![WMJ80R350S WMJ80R350S](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/69/11/F0/00/0/987542_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=02c092b100f7abc3081c564fac744b62e4a2c67e)
WMJ80R350S WAYON
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 8.4A; Idm: 56A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.4A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 8.4A; Idm: 56A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.4A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 386.35 грн |
3+ | 287 грн |
6+ | 161.8 грн |
15+ | 153.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMJ80R350S WAYON
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 8.4A; Idm: 56A; 183W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ S, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 8.4A, Pulsed drain current: 56A, Power dissipation: 183W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.33Ω, Mounting: THT, Gate charge: 31nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції WMJ80R350S за ціною від 183.62 грн до 463.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
WMJ80R350S | Виробник : WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 8.4A; Idm: 56A; 183W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ S Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8.4A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 183W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 298 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|