Продукція > WAYON > WMJ99N60F2
WMJ99N60F2

WMJ99N60F2 WAYON


Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1576.92 грн
2+ 640.62 грн
4+ 605.48 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMJ99N60F2 WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ F2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 350A, Power dissipation: 460W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 25.5mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 174nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMJ99N60F2 за ціною від 726.58 грн до 1892.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
WMJ99N60F2 WMJ99N60F2 Виробник : WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1892.31 грн
2+ 798.32 грн
4+ 726.58 грн