Продукція > WAYON > WMJ80R350S
WMJ80R350S

WMJ80R350S WAYON


Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 8.4A; Idm: 56A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.4A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 298 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+386.35 грн
3+ 287 грн
6+ 161.8 грн
15+ 153.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMJ80R350S WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 8.4A; Idm: 56A; 183W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ S, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 8.4A, Pulsed drain current: 56A, Power dissipation: 183W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.33Ω, Mounting: THT, Gate charge: 31nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMJ80R350S за ціною від 183.62 грн до 463.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
WMJ80R350S WMJ80R350S Виробник : WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 8.4A; Idm: 56A; 183W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.4A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+463.62 грн
3+ 357.65 грн
6+ 194.16 грн
15+ 183.62 грн