Фото | Назва | Виробник | Інформація |
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Ціна без ПДВ |
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NCP803SN308T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP803SN308T1G - Spannungsprüfer-IC, 1.2V-5.5Vsupp., 3.08V Schwellenspannung/460ms Verzögerung, Active-Low, SOT-23-3 tariffCode: 85423990 Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verzögerungszeit: 460ms Bauform - digitaler IC: SOT-23 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.2V euEccn: NLR Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1Monitors Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schwellenspannung: 3.08V Betriebstemperatur, max.: 105°C |
на замовлення 11076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP803SN308T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP803SN308T1G - Spannungsprüfer-IC, 1.2V-5.5Vsupp., 3.08V Schwellenspannung/460ms Verzögerung, Active-Low, SOT-23-3 tariffCode: 85423990 Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verzögerungszeit: 460ms Bauform - digitaler IC: SOT-23 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.2V euEccn: NLR Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1Monitors Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schwellenspannung: 3.08V Betriebstemperatur, max.: 105°C |
на замовлення 11076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KA431AZTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KA431AZTA - Spannungsreferenz, Shunt, einstellbar, Baureihe KA431A, 2.495V auf 36V, TO-226AA-3 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Referenzspannung, max.: 36V IC-Gehäuse / Bauform: TO-226AA Referenzspannung, min.: 2.495V MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -25°C Temperaturkoeffizient: 50ppm/C Eingangsspannung, max.: 36V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: KA431A productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 1% SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KA431LZTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KA431LZTA - Spannungsreferenz, Shunt, einstellbar, Baureihe KA431L, 2.495V auf 36V, TO-226AA-3 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Referenzspannung, max.: 36V IC-Gehäuse / Bauform: TO-226AA Referenzspannung, min.: 2.495V MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -25°C Temperaturkoeffizient: 50ppm/C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: KA431L productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 0.5% SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KA431AZBU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KA431AZBU - VOLTAGE REFERENCES SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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J111 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J111 - JFET-Transistor, TO-92, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 35V rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDP036N10A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDP045N10A-F102 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTA4153NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTA4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 915mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTP067N65S3H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTP067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 266W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FAST productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BBL4001-1E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BBL4001-1E - N-CHANNEL POWER MOSFET 60V, 74A, 6.1M SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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ECH8420-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ECH8420-TL-H - N-CHANNEL POWER MOSFET 20V, 14A, 6.8M MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NTTFS003N04CTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS003N04CTAG - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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EFC4621R-TR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EFC4621R-TR - DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET, 24V MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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ECH8655R-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ECH8655R-TL-H - DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 24V, 9A,17M MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NVTFS024N06CTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL, MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NVTFWS024N06CTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFWS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL, MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NTLJS4D9N03HTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTLJS4D9N03HTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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ESD5Z5.0T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD5Z5.0T5G - ESD-Schutzbaustein, 18.6 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5 V, 500 mW, ESD5Z Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: SOD-523 Begrenzungsspannung Vc, max.: 18.6 Betriebsspannung: 5 Verlustleistung Pd: 500 Produktpalette: ESD5Z SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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ATP104-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ATP104-TL-H - MOSFET, P-CH, -30V, -75A, ATPAK-3 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 60 Bauform - Transistor: ATPAK Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: P Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0064 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: - SVHC: Lead |
товар відсутній |
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NDS332P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: - Verlustleistung Pd: 500 Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 600 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 12974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP10670BD060R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP10670BD060R2G - AC / DC CONVERTERS MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NCP10670BD100R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP10670BD100R2G - AC / DC CONVERTERS MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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FDD6612A.. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD6612A.. - N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, TO-252 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 30 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 36 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: Lead |
товар відсутній |
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NCP1034DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1034DR2G - PWM-Controller, 18V-10V Versorgungsspannung, 500kHz, SOIC-16 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP1012AP100G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1012AP100G - AC/DC CONV, FLYBACK, 8W, -40 TO 125DEGC tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 100kHz rohsCompliant: YES IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung Leistungsschalter: 700V Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DIP Maximale Nennleistung: 0 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 0 euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 0 Topologie: Flyback Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Isolation: Isoliert Nennstrom Leistungsschalter: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP10671B05GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP10671B05GEVB - HIGH-VOLTAGE SWITCHER EVALUATION BOARD tariffCode: 84733020 Prozessorkern: NCP10671BD060R2G Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCP10671BD060R2G euEccn: NLR Unterart Anwendung: SNT hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
товар відсутній |
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NCP1060AP100G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1060AP100G - IC, AC/DC-Offline-Schaltnetzteil, Flyback, 85V AC bis 265V AC, 4.7W, DIP-7 tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 100kHz rohsCompliant: YES IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung Leistungsschalter: 700V Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DIP Maximale Nennleistung: 0 MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 0 euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 0 Topologie: Flyback Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Isolation: Isoliert, nicht isoliert Nennstrom Leistungsschalter: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP10671BD100R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP10671BD100R2G - AC/DC-WANDLER 3.7W 100KHZ, -40 BIS 125°C tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 100kHz rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung Leistungsschalter: 700V Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Maximale Nennleistung: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 0 euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 0 Topologie: Buck, Buck-Boost, Flyback Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Isolation: Isoliert, nicht isoliert Nennstrom Leistungsschalter: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP10970BGEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP10970BGEVB - Evaluationsboard, NCP10970B1DR2G, Power-Management, Abwärtswandler (Buck) Prozessorkern: NCP10970B1DR2G Kit-Anwendungsbereich: Power-Management Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCP10970B1DR2G Unterart Anwendung: Buck-Wandler Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP10671BD100R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP10671BD100R2G - AC/DC-WANDLER 3.7W 100KHZ, -40 BIS 125°C tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 100kHz rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung Leistungsschalter: 700V Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Maximale Nennleistung: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 0 euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 0 Topologie: Buck, Buck-Boost, Flyback Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Isolation: Isoliert, nicht isoliert Nennstrom Leistungsschalter: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KSD1616AYTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD1616AYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 135hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FSB50450BS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB50450BS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 5 A, 1500 Vrms, SPM5Q-023, SPM5 IPM-Leistungsbaustein: MOSFET IPM-Baureihe: SPM5 Isolationsspannung: 1500 Nennstrom (Ic/Id): 5 Nennspannung (Vces / Vdss): 500 Bauform - IPM: SPM5Q-023 Produktpalette: Motion SPM 5 Series SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FSB50825B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB50825B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 250 V, 3.6 A, 1.5 kV, SPM5P-023, SPM5 IPM-Leistungsbaustein: MOSFET IPM-Baureihe: SPM5 Isolationsspannung: 1.5 Nennstrom (Ic/Id): 3.6 Nennspannung (Vces / Vdss): 250 Bauform - IPM: SPM5P-023 Produktpalette: Motion SPM 5 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FSB560 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB560 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 500 mW, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FSB50250B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB50250B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 1.9 A, 1.5 kV, SPM5P-023, SPM5 tariffCode: 85412900 IPM-Leistungsbaustein: MOSFET productTraceability: No IPM-Baureihe: SPM5 rohsCompliant: YES Isolationsspannung: 1.5kV euEccn: NLR hazardous: false Nennstrom (Ic/Id): 1.9A rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung (Vces / Vdss): 500V usEccn: EAR99 Bauform - IPM: SPM5P-023 Produktpalette: Motion SPM 5 Series SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FSB560 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB560 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 500 mW, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FSB50250BS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB50250BS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 