SI4154DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 41.57 грн |
| 5000+ | 38.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4154DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.8W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI4154DY-T1-GE3 за ціною від 35.27 грн до 103.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4154DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4154DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4154DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4154DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4154DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4154DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4154DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V |
на замовлення 7135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4154DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4154DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 9844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI4154DY-T1-GE3 Код товару: 184243 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
| SI4154DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 36A; Idm: 70A; 7.8W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 36A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 7.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI4154DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 36A; Idm: 70A; 7.8W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 36A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 7.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |