NTA4153NT1G ON Semiconductor
на замовлення 414000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.88 грн |
| 6000+ | 3.99 грн |
| 15000+ | 3.85 грн |
| 30000+ | 3.53 грн |
| 75000+ | 3.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTA4153NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTA4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-75, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 915mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-75, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTA4153NT1G за ціною від 2.93 грн до 27.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTA4153NT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC75Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V |
на замовлення 296727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTA4153NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.915A; 0.3W; SC75 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.915A Power dissipation: 0.3W Case: SC75 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.82nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 4350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTA4153NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 414000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTA4153NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.915A; 0.3W; SC75 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.915A Power dissipation: 0.3W Case: SC75 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.82nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 4350 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTA4153NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET 20V 915mA N-Channel |
на замовлення 151745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTA4153NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V |
на замовлення 296926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTA4153NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTA4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 915mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTA4153NT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SOT-416 NTA4153NT3G NTA4153NT1G TNTA4153n кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NTA4153NT1G | Виробник : On Semiconductor |
Small Signal MOSFET N-Channel with ESD Protection, 20 V, 915mA,, SOT-416 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
NTA4153NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SOT-416 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTA4153NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SOT-416 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NTA4153NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SOT-416 T/R |
товар відсутній |