1.9 A, 1.5 kV, SPM5Q-023, SPM5 tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Bauform - IPM: SPM5Q-023 Nennspannung (Vces / Vdss): 500V Isolationsspannung: 1.5kV euEccn: NLR Nennstrom (Ic/Id): 1.9A Produktpalette: Motion SPM 5 Series IPM-Leistungsbaustein: MOSFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code IPM-Baureihe: SPM5 SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FSB50250BS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB50250BS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 1.9 A, 1.5 kV, SPM5Q-023, SPM5 tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Bauform - IPM: SPM5Q-023 Nennspannung (Vces / Vdss): 500V Isolationsspannung: 1.5kV euEccn: NLR Nennstrom (Ic/Id): 1.9A Produktpalette: Motion SPM 5 Series IPM-Leistungsbaustein: MOSFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code IPM-Baureihe: SPM5 SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FSB50450BL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB50450BL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 2.2 A, 1.5 kV, SPM5E-023, SPM5 IPM-Leistungsbaustein: MOSFET IPM-Baureihe: SPM5 Isolationsspannung: 1.5 Nennstrom (Ic/Id): 2.2 Nennspannung (Vces / Vdss): 500 Bauform - IPM: SPM5E-023 Produktpalette: Motion SPM 5 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FSB50550BSL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB50550BSL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 3 A, 1.5 kV, SPM5H-023, SPM5 IPM-Leistungsbaustein: MOSFET IPM-Baureihe: SPM5 Isolationsspannung: 1.5 Nennstrom (Ic/Id): 3 Nennspannung (Vces / Vdss): 500 Bauform - IPM: SPM5H-023 Produktpalette: Motion SPM 5 Series SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FSB50550BB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB50550BB - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 3 A, 1.5 kV, DIP, SPM5 tariffCode: 85429000 IPM-Leistungsbaustein: MOSFET productTraceability: No IPM-Baureihe: SPM5 rohsCompliant: YES Isolationsspannung: 1.5kV euEccn: NLR hazardous: false Nennstrom (Ic/Id): 3A rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung (Vces / Vdss): 500V usEccn: EAR99 Bauform - IPM: DIP Produktpalette: Motion SPM 5 Series SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FSB50450BSL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB50450BSL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 2.2 A, 1.5 kV, SPM5H-023, SPM5 IPM-Leistungsbaustein: MOSFET IPM-Baureihe: SPM5 Isolationsspannung: 1.5 Nennstrom (Ic/Id): 2.2 Nennspannung (Vces / Vdss): 500 Bauform - IPM: SPM5H-023 Produktpalette: Motion SPM 5 Series SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FSB50550BL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB50550BL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 3 A, 1.5 kV, SPM5E-023, SPM5 IPM-Leistungsbaustein: MOSFET IPM-Baureihe: SPM5 Isolationsspannung: 1.5 Nennstrom (Ic/Id): 3 Nennspannung (Vces / Vdss): 500 Bauform - IPM: SPM5E-023 Produktpalette: Motion SPM 5 Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FSB50550AB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB50550AB - INTELLIGENT POWER MODULE, 500V, 5A SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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FSB50450AS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB50450AS - INTELLIGENT POWER MODULE, 500V, 4A SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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FSB50550B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB50550B - INTELLIGENT POWER MODULE, 500V, 5A SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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J111-D26Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J111-D26Z - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -10 V, TO-226AA, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: - usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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J111-D74Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J111-D74Z - JFET CHOPPER TRANSISTORS SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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J111.. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J111.. - JFET-Transistor, JFET, 35 V, 20 mA, 10 V, TO-92, JFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20 Durchbruchspannung Vbr: 35 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: - Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 10 Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товар відсутній |
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2N4403TFR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4403TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 999mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N4403BU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4403BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N4403TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4403TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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P6KE400A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - P6KE400A - TVS-Diode, TVS, P6KE4, Unidirektional, 342 V, 548 V, DO-15, 2 Pin(s) Bauform - Diode: DO-15 Sperrspannung Vrwm: 342 Durchbruchspannung, min.: 380 Durchbruchspannung, max.: 420 Sperrspannung: 342 Spitzenimpulsverlustleistung: 600 Begrenzungsspannung Vc, max.: 548 TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: P6KE4 Klemmspannung, max.: 548 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
товар відсутній |
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P6KE400A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - P6KE400A - TVS-Diode, TVS, P6KE4, Unidirektional, 342 V, 548 V, DO-15, 2 Pin(s) Bauform - Diode: DO-15 Sperrspannung Vrwm: 342 Durchbruchspannung, min.: 380 Durchbruchspannung, max.: 420 Sperrspannung: 342 Spitzenimpulsverlustleistung: 600 Begrenzungsspannung Vc, max.: 548 TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: P6KE4 Klemmspannung, max.: 548 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
товар відсутній |
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NCP1081DER2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1081DER2G - PoE-Controller (Power Over Ethernet), 57V, 500kHz Schalt-/Taktfrequenz, UVLO ab 38V, TSSOP-20 Bauform - Controller-IC: TSSOP Ausgangsstrom: - PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at MSL: MSL 2A - 4 Wochen Tastverhältnis (%): 80 Frequenz: 500 Leistung, max.: 40 Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -40 Eingangsspannung: 57 Anzahl der Pins: 20 UVLO: 38 Produktpalette: - PoE-Controller: PD-Controller Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 1053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FGAF40N60UFTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGAF40N60UFTU - IGBT, Universal, 40 A, 6.5 V, 100 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 6.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDC6420C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 11526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV7240BDPR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7240BDPR2G - Relaistreiber, AEC-Q100, 5V Versorgungsspannung, SSOP-24, -40°C bis 150°C Ausgangsstrom: 950 MSL: MSL 2 - 1 Jahr Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: - Bauform - Treiber: SSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 24 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NCV7240DPR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7240DPR2G - Relaistreiber, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 600mAout, SSOP-24 Ausgangsstrom: 600 MSL: MSL 2 - 1 Jahr Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 3 Bauform - Treiber: SSOP Anzahl der Pins: 24 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
товар відсутній |
NCP803SN308T1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP803SN308T1G - Spannungsprüfer-IC, 1.2V-5.5Vsupp., 3.08V Schwellenspannung/460ms Verzögerung, Active-Low, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 460ms
Bauform - digitaler IC: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1Monitors
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schwellenspannung: 3.08V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Description: ONSEMI - NCP803SN308T1G - Spannungsprüfer-IC, 1.2V-5.5Vsupp., 3.08V Schwellenspannung/460ms Verzögerung, Active-Low, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 460ms
Bauform - digitaler IC: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1Monitors
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schwellenspannung: 3.08V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 11076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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14+ | 59.03 грн |
17+ | 48 грн |
100+ | 29.63 грн |
500+ | 19.96 грн |
3000+ | 16.48 грн |
9000+ | 16.15 грн |
NCP803SN308T1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP803SN308T1G - Spannungsprüfer-IC, 1.2V-5.5Vsupp., 3.08V Schwellenspannung/460ms Verzögerung, Active-Low, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 460ms
Bauform - digitaler IC: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1Monitors
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schwellenspannung: 3.08V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Description: ONSEMI - NCP803SN308T1G - Spannungsprüfer-IC, 1.2V-5.5Vsupp., 3.08V Schwellenspannung/460ms Verzögerung, Active-Low, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 460ms
Bauform - digitaler IC: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1Monitors
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schwellenspannung: 3.08V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 11076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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100+ | 29.63 грн |
500+ | 19.96 грн |
3000+ | 16.48 грн |
9000+ | 16.15 грн |
KA431AZTA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KA431AZTA - Spannungsreferenz, Shunt, einstellbar, Baureihe KA431A, 2.495V auf 36V, TO-226AA-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-226AA
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KA431A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - KA431AZTA - Spannungsreferenz, Shunt, einstellbar, Baureihe KA431A, 2.495V auf 36V, TO-226AA-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-226AA
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KA431A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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21+ | 38.31 грн |
32+ | 25.17 грн |
100+ | 10.24 грн |
KA431LZTA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KA431LZTA - Spannungsreferenz, Shunt, einstellbar, Baureihe KA431L, 2.495V auf 36V, TO-226AA-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-226AA
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KA431L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - KA431LZTA - Spannungsreferenz, Shunt, einstellbar, Baureihe KA431L, 2.495V auf 36V, TO-226AA-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-226AA
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KA431L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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24+ | 33.38 грн |
36+ | 22.2 грн |
100+ | 9.69 грн |
500+ | 7.15 грн |
1000+ | 4.89 грн |
KA431AZBU |
товар відсутній
J111 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J111 - JFET-Transistor, TO-92, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - J111 - JFET-Transistor, TO-92, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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21+ | 37.37 грн |
30+ | 26.11 грн |
100+ | 10.79 грн |
FDP036N10A |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 327.57 грн |
10+ | 250.17 грн |
100+ | 225.94 грн |
500+ | 202.54 грн |
FDP045N10A-F102 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 327.57 грн |
10+ | 233.76 грн |
100+ | 200.14 грн |
NTA4153NT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTA4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTA4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
29+ | 27.28 грн |
41+ | 19.31 грн |
100+ | 8.29 грн |
500+ | 5.18 грн |
3000+ | 3.97 грн |
NTP067N65S3H |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTP067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 641.85 грн |
5+ | 598.85 грн |
