055-B1A-FMR

RF Transceiver Sub-GHz transmitter

товару немає в наявності

SI4055-B1A-ZMR

SI4055-B1A-ZMR SI4055
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

SI4055-C2A-AM

RF Transceiver Transceiver AEC-Q100

товару немає в наявності

SI4055-C2A-AMR

RF Transceiver Transceiver AEC-Q100

товару немає в наявності

SI4055-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

SI4055-C2A-GM

Description: RF TX IC FSK 284-960MHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 284MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64KB
Modulation or Protocol: FSK, OOK
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 500kbps
Supplier Device Package: 20-QFN (3x3)
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4055-C2A-GM

Description: SILICON LABS - SI4055-C2A-GM - HF-Sender, 284MHz bis 960MHz, 13dBm out, 1.8V bis 3.6V, QFN-EP, 20 Pins
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 24mA
Bauform - HF-IC: QFN-EP
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 284MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagen- & Toröffner, Hausautomatisierung, Sicherheits-/Alarmanlagen, industrielle Steuerung/Fernsteuerung, Telemetrie
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -116dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 500Kbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 960MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	142.51 грн
10+	136.94 грн
25+	131.37 грн
50+	117.55 грн
100+	103.73 грн
250+	98.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4055-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

SI4055-C2A-GM

RF Transceiver Sub-GHz Transmitter

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	261.65 грн
10+	227.71 грн
100+	184.53 грн
250+	174.59 грн
500+	151.88 грн
1000+	151.17 грн
2450+	142.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4055-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

SI4055-C2A-GMR

RF Transceiver Sub-GHz transmitter

товару немає в наявності

SI4055-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

SI4056ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R

товару немає в наявності

SI4056ADY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 6146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	59.31 грн
50+	48.49 грн
100+	37.66 грн
500+	29.28 грн
1000+	23 грн

Мінімальне замовлення: 14

SI4056ADY-T1-GE3

MOSFETs SOT669 100V 8.3A N-CH MOSFET

на замовлення 135607 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.67 грн
10+	50.52 грн
100+	30.45 грн
500+	24.27 грн
1000+	22.29 грн
2500+	20.44 грн
5000+	19.66 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4056ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R

товару немає в наявності

SI4056ADY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

на замовлення 21026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.88 грн
10+	50.49 грн
100+	34.94 грн
500+	27.4 грн
1000+	23.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4056ADY-T1-GE3

SI4056ADY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SI4056ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	60.71 грн
12+	51.64 грн
25+	51.09 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI4056ADY-T1-GE3

на замовлення 6146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.66 грн
500+	29.28 грн
1000+	23 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4056ADY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.2mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.98 грн
5000+	20.96 грн
12500+	19.41 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4056DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V

товару немає в наявності

SI4056DY-T1-GE3

SI4056DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SI4056DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	64.6 грн
11+	55.19 грн
25+	54.16 грн
100+	39.55 грн
250+	36.25 грн
500+	29.66 грн
1000+	22.24 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI4056DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4056DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.1 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 15097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.72 грн
500+	34.75 грн
1000+	27.43 грн
5000+	22.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4056DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V

товару немає в наявності

SI4056DY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SI4058DY-T1-GE3

на замовлення 28033 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.99 грн
10+	56.81 грн
100+	34.49 грн
500+	28.81 грн
1000+	27.82 грн
5000+	27.32 грн
10000+	25.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4056DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.78 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4056DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4056DY-T1-GE3

на замовлення 15097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	77.31 грн
14+	61.06 грн
100+	41.72 грн
500+	34.75 грн
1000+	27.43 грн
5000+	22.72 грн

Мінімальне замовлення: 11

SI4058DY-T1-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

SI4058DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 5.6W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.46 грн
500+	22.84 грн
1000+	20.75 грн
2500+	20.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

Si4058DY-T1-GE3

Description: Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Base Part Number: SI4058
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 50V
Vgs (Max): ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA

товару немає в наявності

Si4058DY-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 633 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4058DY-T1-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

SI4058DY-T1-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

SI4058DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0217ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	43.47 грн
21+	38.37 грн
100+	29.46 грн
500+	22.84 грн
1000+	20.75 грн
2500+	20.47 грн

Мінімальне замовлення: 19

SI4058DY-T1-GE3
Код товару: 182910

товару немає в наявності

Si4058DY-T1-GE3

Description: Description: Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
Base Part Number: SI4058
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 5.6W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 50V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id

товару немає в наявності

Si4058DY-T1-GE3

SI4058DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SI4060-B0B-FM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN

товару немає в наявності

SI4060-B0B-FM

QFN 20/I°/TX SI4060QFN
кількість в упаковці: 75 шт

товару немає в наявності

SI4060-B0B-FMR

QFN 20/-40 TO 85 OC/TX SI4060
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4060-B0B-FMR

SI4060-B0B-FMR

товару немає в наявності

SI4060-B1B-FM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 1796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	413.03 грн
10+	304.66 грн
25+	276.82 грн
80+	232.5 грн
230+	212.48 грн
490+	200.51 грн
980+	187.9 грн

SI4060-B1B-FM

+13 dBm Sub-GHz Transmitter

товару немає в наявності

SI4060-B1B-FM

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

SI4060-B1B-FM

QFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060
кількість в упаковці: 75 шт

товару немає в наявності

SI4060-B1B-FM

+13 dBm Sub-GHz Transmitter

товару немає в наявності

SI4060-B1B-FM

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

товару немає в наявності

SI4060-B1B-FMR

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

SI4060-B1B-FMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	189.46 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4060-B1B-FMR

QFN 20/-40 TO 85 OC/+13DBM SI4060 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4060
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4060-B1B-FMR

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	207 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4060-B1B-FMR

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

товару немає в наявності

SI4060-B1B-FMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 7504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	398.45 грн

SI4060-B1B-FMR

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

SI4060-B1B-FMR

+13 dBm Sub-GHz Transmitter

товару немає в наявності

SI4060-C2A-AM

RF Transmitter Transceiver AEC-Q100

товару немає в наявності

SI4060-C2A-AMR

RF Transmitter Transceiver AEC-Q100

товару немає в наявності

SI4060-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

SI4060-C2A-GM

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

на замовлення 336 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	413.17 грн
10+	315.86 грн
100+	247.69 грн
250+	222.14 грн
500+	188.07 грн
1000+	187.36 грн
2450+	177.43 грн

SI4060-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	123.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4060-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

SI4060-C2A-GM

Description: SILICON LABS - SI4060-C2A-GM - ZF-Sender, 142MHz bis 1.05GHz, 4(G)FSK,MSK, OOK, 1MB/s, 24mA, 13dBm Ausgang, 1.8V bis 3.8V, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 24mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 142MHz
Anwendungen HF-Sender: Garagentor-/Türöffner, Sicherheits-/Alarmanlagen, Systemüberwachung, Hausautomatisierung, RKE-System
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.8V
Frequenz, max.: 1.05GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	441.87 грн
10+	308.91 грн
25+	285.82 грн
50+	243.96 грн
100+	203.36 грн
250+	182.89 грн
500+	154.23 грн
1000+	153.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4060-C2A-GM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 12.5dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 2362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	402.29 грн
10+	346.43 грн
25+	311.8 грн
80+	266.62 грн
230+	240.61 грн
490+	215.9 грн
980+	179.1 грн

SI4060-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

SI4060-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

SI4060-C2A-GMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN

товару немає в наявності

SI4060-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

SI4060-C2A-GMR

RF Transmitter +13 dBm sub-GHz transmitter

на замовлення 6807 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	366.8 грн
10+	328.1 грн
100+	239.17 грн
250+	227.82 грн
500+	207.95 грн
1000+	192.33 грн
2500+	172.46 грн

