Продукція > WAYON > WMJ80N60EM
WMJ80N60EM

WMJ80N60EM WAYON


Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1535.92 грн
2+ 623.79 грн
4+ 590.11 грн
10+ 589.38 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMJ80N60EM WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ EM, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 48A, Pulsed drain current: 295A, Power dissipation: 430W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 43mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 142nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMJ80N60EM за ціною від 707.25 грн до 1843.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
WMJ80N60EM WMJ80N60EM Виробник : WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1843.11 грн
2+ 777.33 грн
4+ 708.13 грн
10+ 707.25 грн