![WMJ90N65SR WMJ90N65SR](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/C8/F4/01/00/0/1068940_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=90e318b3355805aacfd4008cf0b96d3613094aea)
WMJ90N65SR WAYON
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 979.27 грн |
3+ | 396.09 грн |
6+ | 374.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMJ90N65SR WAYON
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ SR, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 350A, Power dissipation: 460W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 33mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 183nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції WMJ90N65SR за ціною від 448.95 грн до 1175.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
WMJ90N65SR | Виробник : WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ SR Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 460W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 183nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|