на замовлення 117311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 56.62 грн |
10+ | 47.37 грн |
100+ | 29.2 грн |
500+ | 24.41 грн |
1000+ | 20.81 грн |
2500+ | 18.41 грн |
5000+ | 18.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4103DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI4103DY-T1-GE3 за ціною від 19.67 грн до 64.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI4103DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 9838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4103DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO |
на замовлення 4010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI4103DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI4103DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY | SI4103DY-T1-GE3 SMD P channel transistors |
товар відсутній |