Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (2376) > Сторінка 15 з 40

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
WMJ53N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ53N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ53N65F2 WAYON WMJ53N65F2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+777.74 грн
4+ 299.59 грн
10+ 282.9 грн
WMJ53N65FD WAYON WMJ53N65FD-CYG THT N channel transistors
товар відсутній
WMJ60N60EM WMJ60N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1251.29 грн
2+ 508.11 грн
5+ 480.29 грн
WMJ60N60EM WMJ60N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1501.55 грн
2+ 633.18 грн
5+ 576.34 грн
WMJ69N30DMH WMJ69N30DMH WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhanced
Case: TO247-3
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+354.02 грн
3+ 312.62 грн
4+ 246.73 грн
10+ 233.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJ69N30DMH WMJ69N30DMH WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhanced
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+424.82 грн
3+ 389.58 грн
4+ 296.08 грн
10+ 280.26 грн
90+ 275.87 грн
300+ 267.96 грн
900+ 267.09 грн
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4 WAYON WMJ80N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 375ns
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+795.56 грн
3+ 323.61 грн
8+ 306.04 грн
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4 WAYON WMJ80N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 375ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+954.67 грн
3+ 403.26 грн
8+ 367.24 грн
WMJ80N60EM WMJ80N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1535.92 грн
2+ 623.79 грн
4+ 590.11 грн
10+ 589.38 грн
WMJ80N60EM WMJ80N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1843.11 грн
2+ 777.33 грн
4+ 708.13 грн
10+ 707.25 грн
WMJ80N60F2 WMJ80N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1060.48 грн
2+ 429.04 грн
6+ 405.61 грн
WMJ80N60F2 WMJ80N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1272.58 грн
2+ 534.64 грн
6+ 486.73 грн
WMJ80N65C4 WMJ80N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+998.98 грн
3+ 406.34 грн
6+ 384.38 грн
WMJ80N65C4 WMJ80N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1198.78 грн
3+ 506.36 грн
6+ 461.25 грн
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2 WAYON WMJ80N65F2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+842.87 грн
3+ 342.64 грн
7+ 324.34 грн
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2 WAYON WMJ80N65F2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1011.44 грн
3+ 426.99 грн
7+ 389.21 грн
WMJ80R160S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 15A; Idm: 96A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ80R160S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 15A; Idm: 96A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ80R260S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 13A; Idm: 78A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ80R260S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 13A; Idm: 78A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ80R350S WMJ80R350S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 8.4A; Idm: 56A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.4A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+386.35 грн
3+ 287 грн
6+ 161.8 грн
15+ 153.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJ80R350S WMJ80R350S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 8.4A; Idm: 56A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.4A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+463.62 грн
3+ 357.65 грн
6+ 194.16 грн
15+ 183.62 грн
WMJ90N60C4 WAYON WMJ90N60C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1088.08 грн
3+ 413.81 грн
7+ 390.96 грн
WMJ90N60F2 WMJ90N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1128.29 грн
2+ 456.86 грн
6+ 431.96 грн
WMJ90N60F2 WMJ90N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1353.95 грн
2+ 569.31 грн
6+ 518.36 грн
WMJ90N65C4 WMJ90N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1296.23 грн
2+ 516.89 грн
5+ 489.07 грн
WMJ90N65C4 WMJ90N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1555.48 грн
2+ 644.13 грн
5+ 586.89 грн
WMJ90N65F2 WMJ90N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1353 грн
2+ 547.64 грн
5+ 517.62 грн
WMJ90N65F2 WMJ90N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1623.6 грн
2+ 682.45 грн
5+ 621.15 грн
WMJ90N65SR WMJ90N65SR WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+979.27 грн
3+ 396.09 грн
6+ 374.86 грн
WMJ90N65SR WMJ90N65SR WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1175.12 грн
3+ 493.59 грн
6+ 449.83 грн
120+ 448.95 грн
WMJ90R260S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 10A; Idm: 50A; 310W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 310W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ90R260S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 10A; Idm: 50A; 310W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 310W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ90R360S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 7.8A; Idm: 52A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ90R360S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 7.8A; Idm: 52A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ90R500S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 6A; Idm: 40A; 138W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Technology: WMOS™ S
товар відсутній
WMJ90R500S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 6A; Idm: 40A; 138W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Technology: WMOS™ S
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ99N60C4 WMJ99N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1441.31 грн
2+ 576.2 грн
3+ 575.46 грн
5+ 544.71 грн
WMJ99N60C4 WMJ99N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1729.57 грн
2+ 718.03 грн
3+ 690.56 грн
5+ 653.66 грн
WMJ99N60F2 WMJ99N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1576.92 грн
2+ 640.62 грн
4+ 605.48 грн
WMJ99N60F2 WMJ99N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1892.31 грн
2+ 798.32 грн
4+ 726.58 грн
WMJ9N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
WMJ9N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
WMJP32N50D1 WMJP32N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+367.42 грн
3+ 273.82 грн
6+ 156.68 грн
15+ 147.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJP32N50D1 WMJP32N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+440.91 грн
3+ 341.22 грн
6+ 188.01 грн
15+ 177.47 грн
900+ 175.71 грн
WMK020N06HG4 WMK020N06HG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+93.83 грн
10+ 82.73 грн
14+ 64.43 грн
37+ 60.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMK020N06HG4 WMK020N06HG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.59 грн
10+ 103.1 грн
14+ 77.31 грн
37+ 72.92 грн
2000+ 70.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMK023N08HGS WMK023N08HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.44 грн
10+ 93.71 грн
12+ 72.48 грн
33+ 68.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMK023N08HGS WMK023N08HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.73 грн
10+ 116.78 грн
12+ 86.98 грн
33+ 81.71 грн
2000+ 79.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMK028N08HGD WMK028N08HGD WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+74.12 грн
10+ 64.65 грн
17+ 50.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
WMK028N08HGD WMK028N08HGD WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.94 грн
10+ 80.56 грн
17+ 60.71 грн
47+ 57.37 грн
2000+ 55.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMK028N10HG2 WMK028N10HG2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.85 грн
7+ 136.91 грн
18+ 129.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMK028N10HG2 WMK028N10HG2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+242.22 грн
7+ 170.61 грн
18+ 155.51 грн
2000+ 149.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMK028N10HGS WMK028N10HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.87 грн
10+ 92.98 грн
12+ 72.48 грн
33+ 68.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMK028N10HGS WMK028N10HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+125.84 грн
10+ 115.87 грн
12+ 86.98 грн
33+ 81.71 грн
2000+ 79.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMK030N06HG4 WMK030N06HG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+63.87 грн
10+ 55.86 грн
20+ 44.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
WMK030N06HG4 WMK030N06HG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.64 грн
10+ 69.61 грн
20+ 53.33 грн
50+ 53.24 грн
53+ 50.34 грн
1000+ 49.64 грн
2000+ 47.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMK030N06LG4 WMK030N06LG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+63.87 грн
10+ 55.86 грн
20+ 44.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
WMJ53N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ53N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ53N65F2
Виробник: WAYON
WMJ53N65F2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+777.74 грн
4+ 299.59 грн
10+ 282.9 грн
WMJ53N65FD
Виробник: WAYON
WMJ53N65FD-CYG THT N channel transistors
товар відсутній
WMJ60N60EM
WMJ60N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1251.29 грн
2+ 508.11 грн
5+ 480.29 грн
WMJ60N60EM
WMJ60N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1501.55 грн
2+ 633.18 грн
5+ 576.34 грн
WMJ69N30DMH
WMJ69N30DMH
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhanced
Case: TO247-3
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+354.02 грн
3+ 312.62 грн
4+ 246.73 грн
10+ 233.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJ69N30DMH
WMJ69N30DMH
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhanced
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+424.82 грн
3+ 389.58 грн
4+ 296.08 грн
10+ 280.26 грн
90+ 275.87 грн
300+ 267.96 грн
900+ 267.09 грн
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4.pdf
WMJ80N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 375ns
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+795.56 грн
3+ 323.61 грн
8+ 306.04 грн
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4.pdf
WMJ80N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 375ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+954.67 грн
3+ 403.26 грн
8+ 367.24 грн
WMJ80N60EM
WMJ80N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1535.92 грн
2+ 623.79 грн
4+ 590.11 грн
10+ 589.38 грн
WMJ80N60EM
WMJ80N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1843.11 грн
2+ 777.33 грн
4+ 708.13 грн
10+ 707.25 грн
WMJ80N60F2
WMJ80N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1060.48 грн
2+ 429.04 грн
6+ 405.61 грн
WMJ80N60F2
WMJ80N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1272.58 грн
2+ 534.64 грн
6+ 486.73 грн
WMJ80N65C4
WMJ80N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+998.98 грн
3+ 406.34 грн
6+ 384.38 грн
WMJ80N65C4
WMJ80N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1198.78 грн
3+ 506.36 грн
6+ 461.25 грн
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2.pdf
WMJ80N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+842.87 грн
3+ 342.64 грн
7+ 324.34 грн
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2.pdf
WMJ80N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1011.44 грн
3+ 426.99 грн
7+ 389.21 грн
WMJ80R160S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 15A; Idm: 96A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ80R160S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 15A; Idm: 96A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ80R260S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 13A; Idm: 78A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ80R260S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 13A; Idm: 78A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ80R350S