SI4062DY

MOSFETs

товару немає в наявності

SI4062DY-T1-GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 6097 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)

3+	127.51 грн
10+	103.65 грн
100+	69.98 грн
500+	59.26 грн
1000+	52.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4062DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4062DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4062DY-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 32.1A, 150DEG C, 7.8W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

на замовлення 2866 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	136.14 грн
10+	112.26 грн
25+	104.3 грн
50+	89.45 грн
100+	75.07 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4062DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4062DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V

товару немає в наявності

SI4062DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4062DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25.7A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

SI4062DY-T1-GE3

товару немає в наявності

SI4062DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V

товару немає в наявності

SI4063-B0B-FM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4063-B0B-FM

QFN 20/I°/TX SI4063
кількість в упаковці: 75 шт

товару немає в наявності

SI4063-B0B-FMR

QFN 20/I°/TX SI4063
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4063-B0B-FMR

SI4063-B0B-FMR

товару немає в наявності

SI4063-B1B-FM

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

товару немає в наявності

SI4063-B1B-FM
Код товару: 170485

Модульні елементи > Радіомодулі

товару немає в наявності

SI4063-B1B-FM

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

SI4063-B1B-FM

QFN 20/I°/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO TRANSMITTER SI4063QFN
кількість в упаковці: 75 шт

товару немає в наявності

SI4063-B1B-FM

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

товару немає в наявності

SI4063-B1B-FM

товару немає в наявності

SI4063-B1B-FMR

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

товару немає в наявності

SI4063-B1B-FMR

QFN 20/-40 TO 85 OC/+20DBM SI4063 EZRADIOPRO® TRANSMITTER SI4063
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4063-B1B-FMR

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

на замовлення 7347 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	371.77 грн
10+	294.64 грн
100+	233.5 грн
250+	210.79 грн
500+	208.66 грн

SI4063-B1B-FMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	209.46 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4063-B1B-FMR

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	117.92 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4063-B1B-FMR

+20 dBm Sub-GHz Transmitter

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	126.99 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4063-B1B-FMR

RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

SI4063-B1B-FMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 85mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 14883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	333.19 грн
10+	286.4 грн
25+	257.77 грн
100+	220.4 грн
250+	198.9 грн
500+	189.29 грн

SI4063-C2A-AM

RF Transmitter Transceiver AEC-Q100

товару немає в наявності

SI4063-C2A-AMR

RF Transmitter Transceiver AEC-Q100

товару немає в наявності

SI4063-C2A-GM

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	539.86 грн
10+	444 грн
100+	300.21 грн
250+	268.98 грн
500+	227.11 грн
1000+	223.56 грн
2450+	217.88 грн

SI4063-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

SI4063-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

товару немає в наявності

SI4063-C2A-GM

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	522.05 грн
10+	449.12 грн
25+	404.21 грн
80+	345.61 грн

SI4063-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

на замовлення 438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4063-C2A-GM

Description: SILICON LABS - SI4063-C2A-GM - HF-Transmitter, 142MHZ bis 1.05GHz, 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK, 1Mbit/s, 1.8 bis 3.6V, QFN-EP-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 68.5mA
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 142MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.05GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2429 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	567.66 грн
10+	447.44 грн
25+	410.82 грн
50+	346.72 грн
100+	288.66 грн
250+	258.64 грн
500+	218.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4063-C2A-GM

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray

на замовлення 438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

83+	146.87 грн

Мінімальне замовлення: 83

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

SI4063-C2A-GMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

46+	268.75 грн

Мінімальне замовлення: 46

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter +20 dBm sub-GHz transmitter

на замовлення 2234 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	285.66 грн
10+	252.2 грн
100+	208.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4063-C2A-GMR

Description: RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Modulation or Protocol: 802.15.4
Data Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm
Applications: General Purpose
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 89mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	249.55 грн
10+	232.45 грн
25+	230.11 грн
100+	202.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4063-C2A-GMR

RF Transmitter FSK/GFSK/GMSK/MSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	547.88 грн
26+	485.81 грн
28+	436.96 грн
100+	378.55 грн
250+	314.94 грн
500+	268.61 грн

Мінімальне замовлення: 23

SI407DNPLCC

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4090BDY-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 18.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 50 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	39.78 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4090BDY-T1-GE3

SI4090BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SI4090BDY-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 18.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 50 V

на замовлення 2611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.8 грн
10+	79.33 грн
100+	58.91 грн
500+	43.03 грн
1000+	39.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4090DY-T1-GE3

SI4090DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SI4090DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO

на замовлення 2962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4090DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4090DY-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 11899 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4090DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4090DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	37.67 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4090DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 19.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	103.85 грн
10+	88.4 грн
25+	82.6 грн
100+	61.75 грн
250+	56.61 грн
500+	47.09 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI40SL0116-70T

на замовлення 212 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI40SL0416-75T

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI41

IDEC

Enclosures, Boxes, & Cases METAL BOX/SCAT. P41/44

товару немає в наявності

SI410

01+ SOP

на замовлення 197 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4100DY-T1

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4100DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.01 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4100DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

на замовлення 29059 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.95 грн
10+	49.53 грн
100+	38.54 грн
500+	30.65 грн
1000+	30.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4100DY-T1-E3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 16317 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4100DY-T1-E3

SI4100DY-T1-E3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SI4100DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

на замовлення 27500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.55 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4100DY-T1-E3

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4100DY-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 7802 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.67 грн
10+	87.33 грн
100+	59.76 грн
500+	50.6 грн
1000+	39.96 грн
2500+	37.26 грн
5000+	36.2 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4100DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 6W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 3914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.08 грн
500+	51.97 грн
1000+	37.87 грн
2500+	36.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4100DY-T1-GE3

SI4100DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SI4100DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

134+	90.99 грн
135+	90.21 грн
140+	87.04 грн
171+	68.9 грн
250+	62.05 грн
500+	52.82 грн

Мінімальне замовлення: 134

SI4100DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm

на замовлення 3324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.89 грн
10+	83.6 грн
100+	60.91 грн
500+	47.02 грн
1000+	39.38 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4100DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

на замовлення 7295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.82 грн
10+	70.75 грн
100+	55.03 грн
500+	43.77 грн
1000+	35.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4100DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	98.31 грн
10+	84.5 грн
25+	83.76 грн
50+	77.93 грн
100+	59.24 грн
250+	55.31 грн
500+	49.05 грн

Мінімальне замовлення: 7

SI4100DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4100DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	37.14 грн
5000+	34.06 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4100DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	57.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4100DYT1E3

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4101

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4101DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.23 грн
5000+	21.19 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4101DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	66.86 грн
11+	59.44 грн
25+	58.3 грн
50+	55.66 грн
100+	39.72 грн
250+	37.76 грн
500+	29.4 грн
1000+	23.39 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI4101DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 13748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	75.95 грн
13+	63.85 грн
100+	45.14 грн
500+	33.12 грн
1000+	24.43 грн
2500+	24.36 грн
5000+	23.95 грн
10000+	23 грн

Мінімальне замовлення: 11

SI4101DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4101DY-T1-GE3

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 94291 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.99 грн
10+	51.75 грн
100+	28.03 грн
500+	24.56 грн
1000+	22.92 грн
2500+	21.36 грн
5000+	20.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4101DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 13748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.14 грн
500+	33.12 грн
1000+	24.43 грн
2500+	24.36 грн
5000+	23.95 грн
10000+	23 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4101DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V

на замовлення 12305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.42 грн
10+	51.01 грн
100+	35.32 грн
500+	27.69 грн
1000+	23.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4101DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 1372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

191+	64.01 грн
193+	63.28 грн
255+	46.2 грн
257+	42.35 грн
500+	31.66 грн
1000+	25.19 грн

Мінімальне замовлення: 191

SI4101DY-T1-GE3

SI4101DY-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

SI4102DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

товару немає в наявності

SI4102DY-T1-E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4102DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

на замовлення 2619 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4102DY-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 3318 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4102DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

на замовлення 2619 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4102DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

товару немає в наявності

SI4102DYT1E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4103DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO

на замовлення 4010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4103DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	26.59 грн
24+	25.24 грн
25+	25.08 грн
50+	23.86 грн
100+	19.91 грн
250+	18.79 грн
500+	17.85 грн
1000+	16.32 грн

Мінімальне замовлення: 23

SI4103DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4103DY-T1-GE3

SI4103DY-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

SI4103DY-T1-GE3

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 116201 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.97 грн
10+	46.11 грн
100+	29.38 грн
500+	24.56 грн
1000+	20.94 грн
2500+	18.52 грн
5000+	18.38 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4103DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	62.9 грн
16+	51.35 грн
100+	33.04 грн
500+	25.65 грн
1000+	20.81 грн
5000+	17.95 грн

Мінімальне замовлення: 13

SI4104DY-T1-E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4104DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

товару немає в наявності

SI4104DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

товару немає в наявності

SI4104DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

товару немає в наявності

SI4104DYT1E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4108DY-T1-E3

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4108DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 38 V

товару немає в наявності

SI4108DYT1E3

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI410A

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4110-KT

09+

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4110DY-T1-E3

PN may be NE

товару немає в наявності

SI4110DY-T1-E3

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4110DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

товару немає в наявності

SI4110DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

товару немає в наявності

SI4110DY-T1-GE3

на замовлення 124200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4110DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

товару немає в наявності

SI4110DYT1E3

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4110KT

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4112-BM

на замовлення 434 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4112-BM

Description: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP

товару немає в наявності

SI4112-BT

Description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

товару немає в наявності

SI4112-BT
Код товару: 47301

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

SI4112-BT

SILICONIX

0544

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4112-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT

на замовлення 1275 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	525.78 грн
10+	445.63 грн
25+	301.63 грн
100+	288.85 грн
250+	274.66 грн
490+	246.27 грн
980+	245.56 грн

SI4112-D-GM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	509.77 грн
10+	450.08 грн
25+	409.18 грн
80+	345.6 грн
230+	316.8 грн
490+	288 грн
980+	280.47 грн

SI4112-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT

на замовлення 975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4112-D-GM

MLP 28/I°/IF SYNTHESIZER IF ONLY, LEAD FREE SI4112
кількість в упаковці: 490 шт

товару немає в наявності

SI4112-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN

товару немає в наявності

SI4112-D-GMR

MLP 28/?I°/IF SYNTHESIZER IF ONLY, LEAD FREE SI4112
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4112-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	336.17 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4112-D-GMR

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 5218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	454.49 грн
10+	401.28 грн
25+	364.82 грн
100+	308.13 грн
250+	282.46 грн
500+	256.78 грн
1000+	227.31 грн

SI4112-D-GMR

Clock Generators & Support Products IF Synthesizer IF Only, lead free

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4112-D-GMR

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	246.26 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4112-D-GT

RF Synthesizer with IF OUs

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	289.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4112-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF Synthesizer with IF output

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4112-D-GT

RF Synthesizer with IF OUs

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	286.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4112-D-GT

SI4112
кількість в упаковці: 62 шт

товару немає в наявності

SI4112-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP

товару немає в наявності

SI4112-D-GT

RF Synthesizer with IF OUs

товару немає в наявності

SI4112-D-GT

Description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

на замовлення 7440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	475.99 грн
10+	419.91 грн
25+	381.77 грн
100+	322.43 грн
250+	295.56 грн
500+	268.7 грн

SI4112-D-GTR

TSSOP 24/I°/IF Synthesizer IF Only SI4112
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4112-D-GTR

Description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

товару немає в наявності

SI4112-D-GTR

RF Synthesizer with IF OUs

товару немає в наявності

SI4112-D-GTR

Clock Generators & Support Products IF Synthesizer IF Only, lead free

товару немає в наявності

SI4112-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4112

товару немає в наявності

SI4112-EVB

RF Development Tools IF Only Evaluation Board TSSOP

товару немає в наявності

SI4112-EVB

TSSOP/I°/IF ONLY EVALUATION BOARD-TSSOP SI4112
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

SI4112BT

на замовлення 235 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4112G-BM

на замовлення 88 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4112M-EVB

MLP/I°/IF ONLY EVALUATION BOARD SI4112
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

SI4112M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4112

товару немає в наявності

SI4112M-EVB

RF Development Tools IF Only Evaluation Board MLP

товару немає в наявності

SI4113-BMR

на замовлення 7280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4113-BT

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

товару немає в наявності

SI4113-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP

товару немає в наявності

SI4113-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN Tray

товару немає в наявності

SI4113-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2 output

на замовлення 289 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	753.48 грн
10+	670.89 грн
25+	556.42 грн
100+	483.32 грн
250+	461.31 грн
490+	406.67 грн
980+	383.96 грн

SI4113-D-GM

QFN 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS SI4113
кількість в упаковці: 490 шт

товару немає в наявності

SI4113-D-GM

Description: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4113-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN T/R

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	489.35 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4113-D-GMR

RF Wireless Misc Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only, lead free

товару немає в наявності

SI4113-D-GMR

MLP 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY SI4113
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4113-D-GMR

Description: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

товару немає в наявності

SI4113-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN T/R

товару немає в наявності

SI4113-D-GT

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

товару немає в наявності

SI4113-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP

товару немає в наявності

SI4113-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP Tube

товару немає в наявності

SI4113-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2 output

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	753.48 грн
10+	670.89 грн
25+	556.42 грн
100+	508.87 грн
248+	496.8 грн
558+	474.8 грн
1054+	425.83 грн

SI4113-D-GT

SLLSI4113-D-GT SI4113
кількість в упаковці: 62 шт

товару немає в наявності

SI4113-D-GTR

IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

товару немає в наявності

SI4113-D-GTR

Clock Generators & Support Products Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only, lead free

товару немає в наявності

SI4113-D-GTR

TSSOP 24/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY SI4113
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4113-D-GTR

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

товару немає в наявності

SI4113-D-ZT1

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

товару немає в наявності

SI4113-EVB

TSSOP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD-TSSOP SI4113
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

SI4113-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4113

товару немає в наявності

SI4113-EVB

RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board TSSOP

товару немає в наявності

SI4113G-BT

на замовлення 105 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4113GM

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4113M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4113

товару немає в наявності

SI4113M-EVB

RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board MLP

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4113M-EVB

MLP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD SI4113
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

SI4113ZT1

N/A

на замовлення 280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4114DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.18 грн
5000+	48.36 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4114DY-T1-E3

SI4114DY-T1-E3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SI4114DY-T1-E3

MOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8

на замовлення 4620 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4114DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.93 грн
10+	92.56 грн
100+	73.67 грн
500+	58.5 грн
1000+	49.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4114DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4114DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	40.24 грн
25+	40.16 грн
100+	38.33 грн
250+	35.14 грн
500+	33.38 грн
1000+	33.03 грн

Мінімальне замовлення: 15

SI4114DY-T1-GE3

на замовлення 155000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	37.66 грн
5000+	34.54 грн
12500+	32.95 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4114DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4114DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4114DY-T1-GE3

SI4114DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SI4114DY-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8

на замовлення 12468 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.51 грн
10+	112.63 грн
100+	78.78 грн
500+	65.15 грн
1000+	53.51 грн
2500+	49.82 грн
5000+	45.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4114DY-T1-GE3

