![SI4186DY-T1-GE3 SI4186DY-T1-GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/3759/742%7E5498%7EDY%2C-EY%7E8.jpg)
SI4186DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
![si4186dy.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 33.84 грн |
5000+ | 31.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4186DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI4186DY-T1-GE3 за ціною від 32.48 грн до 88.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI4186DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 10 V |
на замовлення 5837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI4186DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 46199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SI4186DY-T1-GE3 |
![]() |
на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SI4186DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35.8A; Idm: 70A; 6W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 6W Polarisation: unipolar Gate charge: 90nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Case: SO8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 35.8A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI4186DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35.8A; Idm: 70A; 6W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 6W Polarisation: unipolar Gate charge: 90nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Case: SO8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 35.8A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |