Продукція > WAYON > WMJ90N60F2
WMJ90N60F2

WMJ90N60F2 WAYON


Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1128.29 грн
2+ 456.86 грн
6+ 431.96 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMJ90N60F2 WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ F2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 50A, Pulsed drain current: 295A, Power dissipation: 430W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 33mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 142nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMJ90N60F2 за ціною від 518.36 грн до 1353.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
WMJ90N60F2 WMJ90N60F2 Виробник : WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1353.95 грн
2+ 569.31 грн
6+ 518.36 грн