на замовлення 155588 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.36 грн
10+	71.78 грн
100+	55.8 грн
500+	44.38 грн
1000+	36.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4114DYT1E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4114G-B-GM

Description: IC RF SYNTH FOR GSM/GPRS 28QFN

товару немає в наявності

SI4114G-BM

Description: IC RF FREQ SYNTH VCO 28QFN

товару немає в наявності

SI4114G-BMR

03+ CLCC

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4114GM-EVB

Description: BOARD EVAL SI4114G-BM

товару немає в наявності

SI4115G-BM

Description: FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT

товару немає в наявності

SI4115G-BMR

на замовлення 67790 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4116DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4116DY-T1-E3

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4116DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	41.1 грн
25+	41 грн
100+	36.37 грн
250+	33.57 грн
500+	30.47 грн
1000+	29.81 грн

Мінімальне замовлення: 15

SI4116DY-T1-E3

MOSFET 25V Vds 12V Vgs SO-8

на замовлення 3411 шт:

термін постачання 714-723 дні (днів)

4+	107.64 грн
10+	95.49 грн
100+	64.65 грн
500+	53.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4116DY-T1-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 18A; Idm: 50A; 5W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 18A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 50A
Case: SO8

товару немає в наявності

SI4116DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4116DY-T1-E3

товару немає в наявності

SI4116DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.36 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4116DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO

товару немає в наявності

SI4116DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4116DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 4795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.94 грн
500+	47.54 грн
1000+	33.3 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4116DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 18A; Idm: 50A; 3.2W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 18A
On-state resistance: 8.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 50A
Case: SO8

товару немає в наявності

SI4116DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.18 грн
5000+	32.26 грн
12500+	30.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4116DY-T1-GE3

товару немає в наявності

SI4116DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	73.73 грн
10+	63.88 грн
25+	62.73 грн
100+	46.17 грн
250+	42.16 грн
500+	33.71 грн

Мінімальне замовлення: 9

SI4116DY-T1-GE3

на замовлення 4795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	101.91 грн
10+	84.39 грн
100+	61.94 грн
500+	47.54 грн
1000+	33.3 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4116DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4116DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V

на замовлення 17388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.22 грн
10+	67.05 грн
100+	52.12 грн
500+	41.45 грн
1000+	33.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4116DY-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 12V Vgs SO-8

на замовлення 8586 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.74 грн
10+	81.62 грн
100+	55.22 грн
500+	45.63 грн
1000+	36.05 грн
2500+	34.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4116DYT1E3

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4120

на замовлення 363 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4120-KT

09+

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4120KT

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122-BT

на замовлення 4450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122-BT

Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

товару немає в наявності

SI4122-BTR

на замовлення 1370 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN

товару немає в наявності

SI4122-D-GM

MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 490 шт

товару немає в наявності

SI4122-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	821.38 грн
10+	731.29 грн
25+	502.48 грн
100+	460.6 грн

SI4122-D-GM

RF synthesizer with RF2/IF OUT

товару немає в наявності

SI4122-D-GM

Description: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

товару немає в наявності

SI4122-D-GMR

MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4122-D-GMR

RF Wireless Misc Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF), lead free

товару немає в наявності

SI4122-D-GMR

Description: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

товару немає в наявності

SI4122-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R

товару немає в наявності

SI4122-D-GT

Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

на замовлення 124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4122-D-GT

RF synthesizer with RF2/IF OUT

товару немає в наявності

SI4122-D-GT

TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 62 шт

товару немає в наявності

SI4122-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4122-D-GTR

TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4122-D-GTR

Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

товару немає в наявності

SI4122-EVB

RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board TSSOP

товару немає в наявності

SI4122-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4122

товару немає в наявності

SI4122-EVB

TSSOP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD-TSSOP SI4122
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

SI4122BT

на замовлення 238 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122DY-T1-E3

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122DY-T1-GE3

SI4122DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SI4122DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4122DY-T1-GE3
Код товару: 188744

товару немає в наявності

SI4122DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V

на замовлення 8096 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.76 грн
10+	129.97 грн
100+	103.45 грн
500+	82.14 грн
1000+	69.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4122DY-T1-GE3

10+

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 0.0036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 14824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	198.24 грн
10+	144.9 грн
100+	114.65 грн
500+	91.67 грн
1000+	71.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4122DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 19.2A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4122DY-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 25V Vgs SO-8

на замовлення 9522 шт:

термін постачання 319-328 дні (днів)

2+	182.16 грн
10+	149.36 грн
100+	103.62 грн
250+	95.81 грн
500+	86.59 грн
1000+	74.52 грн
2500+	73.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4122DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	73.27 грн
5000+	67.9 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4122DYT1E3

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122G-BMR

2000

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4122M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4122

товару немає в наявності

SI4122M-EVB

RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board MLP

товару немає в наявності

SI4122M-EVB

MLP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD SI4122
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

SI4123-BM

Description: IC SYNTH RF1/IF SNGL-BAND 28MLP

товару немає в наявності

SI4123-BT

Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

товару немає в наявності

SI4123-BT

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4123-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/IF output

на замовлення 940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	799.02 грн
10+	711.7 грн
25+	589.77 грн
100+	512.41 грн
250+	488.99 грн
490+	445.7 грн
980+	406.67 грн

SI4123-D-GM

MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF), LEAD FREE SI4123
кількість в упаковці: 490 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4123-D-GM

RF synthesizer with RF1/IF OUT

товару немає в наявності

SI4123-D-GM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 2467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	757.74 грн
10+	668.61 грн
25+	607.81 грн
80+	513.35 грн
230+	470.57 грн
490+	427.79 грн
980+	378.7 грн

SI4123-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN

товару немає в наявності

SI4123-D-GMR

RF synthesizer with RF1/IF OUT

на замовлення 1133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	651 грн
10+	603.17 грн
25+	575.27 грн
100+	532.58 грн

SI4123-D-GMR

Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 28MLP

товару немає в наявності

SI4123-D-GMR

RF synthesizer with RF1/IF OUT

товару немає в наявності

SI4123-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN T/R

товару немає в наявності

SI4123-D-GMR

Clock Generators & Support Products Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF), lead free

товару немає в наявності

SI4123-D-GMR

MLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4123-D-GMR

RF synthesizer with RF1/IF OUT

товару немає в наявності

SI4123-D-GT

Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-TSSOP
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	709.37 грн
10+	626.03 грн
62+	569.08 грн
124+	480.65 грн

SI4123-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP Tube

товару немає в наявності

SI4123-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/IF output

на замовлення 1915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	755.96 грн
10+	634.98 грн
25+	497.51 грн
100+	446.41 грн
248+	395.31 грн
558+	366.92 грн
1054+	366.21 грн

SI4123-D-GT

RF synthesizer with RF1/IF OUT

товару немає в наявності

SI4123-D-GT

TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123
кількість в упаковці: 62 шт

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4123-D-GT

RF synthesizer with RF1/IF OUT

товару немає в наявності

SI4123-D-GTR

Description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

товару немає в наявності

SI4123-D-GTR

Clock Generators & Support Products Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF), lead free

товару немає в наявності

SI4123-D-GTR

TSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) SI4123
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4123-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4123

товару немає в наявності

SI4123-EVB

RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF) Evaluation Board TSSOP

товару немає в наявності

SI4123-EVB

TSSOP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) EVALUATION BOARD-TSSOP SI4123
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

SI4123BM

на замовлення 2090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4123BM

QFN

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4123M-EVB

RF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF1/IF) Evaluation Board MLP

товару немає в наявності

SI4123M-EVB

MLP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF) EVALUATION BOARD SI4123
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