10+ | 555.86 грн |
50+ | 439.2 грн |
100+ | 379.95 грн |
250+ | 365.88 грн |
BBL4001-1E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BBL4001-1E - N-CHANNEL POWER MOSFET 60V, 74A, 6.1M
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BBL4001-1E - N-CHANNEL POWER MOSFET 60V, 74A, 6.1M
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
ECH8420-TL-H |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8420-TL-H - N-CHANNEL POWER MOSFET 20V, 14A, 6.8M
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - ECH8420-TL-H - N-CHANNEL POWER MOSFET 20V, 14A, 6.8M
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTTFS003N04CTAG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS003N04CTAG - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS003N04CTAG - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
EFC4621R-TR |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EFC4621R-TR - DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET, 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - EFC4621R-TR - DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET, 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
ECH8655R-TL-H |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8655R-TL-H - DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 24V, 9A,17M
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - ECH8655R-TL-H - DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 24V, 9A,17M
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NVTFS024N06CTAG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NVTFS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NVTFWS024N06CTAG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFWS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NVTFWS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTLJS4D9N03HTAG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTLJS4D9N03HTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTLJS4D9N03HTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
ESD5Z5.0T5G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD5Z5.0T5G - ESD-Schutzbaustein, 18.6 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5 V, 500 mW, ESD5Z
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-523
Begrenzungsspannung Vc, max.: 18.6
Betriebsspannung: 5
Verlustleistung Pd: 500
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - ESD5Z5.0T5G - ESD-Schutzbaustein, 18.6 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5 V, 500 mW, ESD5Z
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-523
Begrenzungsspannung Vc, max.: 18.6
Betriebsspannung: 5
Verlustleistung Pd: 500
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
ATP104-TL-H |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP104-TL-H - MOSFET, P-CH, -30V, -75A, ATPAK-3
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0064
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead
Description: ONSEMI - ATP104-TL-H - MOSFET, P-CH, -30V, -75A, ATPAK-3
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0064
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead
товар відсутній
NDS332P |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 600
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 600
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 12974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 42.14 грн |
23+ | 34.79 грн |
100+ | 23.3 грн |
500+ | 13.21 грн |
3000+ | 11.93 грн |
9000+ | 11.73 грн |
NCP10670BD060R2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP10670BD060R2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP10670BD060R2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCP10670BD100R2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP10670BD100R2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP10670BD100R2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDD6612A.. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6612A.. - N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, TO-252
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 36
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead
Description: ONSEMI - FDD6612A.. - N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, TO-252
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 36
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead
товар відсутній
NCP1034DR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1034DR2G - PWM-Controller, 18V-10V Versorgungsspannung, 500kHz, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP1034DR2G - PWM-Controller, 18V-10V Versorgungsspannung, 500kHz, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 215.78 грн |
10+ | 153.23 грн |
100+ | 129.78 грн |
500+ | 108.17 грн |
2500+ | 97.84 грн |
NCP1012AP100G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1012AP100G - AC/DC CONV, FLYBACK, 8W, -40 TO 125DEGC
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 0
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 0
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1012AP100G - AC/DC CONV, FLYBACK, 8W, -40 TO 125DEGC
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 0
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 0
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 83.65 грн |
12+ | 65.51 грн |
NCP10671B05GEVB |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP10671B05GEVB - HIGH-VOLTAGE SWITCHER EVALUATION BOARD
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCP10671BD060R2G
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCP10671BD060R2G
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: SNT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCP10671B05GEVB - HIGH-VOLTAGE SWITCHER EVALUATION BOARD
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCP10671BD060R2G
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCP10671BD060R2G
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: SNT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товар відсутній
NCP1060AP100G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1060AP100G - IC, AC/DC-Offline-Schaltnetzteil, Flyback, 85V AC bis 265V AC, 4.7W, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 0
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 0