WMJ80R350S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 8.4A; Idm: 56A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.4A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+386.35 грн
3+ 287 грн
6+ 161.8 грн
15+ 153.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJ80R350S
WMJ80R350S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 8.4A; Idm: 56A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.4A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+463.62 грн
3+ 357.65 грн
6+ 194.16 грн
15+ 183.62 грн
WMJ90N60C4
Виробник: WAYON
WMJ90N60C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1088.08 грн
3+ 413.81 грн
7+ 390.96 грн
WMJ90N60F2
WMJ90N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1128.29 грн
2+ 456.86 грн
6+ 431.96 грн
WMJ90N60F2
WMJ90N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1353.95 грн
2+ 569.31 грн
6+ 518.36 грн
WMJ90N65C4
WMJ90N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1296.23 грн
2+ 516.89 грн
5+ 489.07 грн
WMJ90N65C4
WMJ90N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1555.48 грн
2+ 644.13 грн
5+ 586.89 грн
WMJ90N65F2
WMJ90N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1353 грн
2+ 547.64 грн
5+ 517.62 грн
WMJ90N65F2
WMJ90N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1623.6 грн
2+ 682.45 грн
5+ 621.15 грн
WMJ90N65SR
WMJ90N65SR
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+979.27 грн
3+ 396.09 грн
6+ 374.86 грн
WMJ90N65SR
WMJ90N65SR
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1175.12 грн
3+ 493.59 грн
6+ 449.83 грн
120+ 448.95 грн
WMJ90R260S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 10A; Idm: 50A; 310W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 310W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ90R260S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 10A; Idm: 50A; 310W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 310W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ90R360S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 7.8A; Idm: 52A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ90R360S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 7.8A; Idm: 52A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ90R500S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 6A; Idm: 40A; 138W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Technology: WMOS™ S
товар відсутній
WMJ90R500S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 6A; Idm: 40A; 138W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Technology: WMOS™ S
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ99N60C4
WMJ99N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1441.31 грн
2+ 576.2 грн
3+ 575.46 грн
5+ 544.71 грн
WMJ99N60C4
WMJ99N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1729.57 грн
2+ 718.03 грн
3+ 690.56 грн
5+ 653.66 грн
WMJ99N60F2
WMJ99N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1576.92 грн
2+ 640.62 грн
4+ 605.48 грн
WMJ99N60F2
WMJ99N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1892.31 грн
2+ 798.32 грн
4+ 726.58 грн
WMJ9N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
WMJ9N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
WMJP32N50D1
WMJP32N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+367.42 грн
3+ 273.82 грн
6+ 156.68 грн
15+ 147.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJP32N50D1
WMJP32N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+440.91 грн
3+ 341.22 грн
6+ 188.01 грн
15+ 177.47 грн
900+ 175.71 грн
WMK020N06HG4
WMK020N06HG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+93.83 грн
10+ 82.73 грн
14+ 64.43 грн
37+ 60.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMK020N06HG4
WMK020N06HG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.59 грн
10+ 103.1 грн
14+ 77.31 грн
37+ 72.92 грн
2000+ 70.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMK023N08HGS
WMK023N08HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+106.44 грн
10+ 93.71 грн
12+ 72.48 грн
33+ 68.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMK023N08HGS
WMK023N08HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.73 грн
10+ 116.78 грн
12+ 86.98 грн
33+ 81.71 грн
2000+ 79.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMK028N08HGD
WMK028N08HGD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+74.12 грн
10+ 64.65 грн
17+ 50.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
WMK028N08HGD
WMK028N08HGD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.94 грн
10+ 80.56 грн
17+ 60.71 грн
47+ 57.37 грн
2000+ 55.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMK028N10HG2
WMK028N10HG2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.85 грн
7+ 136.91 грн
18+ 129.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMK028N10HG2
WMK028N10HG2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+242.22 грн
7+ 170.61 грн
18+ 155.51 грн
2000+ 149.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMK028N10HGS
WMK028N10HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+104.87 грн
10+ 92.98 грн
12+ 72.48 грн
33+ 68.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMK028N10HGS
WMK028N10HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.84 грн
10+ 115.87 грн
12+ 86.98 грн
33+ 81.71 грн
2000+ 79.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMK030N06HG4
WMK030N06HG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+63.87 грн
10+ 55.86 грн
20+ 44.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
WMK030N06HG4
WMK030N06HG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.64 грн
10+ 69.61 грн
20+ 53.33 грн
50+ 53.24 грн
53+ 50.34 грн
1000+ 49.64 грн
2000+ 47.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMK030N06LG4
WMK030N06LG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+63.87 грн
10+ 55.86 грн
20+ 44.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]