SI4123M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4123

товару немає в наявності

SI4124DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO

товару немає в наявності

SI4124DY-T1-E3

SI4124DY-T1-E3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SI4124DY-T1-E3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8

товару немає в наявності

SI4124DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4124DY-T1-E3

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4124DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4124DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO

товару немає в наявності

SI4124DY-T1-GE3

SI4124DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SI4124DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4124DY-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 384-393 дні (днів)

2+	179.68 грн
10+	159.97 грн
25+	137.68 грн
100+	111.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4124DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4124DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4124DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO

товару немає в наявності

SI4124DYT1E3

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126

O246+ QFN

на замовлення 1345 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126-BM

Description: IC SYNTHESIZER WLAN RF2/IF 28MLP

товару немає в наявності

SI4126-BM

на замовлення 1474 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126-BMR

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126-BMR

на замовлення 915 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126-BMR

03+

на замовлення 4105 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126-F-BM

Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 28MLP

товару немає в наявності

SI4126-F-BMR

Description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 28MLP

товару немає в наявності

SI4126-F-GM

Description: IC WLAN SYNTH (RF2/IF) 28MLP

товару немає в наявності

SI4126-F-GM

QFN 28/I°/WLAN Synthesizer (RF2/IF) SI4126
кількість в упаковці: 490 шт

товару немає в наявності

SI4126-F-GM

RF Wireless Misc RF synthesizer with 2.3 GHz/IF output

товару немає в наявності

SI4126-F-GMR

MLP 28/I°/WLAN SYNTHESIZER (RF2/IF), LEAD FREE SI4126
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4126-F-GMR

RF Wireless Misc WLAN Synthesizer (RF2/IF), lead free

товару немає в наявності

SI4126-F-GMR

Description: IC WLAN SYNTH (RF2/IF) 28MLP

товару немає в наявності

SI4126-GM

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126BM

на замовлення 626 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126BM

N/A

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126DY-T1

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126DY-T1-E3

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126DY-T1-GE3

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4126DY-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 3139 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.69 грн
10+	137.12 грн
100+	86.59 грн
500+	70.97 грн
1000+	68.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4126DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	74.1 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4126DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4126DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 39A; Idm: 70A; 7.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 7.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4126DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2502 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	165.86 грн
10+	143.24 грн
25+	140.67 грн
100+	107.27 грн
250+	96.94 грн
500+	80.15 грн
1000+	68.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4126DY-T1-GE3

товару немає в наявності

SI4126DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V

на замовлення 4263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	164.29 грн
10+	131.44 грн
100+	104.62 грн
500+	83.08 грн
1000+	70.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4126M-EVB

MLP/I°/WLAN SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD SI4126
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

SI4126M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4126

товару немає в наявності

SI4128BDY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V

товару немає в наявності

SI4128DY

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4128DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

на замовлення 9616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.99 грн
10+	35.49 грн
100+	24.59 грн
500+	19.28 грн
1000+	16.41 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4128DY-T1-E3

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4128DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.17 грн
5000+	14.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4128DY-T1-E3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 3326 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.95 грн
10+	39.83 грн
100+	24.06 грн
500+	20.08 грн
1000+	17.1 грн
2500+	14.9 грн
5000+	14.34 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4128DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4128DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	40.12 грн
18+	33.78 грн
25+	33.23 грн

Мінімальне замовлення: 16

SI4128DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4128DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.9 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 3256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	51.91 грн
19+	43.23 грн
100+	27.07 грн
500+	21 грн
1000+	16.51 грн

Мінімальне замовлення: 16

SI4128DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 37083 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.95 грн
10+	39.83 грн
100+	24.06 грн
500+	20.08 грн
1000+	17.1 грн
2500+	16.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4128DY-T1-GE3

на замовлення 4058 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.99 грн
10+	35.86 грн
100+	24.82 грн
500+	19.46 грн
1000+	16.56 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4128DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4128DY-T1-GE3

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.32 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4128DY-T1-GE3

SI4128DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SI4128DY-TI-GE3

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4132-BT

на замовлення 798 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4132-KT

09+

на замовлення 757 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4132-KT

на замовлення 714 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4132-SB

на замовлення 93 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4132BT

на замовлення 798 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4132KT

на замовлення 757 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4132SB

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133-BMR

SILICONI

00+ CLCC

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133-BT

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133-BT

Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-TSSOP
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4133-BT/GT

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP

на замовлення 433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	680.15 грн
19+	645.83 грн
25+	633.49 грн

Мінімальне замовлення: 18

SI4133-D-GM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 3654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	741.62 грн
10+	646.06 грн
25+	595.04 грн
80+	510.57 грн
230+	478.66 грн
490+	446.74 грн
980+	417.45 грн

SI4133-D-GM

MLP 28/I°/Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) SI4133
кількість в упаковці: 490 шт

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4133-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP

на замовлення 433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	631.57 грн
10+	599.69 грн
25+	588.24 грн

SI4133-D-GM

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2/IF output

на замовлення 2819 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	726.98 грн
10+	663.55 грн
25+	526.61 грн
100+	506.74 грн
250+	473.38 грн
490+	449.25 грн
980+	448.54 грн

SI4133-D-GM

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN

товару немає в наявності

SI4133-D-GMR

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	450.21 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4133-D-GMR

MLP 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF), LEAD FREE SI4133
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4133-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

SI4133-D-GMR

RF Wireless Misc RF synthesizer with RF1/RF2/IF output

товару немає в наявності

SI4133-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 28-Pin QFN T/R

товару немає в наявності

SI4133-D-GMR

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 4199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	741.62 грн
10+	646.06 грн
25+	595.04 грн
100+	510.56 грн
250+	478.65 грн
500+	446.74 грн
1000+	417.45 грн

SI4133-D-GMR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

SI4133-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP

на замовлення 1785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	804.26 грн
10+	673.54 грн
62+	615.67 грн
124+	567.23 грн

SI4133-D-GT

Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2/IF output

на замовлення 181 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	827.17 грн
10+	738.64 грн
25+	591.9 грн
100+	540.8 грн
248+	506.74 грн
558+	472.67 грн
1054+	448.54 грн

SI4133-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP

товару немає в наявності

SI4133-D-GT

Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-TSSOP
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	761.58 грн
10+	664.03 грн
62+	611.62 грн
124+	524.78 грн
310+	491.98 грн
558+	459.18 грн

SI4133-D-GT

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP

на замовлення 1785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	866.13 грн
17+	725.35 грн
62+	663.03 грн
124+	610.87 грн

Мінімальне замовлення: 15

SI4133-D-GT

TSSOP 24/I°/Dual-Band RF Synthesizer SI4133
кількість в упаковці: 62 шт

товару немає в наявності

SI4133-D-GTR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R

товару немає в наявності

SI4133-D-GTR

TSSOP 24/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4133
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4133-D-GTR

Clock Generators & Support Products RF synthesizer with RF1/RF2/IF output

товару немає в наявності

SI4133-D-GTR

Clock Generator 2MHz to 26MHz-IN 24-Pin TSSOP T/R

товару немає в наявності

SI4133-D-GTR

Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-TSSOP
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4133-EVB

SLLSI4133-EVB SI4133
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

SI4133-EVB

RF Development Tools

товару немає в наявності

SI4133-EVB

Si4133-BT Clock Generator and Synthesizer Evaluation Kit

товару немає в наявності

SI4133-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4133
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4133
Frequency: 900MHz ~ 1.8GHz, 750MHz ~ 1.5GHz
Type: Frequency Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	15659.18 грн