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert, nicht isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP1060AP100G - IC, AC/DC-Offline-Schaltnetzteil, Flyback, 85V AC bis 265V AC, 4.7W, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 0
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 0
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert, nicht isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 78.96 грн |
13+ | 61.45 грн |
50+ | 50.58 грн |
100+ | 36.88 грн |
250+ | 33.37 грн |
NCP10671BD100R2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP10671BD100R2G - AC/DC-WANDLER 3.7W 100KHZ, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 0
Topologie: Buck, Buck-Boost, Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert, nicht isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP10671BD100R2G - AC/DC-WANDLER 3.7W 100KHZ, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 0
Topologie: Buck, Buck-Boost, Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert, nicht isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 50.89 грн |
500+ | 35.28 грн |
2500+ | 30.89 грн |
NCP10970BGEVB |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP10970BGEVB - Evaluationsboard, NCP10970B1DR2G, Power-Management, Abwärtswandler (Buck)
Prozessorkern: NCP10970B1DR2G
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCP10970B1DR2G
Unterart Anwendung: Buck-Wandler
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP10970BGEVB - Evaluationsboard, NCP10970B1DR2G, Power-Management, Abwärtswandler (Buck)
Prozessorkern: NCP10970B1DR2G
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCP10970B1DR2G
Unterart Anwendung: Buck-Wandler
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6760.95 грн |
NCP10671BD100R2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP10671BD100R2G - AC/DC-WANDLER 3.7W 100KHZ, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 0
Topologie: Buck, Buck-Boost, Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert, nicht isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP10671BD100R2G - AC/DC-WANDLER 3.7W 100KHZ, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 0
Topologie: Buck, Buck-Boost, Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert, nicht isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 102.41 грн |
12+ | 71.07 грн |
100+ | 50.89 грн |
500+ | 35.28 грн |
2500+ | 30.89 грн |
KSD1616AYTA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD1616AYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 135hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - KSD1616AYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 135hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 34.16 грн |
30+ | 26.27 грн |
100+ | 13.06 грн |
500+ | 9.66 грн |
1000+ | 6.57 грн |
FSB50450BS |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50450BS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 5 A, 1500 Vrms, SPM5Q-023, SPM5
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
IPM-Baureihe: SPM5
Isolationsspannung: 1500
Nennstrom (Ic/Id): 5
Nennspannung (Vces / Vdss): 500
Bauform - IPM: SPM5Q-023
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FSB50450BS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 5 A, 1500 Vrms, SPM5Q-023, SPM5
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
IPM-Baureihe: SPM5
Isolationsspannung: 1500
Nennstrom (Ic/Id): 5
Nennspannung (Vces / Vdss): 500
Bauform - IPM: SPM5Q-023
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 475.33 грн |
10+ | 396.37 грн |
100+ | 297.08 грн |
FSB50825B |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50825B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 250 V, 3.6 A, 1.5 kV, SPM5P-023, SPM5
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
IPM-Baureihe: SPM5
Isolationsspannung: 1.5
Nennstrom (Ic/Id): 3.6
Nennspannung (Vces / Vdss): 250
Bauform - IPM: SPM5P-023
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FSB50825B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 250 V, 3.6 A, 1.5 kV, SPM5P-023, SPM5
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
IPM-Baureihe: SPM5
Isolationsspannung: 1.5
Nennstrom (Ic/Id): 3.6
Nennspannung (Vces / Vdss): 250
Bauform - IPM: SPM5P-023
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 552.73 грн |
5+ | 514.42 грн |
10+ | 476.11 грн |
50+ | 413.07 грн |
100+ | 354.49 грн |
250+ | 345.11 грн |
FSB560 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB560 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 500 mW, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FSB560 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 500 mW, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
26+ | 30.1 грн |
31+ | 25.41 грн |
100+ | 17.98 грн |
500+ | 13.94 грн |
FSB50250B |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50250B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 1.9 A, 1.5 kV, SPM5P-023, SPM5
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: No
IPM-Baureihe: SPM5
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 1.9A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM5P-023
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FSB50250B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 1.9 A, 1.5 kV, SPM5P-023, SPM5
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: No
IPM-Baureihe: SPM5
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 1.9A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM5P-023
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 218.12 грн |
FSB560 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB560 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 500 mW, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FSB560 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 500 mW, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 17.98 грн |
500+ | 13.94 грн |
FSB50250BS |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50250BS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 1.9 A, 1.5 kV, SPM5Q-023, SPM5
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM5Q-023
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 1.9A
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM5
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FSB50250BS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 1.9 A, 1.5 kV, SPM5Q-023, SPM5
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM5Q-023
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 1.9A
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM5
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 490.18 грн |
25+ | 467.51 грн |
FSB50250BS |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50250BS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 1.9 A, 1.5 kV, SPM5Q-023, SPM5
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM5Q-023
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 1.9A
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM5
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FSB50250BS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 1.9 A, 1.5 kV, SPM5Q-023, SPM5
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM5Q-023
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 1.9A
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM5
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 591.82 грн |
10+ | 490.18 грн |
25+ | 467.51 грн |
FSB50450BL |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50450BL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 2.2 A, 1.5 kV, SPM5E-023, SPM5
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
IPM-Baureihe: SPM5
Isolationsspannung: 1.5
Nennstrom (Ic/Id): 2.2
Nennspannung (Vces / Vdss): 500
Bauform - IPM: SPM5E-023
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FSB50450BL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 2.2 A, 1.5 kV, SPM5E-023, SPM5
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
IPM-Baureihe: SPM5
Isolationsspannung: 1.5
Nennstrom (Ic/Id): 2.2
Nennspannung (Vces / Vdss): 500
Bauform - IPM: SPM5E-023
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 469.86 грн |
5+ | 442.5 грн |
10+ | 415.13 грн |
50+ | 358.62 грн |
100+ | 306.24 грн |
250+ | 298.2 грн |
FSB50550BSL |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50550BSL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 3 A, 1.5 kV, SPM5H-023, SPM5
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
IPM-Baureihe: SPM5
Isolationsspannung: 1.5
Nennstrom (Ic/Id): 3
Nennspannung (Vces / Vdss): 500
Bauform - IPM: SPM5H-023
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FSB50550BSL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 3 A, 1.5 kV, SPM5H-023, SPM5
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
IPM-Baureihe: SPM5
Isolationsspannung: 1.5
Nennstrom (Ic/Id): 3
Nennspannung (Vces / Vdss): 500
Bauform - IPM: SPM5H-023
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 524.58 грн |
10+ | 464.39 грн |
100+ | 351.81 грн |
FSB50550BB |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50550BB - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 3 A, 1.5 kV, DIP, SPM5
tariffCode: 85429000
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: No
IPM-Baureihe: SPM5
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 3A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FSB50550BB - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 3 A, 1.5 kV, DIP, SPM5
tariffCode: 85429000
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: No
IPM-Baureihe: SPM5
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 3A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 372.92 грн |
5+ | 340.86 грн |
10+ | 308.81 грн |
50+ | 286.02 грн |
FSB50450BSL |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50450BSL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 2.2 A, 1.5 kV, SPM5H-023, SPM5
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
IPM-Baureihe: SPM5
Isolationsspannung: 1.5
Nennstrom (Ic/Id): 2.2
Nennspannung (Vces / Vdss): 500
Bauform - IPM: SPM5H-023
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FSB50450BSL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 2.2 A, 1.5 kV, SPM5H-023, SPM5
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
IPM-Baureihe: SPM5
Isolationsspannung: 1.5
Nennstrom (Ic/Id): 2.2
Nennspannung (Vces / Vdss): 500
Bauform - IPM: SPM5H-023
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 469.86 грн |
10+ | 415.91 грн |
100+ | 311.94 грн |
FSB50550BL |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50550BL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 3 A, 1.5 kV, SPM5E-023, SPM5
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
IPM-Baureihe: SPM5
Isolationsspannung: 1.5
Nennstrom (Ic/Id): 3
Nennspannung (Vces / Vdss): 500
Bauform - IPM: SPM5E-023
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FSB50550BL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 3 A, 1.5 kV, SPM5E-023, SPM5
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
IPM-Baureihe: SPM5
Isolationsspannung: 1.5
Nennstrom (Ic/Id): 3
Nennspannung (Vces / Vdss): 500
Bauform - IPM: SPM5E-023
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 534.75 грн |
5+ | 503.48 грн |
10+ | 472.2 грн |
50+ | 407.98 грн |
100+ | 348.46 грн |
250+ | 340.42 грн |
FSB50550AB |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50550AB - INTELLIGENT POWER MODULE, 500V, 5A
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FSB50550AB - INTELLIGENT POWER MODULE, 500V, 5A
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FSB50450AS |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50450AS - INTELLIGENT POWER MODULE, 500V, 4A
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FSB50450AS - INTELLIGENT POWER MODULE, 500V, 4A
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FSB50550B |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50550B - INTELLIGENT POWER MODULE, 500V, 5A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FSB50550B - INTELLIGENT POWER MODULE, 500V, 5A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
J111-D26Z |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J111-D26Z - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -10 V, TO-226AA, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - J111-D26Z - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -10 V, TO-226AA, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 37.6 грн |
28+ | 28.85 грн |
100+ | 14.38 грн |
500+ | 13.07 грн |
J111-D74Z |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J111-D74Z - JFET CHOPPER TRANSISTORS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - J111-D74Z - JFET CHOPPER TRANSISTORS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
J111.. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J111.. - JFET-Transistor, JFET, 35 V, 20 mA, 10 V, TO-92, JFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20
Durchbruchspannung Vbr: 35
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: -
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 10
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - J111.. - JFET-Transistor, JFET, 35 V, 20 mA, 10 V, TO-92, JFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20
Durchbruchspannung Vbr: 35
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: -
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 10
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
2N4403TFR |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4403TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 999mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2N4403TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 999mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
31+ | 25.49 грн |
45+ | 17.43 грн |
100+ | 10.09 грн |
500+ | 6.46 грн |
1000+ | 3.28 грн |
2N4403BU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4403BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2N4403BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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31+ | 25.49 грн |
45+ | 17.51 грн |
115+ | 6.8 грн |
500+ | 4.72 грн |
1000+ | 2.95 грн |
5000+ | 2.88 грн |
2N4403TA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4403TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2N4403TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 23.38 грн |
49+ | 16.26 грн |
130+ | 6.02 грн |
500+ | 5.52 грн |
P6KE400A |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - P6KE400A - TVS-Diode, TVS, P6KE4, Unidirektional, 342 V, 548 V, DO-15, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-15
Sperrspannung Vrwm: 342
Durchbruchspannung, min.: 380
Durchbruchspannung, max.: 420
Sperrspannung: 342
Spitzenimpulsverlustleistung: 600
Begrenzungsspannung Vc, max.: 548
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: P6KE4
Klemmspannung, max.: 548
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - P6KE400A - TVS-Diode, TVS, P6KE4, Unidirektional, 342 V, 548 V, DO-15, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-15
Sperrspannung Vrwm: 342
Durchbruchspannung, min.: 380
Durchbruchspannung, max.: 420
Sperrspannung: 342
Spitzenimpulsverlustleistung: 600
Begrenzungsspannung Vc, max.: 548
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: P6KE4
Klemmspannung, max.: 548
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товар відсутній
P6KE400A |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - P6KE400A - TVS-Diode, TVS, P6KE4, Unidirektional, 342 V, 548 V, DO-15, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-15
Sperrspannung Vrwm: 342
Durchbruchspannung, min.: 380
Durchbruchspannung, max.: 420
Sperrspannung: 342
Spitzenimpulsverlustleistung: 600
Begrenzungsspannung Vc, max.: 548
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: P6KE4
Klemmspannung, max.: 548
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - P6KE400A - TVS-Diode, TVS, P6KE4, Unidirektional, 342 V, 548 V, DO-15, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-15
Sperrspannung Vrwm: 342
Durchbruchspannung, min.: 380
Durchbruchspannung, max.: 420
Sperrspannung: 342
Spitzenimpulsverlustleistung: 600
Begrenzungsspannung Vc, max.: 548
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: P6KE4
Klemmspannung, max.: 548
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товар відсутній
NCP1081DER2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1081DER2G - PoE-Controller (Power Over Ethernet), 57V, 500kHz Schalt-/Taktfrequenz, UVLO ab 38V, TSSOP-20
Bauform - Controller-IC: TSSOP
Ausgangsstrom: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Tastverhältnis (%): 80
Frequenz: 500
Leistung, max.: 40
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung: 57
Anzahl der Pins: 20
UVLO: 38
Produktpalette: -
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP1081DER2G - PoE-Controller (Power Over Ethernet), 57V, 500kHz Schalt-/Taktfrequenz, UVLO ab 38V, TSSOP-20
Bauform - Controller-IC: TSSOP
Ausgangsstrom: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Tastverhältnis (%): 80
Frequenz: 500
Leistung, max.: 40
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung: 57
Anzahl der Pins: 20
UVLO: 38
Produktpalette: -
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 136.81 грн |
10+ | 116.49 грн |
100+ | 95.38 грн |
500+ | 81.31 грн |
FGAF40N60UFTU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGAF40N60UFTU - IGBT, Universal, 40 A, 6.5 V, 100 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 6.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FGAF40N60UFTU - IGBT, Universal, 40 A, 6.5 V, 100 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 6.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 277.54 грн |
10+ | 195.45 грн |
100+ | 132.12 грн |
FDC6420C |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 50.97 грн |
20+ | 39.64 грн |
100+ | 26.5 грн |
500+ | 20.54 грн |
NCV7240BDPR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7240BDPR2G - Relaistreiber, AEC-Q100, 5V Versorgungsspannung, SSOP-24, -40°C bis 150°C
Ausgangsstrom: 950
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Treiber: SSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCV7240BDPR2G - Relaistreiber, AEC-Q100, 5V Versorgungsspannung, SSOP-24, -40°C bis 150°C
Ausgangsstrom: 950
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Treiber: SSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCV7240DPR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7240DPR2G - Relaistreiber, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 600mAout, SSOP-24
Ausgangsstrom: 600
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Bauform - Treiber: SSOP
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: ONSEMI - NCV7240DPR2G - Relaistreiber, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 600mAout, SSOP-24
Ausgangsstrom: 600
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Bauform - Treiber: SSOP
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній