![WMJ80N60EM WMJ80N60EM](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/78/F4/01/00/0/1068935_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=91e61d781b98007c1f7b52a45ef300bcc823152c)
WMJ80N60EM WAYON
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1535.92 грн |
2+ | 623.79 грн |
4+ | 590.11 грн |
10+ | 589.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMJ80N60EM WAYON
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ EM, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 48A, Pulsed drain current: 295A, Power dissipation: 430W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 43mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 142nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції WMJ80N60EM за ціною від 707.25 грн до 1843.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
WMJ80N60EM | Виробник : WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ EM Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 430W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 43mΩ Mounting: THT Gate charge: 142nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|