SI4133-GM

на замовлення 460 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133B-BM

на замовлення 219 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

Si4133BM

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133F-BMR

03+

на замовлення 2937 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133G-BM

на замовлення 117 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133G-BT

SILCON

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133G-BTR

SILI

на замовлення 1540 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133G-BTR

0050

на замовлення 848 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133G-XM2

на замовлення 72 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133G-XM2R

2003

на замовлення 1385 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133G-XMZ

на замовлення 546 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133GBM

на замовлення 117 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133GBMR

SLAB

0011

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133GBMR

SLAB

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133GBT

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133GM

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133GM-EVB

Mobile Development Tools Dual-Band GSM RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board, Not recommended for new designs, Recommended replacement is Si4133M-EVB

товару немає в наявності

SI4133GX2-BM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4133GX2M-EVB

Description: BOARD EVAL DUAL-BAND GSM-HITACHI
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4133GX2M
Type: Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)

товару немає в наявності

SI4133GXM2

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133M-EB

Description: IC
Packaging: Box
For Use With/Related Products: SI4123
Type: Frequency Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)

товару немає в наявності

SI4133M-EB

RF Development Tools

товару немає в наявності

SI4133M-EVB

RF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board MLP

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4133M-EVB

MLP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-MLP SI4133
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

SI4133M-EVB

Si4133-BM PLL Evaluation Board

товару немає в наявності

SI4133M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4133
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4133
Type: Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)

товару немає в наявності

SI4133M-EVB

Si4133-BM PLL Evaluation Board

товару немає в наявності

SI4133T-BM

04+ CLCC

на замовлення 2388 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133T-BM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/Yes
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4133T-BM

QFN??

на замовлення 43 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133T-BM

09+

на замовлення 350018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133T-BMR

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133T-BMR

2004

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133T-GM

Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1.8GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/Yes
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

SI4133T-GM

на замовлення 53500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133T-MB

2004

на замовлення 179 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133TBM

03+

на замовлення 2066 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133W-BM

на замовлення 390 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133W-BMR

2002

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133W-D-GM

0602

на замовлення 78 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4133WM-EVB

Description: KIT EVAL FOR SI4133W-BM
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4133W-BM
Type: Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)

товару немає в наявності

SI4134DY

на замовлення 163 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134DY-T1

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4134DY-T1-E3

1027+ SOP8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.4 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4134DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4134DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4134DY-T1-E3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 69393 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.63 грн
10+	39.5 грн
100+	26.97 грн
500+	24.41 грн
1000+	21.29 грн
2500+	18.17 грн
5000+	17.18 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4134DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

на замовлення 3774 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.74 грн
10+	44.8 грн
100+	31.02 грн
500+	24.32 грн
1000+	20.7 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4134DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

на замовлення 5074 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.74 грн
10+	44.8 грн
100+	31.02 грн
500+	24.32 грн
1000+	20.7 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4134DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.34 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4134DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4134DY-T1-GE3

Siliconix

Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 14A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4134DY-T1-GE3 TSI4134dy
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 75 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	13.27 грн

Мінімальне замовлення: 50

SI4134DY-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 13914 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.54 грн
10+	48.4 грн
100+	30.02 грн
500+	25.05 грн
1000+	21.36 грн
2500+	17.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4134DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.2A; 3.2W; SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.2A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8

на замовлення 6991 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	42.99 грн
50+	29.65 грн
59+	14.73 грн
162+	13.93 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI4134DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.4 грн
5000+	18.61 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4134DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4134DY-T1-GE3

на замовлення 6991 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

6+	51.59 грн
50+	36.94 грн
59+	17.68 грн
162+	16.71 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4134DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4134DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 64300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	52.15 грн
50+	42.99 грн
100+	33.84 грн
500+	24.91 грн
1000+	19.65 грн

Мінімальне замовлення: 16

SI4134T-BM

QFN32

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134T-BM

Description: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP

товару немає в наявності

SI4134T-BM

09+

на замовлення 318 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134T-BMR

QFN

на замовлення 1776 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134T-BMR

QFN??

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134T-GM

Description: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP

товару немає в наявності

SI4134T-GM

09+

на замовлення 9018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4134T-GMR

04+

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136-BM

09+

на замовлення 92 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136-BM

Description: IC SYNTH WLAN SAT/RADIO 28MLP

товару немає в наявності

SI4136-Bt

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136-Bt

Description: IC SYNTH RF1/RF2/IF 24TSSOP

товару немає в наявності

SI4136-BT

Clock Generator 2MHz to 50MHz-IN 24-Pin TSSOP T/R

товару немає в наявності

SI4136-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4136
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: SI4136
Frequency: 2.3GHz ~ 2.5GHz, 2.025GHz ~ 2.3GHz
Type: Frequency Synthesizer
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

товару немає в наявності

SI4136-EVB

ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS

товару немає в наявності

SI4136-EVB

TSSOP/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-TS SI4136
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

SI4136-EVB

RF Development Tools WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board TSSOP

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4136-F-BM

Description: IC FREQUENCY SYNTH 28QFN

товару немає в наявності

SI4136-F-BT

Description: IC FREQUENCY SYNTH 24TSSOP

товару немає в наявності

SI4136-F-GM

QFN 28/I°/WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 490 шт

товару немає в наявності

SI4136-F-GM

RF Wireless Misc RF synthesizer with 2.5 GHz/2.3 GHz/IF output

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4136-F-GM

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28QFN

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	850.63 грн

SI4136-F-GMR

Clock Generators & Support Products WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF), lead free

товару немає в наявності

SI4136-F-GMR

Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28MLP

товару немає в наявності

SI4136-F-GMR

MLP 28/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4136-F-GT

TSSOP 24/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 62 шт

товару немає в наявності

SI4136-F-GT

RF Wireless Misc RF Synthesizer with 2.5 GHz/2.3 GHz/IF output

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4136-F-GT

Description: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	915.89 грн
10+	808.34 грн

SI4136-F-GTR

RF Wireless Misc WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF), lead free

товару немає в наявності

SI4136-F-GTR

Description: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP

товару немає в наявності

SI4136-F-GTR

TSSOP 24/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) SI4136
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

SI4136-GM

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136-XM-GT

на замовлення 3848 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136BM

на замовлення 154 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136BT

09+ TSSOP24

на замовлення 1002 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136DY

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136DY-T1-E3

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136DY-T1-GE3

на замовлення 2450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 46A 8SO

товару немає в наявності

SI4136DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4136DY-T1-GE3

SI4136DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SI4136DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 46A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4136DY-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 21393 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.02 грн
10+	84.88 грн
100+	58.62 грн
500+	50.11 грн
1000+	44.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4136M-EVB

MLP/I°/WLAN SATELLITE RADIO SYNTHESIZER (RF1/RF2/IF) EVALUATION BOARD-MLP SI4136
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

SI4136M-EVB

RF Development Tools WLAN Satellite Radio Synthesizer (RF1/RF2/IF) Evaluation Board MLP

товару немає в наявності

SI4136M-EVB

Description: BOARD EVALUATION FOR SI4136

товару немає в наявності

SI4136XM-BT

09+ TSSOP24

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136XM-BT

на замовлення 5998 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136XM-BT

SILCON

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136XM-BTR

на замовлення 652 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4136XM-GT

на замовлення 626 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4137-BM

09+

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4137BM

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4143DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4143DY-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8

на замовлення 8611 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.79 грн
10+	49.46 грн
100+	29.81 грн
500+	24.91 грн
1000+	21.22 грн
2500+	18.81 грн
5000+	18.59 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4143DY-T1-GE3

SI4143DY-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

SI4143DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4143DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.3 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

SI4143DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V

товару немає в наявності

SI4143DY-T1-GE3

товару немає в наявності

SI4143DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4143DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 25.3A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4143DY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 15 V

товару немає в наявності

SI4148DY-T1

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI415

01+ SOP

на замовлення 1078 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI415

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4151DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V

на замовлення 4129 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.45 грн
10+	66.68 грн
100+	51.86 грн
500+	41.26 грн
1000+	33.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4151DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A T/R

товару немає в наявності

SI4151DY-T1-GE3

SI4151DY-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

SI4151DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4151DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 20.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.01 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4151DY-T1-GE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V MOSFET

на замовлення 15455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.91 грн
10+	74.19 грн
100+	50.18 грн
500+	48.26 грн
2500+	41.02 грн
5000+	40.17 грн
10000+	39.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4151DY-T1-GE3

Micro Commercial Components

Description: VISHAY - SI4151DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20.5 A, 0.00625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 20.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5.6
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00625
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: To Be Advised

товару немає в наявності

SI4153-TP

Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SOT-523 T/R

товару немає в наявності

SI4153-TP

Micro Commercial Components (MCC)

MOSFET N-Ch Enh FET 20Vdss 6Vgss 0.9215A 150mW

товару немає в наявності

SI4153DY-T1-GE3

SI4153DY-T1-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

SI4153DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.3A (Ta), 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V

на замовлення 1723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.6 грн
10+	39.48 грн
100+	27.36 грн
500+	21.45 грн
1000+	18.26 грн

Мінімальне замовлення: 7

SI4153DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4153DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0072 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 5788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	58.44 грн
17+	49.28 грн
100+	30.49 грн
500+	23.73 грн
1000+	16.17 грн
5000+	15.63 грн

Мінімальне замовлення: 14

SI4153DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 14.3A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4153DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.3A (Ta), 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V

товару немає в наявності

SI4153DY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 14.3A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4153DY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30-V MSFT

на замовлення 15638 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.16 грн
10+	45.87 грн
100+	27.18 грн
500+	22.78 грн
1000+	19.94 грн
2500+	16.82 грн
5000+	16.25 грн

Мінімальне замовлення: 7

SI4154DY-T1-GE3
Код товару: 184243

товару немає в наявності

SI4154DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2098 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

273+	44.74 грн

Мінімальне замовлення: 273

SI4154DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4154DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2098 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	102 грн
10+	83.87 грн
25+	83.03 грн
100+	62.27 грн
250+	57.08 грн
500+	46.74 грн
1000+	35.61 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4154DY-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 9844 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.98 грн
10+	86.51 грн
100+	58.84 грн
500+	50.11 грн
1000+	40.88 грн
2500+	39.67 грн
5000+	38.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4154DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V

на замовлення 7135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.11 грн
10+	80.88 грн
100+	62.87 грн
500+	50.01 грн
1000+	40.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4154DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	74.9 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4154DY-T1-GE3

SI4154DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SI4154DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.78 грн
5000+	41.99 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4154DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.44 грн
5000+	38.92 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4154DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	59.79 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4154DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	84.57 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4155DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.27 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4155DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4155DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 4.5W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 3695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.08 грн
500+	30.16 грн
1000+	22.32 грн
2500+	20.2 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4155DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4155DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 3695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	69.42 грн
14+	58.6 грн
100+	41.08 грн
500+	30.16 грн
1000+	22.32 грн
2500+	20.2 грн

Мінімальне замовлення: 12

SI4155DY-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8

на замовлення 3727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.33 грн
10+	57.81 грн
100+	44.31 грн
500+	32.86 грн
1000+	26.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4156DY-T1-E3

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4156DY-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 61315 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.3 грн
10+	55.83 грн
100+	37.83 грн
500+	32.08 грн
1000+	26.12 грн
2500+	24.06 грн
5000+	23.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4156DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4156DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 4264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.72 грн
10+	50.2 грн
100+	39.09 грн
500+	31.09 грн
1000+	25.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4156DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 7249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	68.55 грн
15+	53.42 грн
100+	38.22 грн
500+	30.09 грн

Мінімальне замовлення: 12

SI4156DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.94 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4156DY-T1-GE3

SI4156DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SI4156DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4156DY-T1-GE3

на замовлення 7249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	68.55 грн
15+	53.42 грн
100+	38.22 грн
500+	30.09 грн

Мінімальне замовлення: 12

SI4156DY-T1-GE3

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4156DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.2 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4156DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.38 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4156DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	41.84 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4158DY-T1-E3

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4158DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8SO

товару немає в наявності

SI4158DY-T1-GE3

MOSFET 20V 36.5A 6.0W 2.5mohm @ 10V

товару немає в наявності

SI4160DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4160DY-T1-EG3

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4160DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V

товару немає в наявності

SI4160DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 14229 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.16 грн
10+	93.04 грн
100+	62.81 грн
500+	51.88 грн
1000+	41.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4160DY-T1-GE3

SI4160DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SI4160DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V

на замовлення 1860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	103.64 грн
10+	89.31 грн
100+	69.63 грн
500+	53.98 грн
1000+	42.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4160DY-T1-GE3

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4160DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4160DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	79.62 грн
12+	69.42 грн
100+	51.11 грн
500+	39.77 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI4160DY-TI-GE3

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4162DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4162DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4162DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 75334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.04 грн
500+	32.6 грн
1000+	25.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4162DY-T1-GE3

SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

на замовлення 1194 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	76.34 грн
42+	24.84 грн
115+	23.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4162DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.26 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4162DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4162DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4162DY-T1-GE3

на замовлення 75334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	66.8 грн
50+	54.46 грн
100+	42.04 грн
500+	32.6 грн
1000+	25.59 грн

Мінімальне замовлення: 12

SI4162DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4162DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 9156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.05 грн
10+	59.83 грн
100+	36.05 грн
500+	30.09 грн
1000+	25.62 грн
2500+	22.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4162DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V

на замовлення 27538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.49 грн
10+	53.75 грн
100+	37.22 грн
500+	29.19 грн
1000+	24.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4162DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 55000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.47 грн
12500+	25.1 грн
25000+	23.35 грн
37500+	21.24 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4164DY-T1

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4164DY-T1-E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4164DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4164DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V

на замовлення 33141 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.55 грн
10+	87.16 грн
100+	67.8 грн
500+	53.93 грн
1000+	43.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4164DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	68.66 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4164DY-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 32800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.06 грн
10+	97.94 грн
100+	65.79 грн
500+	55.78 грн
1000+	45.49 грн
2500+	41.23 грн
5000+	40.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4164DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	45.77 грн
5000+	41.97 грн
12500+	40.04 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4164DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4164DY-T1-GE3
Код товару: 186845

товару немає в наявності

1+	68 грн
10+	62.5 грн

SI4164DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4164DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	132.16 грн
10+	100.32 грн
100+	74.12 грн
500+	58.33 грн
1000+	39.38 грн

Мінімальне замовлення: 7

SI4164DY-T1-GE3

SI4164DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SI4164DYT1E3

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4166DY

на замовлення 29 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4166DY-T1

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4166DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4166DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V

на замовлення 7780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.73 грн
10+	76 грн
100+	59.15 грн
500+	47.05 грн
1000+	38.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4166DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	43.93 грн
280+	43.49 грн
283+	43.06 грн
294+	39.97 грн
297+	36.64 грн
500+	33.29 грн
1000+	33.07 грн

Мінімальне замовлення: 278

SI4166DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4166DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30.5 A, 0.0032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm

на замовлення 1495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	82 грн
13+	64.97 грн
100+	50.48 грн
500+	41.55 грн
1000+	27.98 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI4166DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SI4166DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4166DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.85 грн
5000+	34.88 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4166DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	40.82 грн
25+	40.41 грн
50+	38.57 грн
100+	34.39 грн
250+	32.69 грн
500+	31.03 грн
1000+	30.7 грн

Мінімальне замовлення: 15

SI4166DY-T1-GE3

на замовлення 2165 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4166DY-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 3264 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.69 грн
10+	63.5 грн
100+	46.06 грн
500+	41.16 грн
1000+	36.48 грн
2500+	36.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4168DY

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4168DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4168DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4168DY-T1-GE3

на замовлення 652 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4168DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.59 грн
10+	77.85 грн
100+	60.7 грн
500+	47.06 грн
1000+	37.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4168DY-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

товару немає в наявності

SI4168DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.37 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4168DY-T1-GE3

SI4168DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SI417

01+ SOP

на замовлення 159 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4170DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

товару немає в наявності

SI4170DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

товару немає в наявності

SI4170DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

товару немає в наявності

SI4170DYT1E3

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4172DT-T1-GE3

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4172DY

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4172DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4172DY-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3

товару немає в наявності

SI4172DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4172DY-T1-GE3

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4172DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

товару немає в наявності

SI4172DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	23.43 грн
27+	23.06 грн
50+	21.89 грн
100+	19.95 грн
250+	18.84 грн
500+	18.53 грн
1000+	18.22 грн

Мінімальне замовлення: 26

SI4174DY-T1-E3

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4174DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	61.05 грн
12+	51.01 грн
25+	49.46 грн
100+	34.94 грн
250+	31.11 грн
500+	27 грн
1000+	21.92 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI4174DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4174DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V

на замовлення 11225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.42 грн
10+	51.53 грн
100+	35.68 грн
500+	27.97 грн
1000+	23.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4174DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.5A; 3.2W; SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1842 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	81.21 грн
7+	45.33 грн
25+	38.06 грн
32+	32.91 грн
87+	31.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4174DY-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 23147 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.99 грн
10+	55.34 грн
100+	34.49 грн
500+	28.81 грн
1000+	24.56 грн
2500+	21.15 грн
5000+	20.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4174DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4174DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0078 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 11776 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	73.88 грн
14+	59.79 грн
100+	38.85 грн
500+	30.16 грн
1000+	24.98 грн
5000+	22.04 грн

Мінімальне замовлення: 11

SI4174DY-T1-GE3

на замовлення 1842 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.67 грн
11+	36.37 грн
25+	31.72 грн
32+	27.43 грн
87+	25.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4174DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.96 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4174DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.46 грн
5000+	21.4 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4176DY

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4176DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

товару немає в наявності

SI4176DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4176DY-T1-GE3

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4176DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

товару немає в наявності

SI4178DY

на замовлення 3310 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4178DY-T1-E3

MOSFET

товару немає в наявності

SI4178DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

товару немає в наявності

SI4178DY-T1-E3

на замовлення 87520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4178DY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4178DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 3462 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.74 грн
500+	22.62 грн
1000+	17.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4178DY-T1-GE3

Siliconix

N-MOSFET 30V 12A 21mΩ 5W SI4178DY-T1-GE3 Vishay TSI4178dy
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	18.78 грн

Мінімальне замовлення: 30

SI4178DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4178DY-T1-GE3

на замовлення 3462 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	46.02 грн
50+	37.42 грн
100+	28.74 грн
500+	22.62 грн
1000+	17.95 грн

Мінімальне замовлення: 18

SI4178DY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2493 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

6+	47.77 грн
50+	34.09 грн
51+	20.25 грн
140+	19.15 грн
2500+	18.36 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4178DY-T1-GE3

на замовлення 2493 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	39.81 грн
50+	27.35 грн
51+	16.88 грн
140+	15.96 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI4178DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V

на замовлення 2774 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.76 грн
10+	36.67 грн
100+	25.38 грн
500+	19.9 грн
1000+	16.94 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4178DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.76 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4178DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4178DY-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 25V Vgs SO-8

на замовлення 6574 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.63 грн
10+	38.52 грн
100+	23.14 грн
500+	19.66 грн
1000+	16.82 грн
2500+	14.12 грн
5000+	13.91 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4178DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4186DY

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4186DY-T1-E3

на замовлення 35 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4186DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.54 грн
5000+	31.68 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SI4186DY-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 46199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.25 грн
10+	72.39 грн
100+	49.04 грн
500+	41.59 грн
1000+	33.85 грн
2500+	33.5 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4186DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V

на замовлення 5837 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.68 грн
10+	65.8 грн
100+	51.18 грн
500+	40.71 грн
1000+	33.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI4186DY-T1-GE3

на замовлення 798200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI419

SOP-8

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI419

01+ SOP

на замовлення 197 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4190ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

196+	62.38 грн

Мінімальне замовлення: 196

SI4190ADY-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 18.4A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18.4A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товару немає в наявності

SI4190ADY-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 10679 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.65 грн
10+	108.55 грн
100+	76.65 грн
250+	75.23 грн
500+	64.37 грн
1000+	55.07 грн
2500+	54.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4190ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.74 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4190ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	60.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4190ADY-T1-GE3

товару немає в наявності

SI4190ADY-T1-GE3

Description: VISHAY - SI4190ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18.4 A, 0.0073 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 3840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	83.6 грн
500+	67.5 грн
1000+	52.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4190ADY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V

товару немає в наявності

SI4190ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4190ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	65.99 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4190ADY-T1-GE3

на замовлення 3840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	146.49 грн
10+	111.46 грн
100+	83.6 грн
500+	67.5 грн
1000+	52.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4190ADY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 18.4A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	103.69 грн
10+	90.79 грн
25+	90.12 грн
100+	73.76 грн
250+	67.77 грн
500+	56.85 грн
1000+	49.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4190ADY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.6 грн
10+	98.47 грн
100+	78.39 грн
500+	62.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

Si4190BDY-T1-GE3

MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V

на замовлення 4458 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	159.8 грн
10+	131.4 грн
100+	90.84 грн
250+	84.46 грн
500+	76.65 грн
1000+	69.34 грн
2500+	59.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4190DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

SI4190DY-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

SI4196DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

товару немає в наявності

SI4196DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

товару немає в наявності

SI4200

SILICONE

QFN??

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200-BM

09+

на замовлення 54 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200-BM

Description: IC TXRX TRI-BAND 32MLP

товару немає в наявності

SI4200-BM

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200-BMR

2 QFN

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200-BMR

03+

на замовлення 1835 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200-BMR

QFN

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200-EVB

Description: BOARD EVAL FOR SI4200
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Si4200
Frequency: 850MHz, 900MHz, 1.8GHz
Type: GPRS/GSM
Supplied Contents: Board(s)

товару немає в наявності

SI4200-GM

QFN??

на замовлення 2922 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200-GM

Description: IC TXRX TRI-BAND 32MLP

товару немає в наявності

SI4200-GMR

04+

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI42000BW

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200BM

N/A

0346

на замовлення 1009 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200BM

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200BM

SIL

QFN

на замовлення 1270 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DB-BM

09+

на замовлення 5718 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DB-BMR

0347

на замовлення 1336 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DB-BMR

на замовлення 1573 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DB-BMR

0340+

на замовлення 1452 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DB-BRM

SAGEM

04+

на замовлення 3298 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DB-GMR

06+

на замовлення 357 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DY-T1-E3

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4200DY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4200DY-T1-GE3

MOSFET 25 Volts 8 Amps 2.8 Watts

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SI4200DY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4201-BM

09+

на замовлення 440018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4201-BM

Description: IC UNVRSL BASEBAND INTRFC 20QFN

товару немає в наявності

SI4201-BMR

QFN

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4201-BMR

03+

на замовлення 2596 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4201-BMR

2 QFN

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4201-BMR

QFN??

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4201-GM