Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4100DY-T1-GE3
SI4100DY-T1-GE3

SI4100DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4100dy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+36.47 грн
5000+ 33.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4100DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI4100DY-T1-GE3 за ціною від 35.01 грн до 103.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4100dy.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+57.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 6W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+64.89 грн
500+ 51.03 грн
1000+ 37.19 грн
2500+ 35.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4100dy.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 7295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.2 грн
10+ 69.47 грн
100+ 54.03 грн
500+ 42.98 грн
1000+ 35.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4100dy.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
134+90.34 грн
135+ 89.55 грн
140+ 86.4 грн
171+ 68.4 грн
250+ 61.6 грн
500+ 52.44 грн
Мінімальне замовлення: 134
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4100dy.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+97.59 грн
10+ 83.88 грн
25+ 83.16 грн
50+ 77.37 грн
100+ 58.81 грн
250+ 54.91 грн
500+ 48.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4100dy.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 7802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.82 грн
10+ 85.76 грн
100+ 58.68 грн
500+ 49.69 грн
1000+ 39.24 грн
2500+ 36.59 грн
5000+ 35.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+103.98 грн
10+ 82.09 грн
100+ 59.81 грн
500+ 46.17 грн
1000+ 38.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI4100DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4100dy.pdf SI4100DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4100dy.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній