на замовлення 6097 шт:
термін постачання 217-226 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 126.28 грн |
| 10+ | 102.65 грн |
| 100+ | 69.3 грн |
| 500+ | 58.69 грн |
| 1000+ | 51.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4062DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI4062DY-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 32.1A, 150DEG C, 7.8W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 32.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.8W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, directShipCharge: 25, SVHC: Lead.
Інші пропозиції SI4062DY-T1-GE3 за ціною від 81.1 грн до 142.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4062DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI4062DY-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 32.1A, 150DEG C, 7.8WtariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4062DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
SI4062DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 4.2mΩ Kind of package: reel; tape Drain current: 25.7A Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 18.8nC Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
SI4062DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SI4062DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 30 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SI4062DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 4.2mΩ Kind of package: reel; tape Drain current: 25.7A Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 18.8nC Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |