SI4166DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 38.85 грн |
| 5000+ | 34.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4166DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI4166DY-T1-GE3 за ціною від 27.98 грн до 96.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4166DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4166DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4166DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 3264 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4166DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4166DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30.5 A, 0.0032 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4166DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V |
на замовлення 7780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI4166DY-T1-GE3 |
|
на замовлення 2165 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
SI4166DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI4166DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI4166DY-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |