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без ПДВ
TL431BVDR2G TL431BVDR2G ONSEMI 1878424.pdf Description: ONSEMI - TL431BVDR2G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431B, 2.495V bis 36V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TL431B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
SB10-05P-TD-E SB10-05P-TD-E ONSEMI ONSM-S-A0000714907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s)
Bauform - Diode: SOT-89
Durchlassstoßstrom: 10
Durchlassspannung Vf max.: 550
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
SB10-05P-TD-E SB10-05P-TD-E ONSEMI ONSM-S-A0000714907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s)
Bauform - Diode: SOT-89
Durchlassstoßstrom: 10
Durchlassspannung Vf max.: 550
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTR4101PT1G NTR4101PT1G ONSEMI 2255278.pdf Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 59891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.59 грн
37+ 21.52 грн
100+ 9.54 грн
500+ 8.71 грн
Мінімальне замовлення: 24
NTR4101PT1H NTR4101PT1H ONSEMI ntr4101p-d.pdf Description: ONSEMI - NTR4101PT1H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.92 грн
25+ 32.48 грн
100+ 16.72 грн
500+ 15.23 грн
Мінімальне замовлення: 18
NTR4101PT1G NTR4101PT1G ONSEMI 2255278.pdf Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 59891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.54 грн
500+ 8.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDPF39N20 FDPF39N20 ONSEMI 1875363.pdf Description: ONSEMI - FDPF39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.066 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.46 грн
10+ 124.58 грн
100+ 95.4 грн
500+ 79.07 грн
1000+ 62.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDPF39N20TLDTU ONSEMI ONSM-S-A0003584209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF39N20TLDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 39
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 37
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
BC849BLT1G BC849BLT1G ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: 0
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+13.8 грн
87+ 9.15 грн
159+ 4.96 грн
500+ 4.51 грн
Мінімальне замовлення: 58
BC849CLT1G BC849CLT1G ONSEMI 1841985.pdf Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: 0
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: 0
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
BC849CLT1G BC849CLT1G ONSEMI 1841985.pdf Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: 0
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: 0
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+9.3 грн
122+ 6.48 грн
290+ 2.73 грн
500+ 2.48 грн
Мінімальне замовлення: 85
LV5686PVC-XH LV5686PVC-XH ONSEMI 2337895.pdf Description: ONSEMI - LV5686PVC-XH - Power-Management-IC, 16V Versorgungsspannung, 3 LDO-Regler, 9 geregelte Ausgänge, SIP-15
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung: 16V
rohsCompliant: YES
Anzahl der geregelten Ausgänge: 9
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - digitaler IC: SIP
usEccn: EAR99
Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der LDO-Regler: 3
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
DF01S2 DF01S2 ONSEMI DF10S2-D.pdf Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
DF01S. DF01S. ONSEMI 2303915.pdf Description: ONSEMI - DF01S. - DIODE, FULL REEL
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: DIP
Montage des Brückengleichrichters: Surface Mount
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead
товар відсутній
DF01S2 DF01S2 ONSEMI DF10S2-D.pdf Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NTGD4167CT1G NTGD4167CT1G ONSEMI ONSM-S-A0013300330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.69 грн
18+ 44.47 грн
100+ 29.88 грн
500+ 16.99 грн
3000+ 13.25 грн
Мінімальне замовлення: 15
NTGD1100LT1G NTGD1100LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013296077-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTGD1100LT1G NTGD1100LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013296077-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTGD3148NT1G NTGD3148NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013669881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.76 грн
22+ 36.82 грн
100+ 23.1 грн
500+ 16.77 грн
Мінімальне замовлення: 19
NTGD3148NT1G NTGD3148NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013669881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.1 грн
500+ 16.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
NSVJ6904DSB6T1G NSVJ6904DSB6T1G ONSEMI 2711422.pdf Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.77 грн
16+ 50.78 грн
100+ 49.12 грн
500+ 44.08 грн
3000+ 39.2 грн
Мінімальне замовлення: 14
BZX85C5V1. BZX85C5V1. ONSEMI 2284018.pdf Description: ONSEMI - BZX85C5V1. - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 5.1
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX85C
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 5.1
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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GBPC2504 GBPC2504 ONSEMI ONSM-S-A0013296829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - GBPC2504 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 25 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.88 грн
10+ 279.9 грн
100+ 264.92 грн
500+ 232.09 грн
1000+ 201.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
GBPC1510 GBPC1510 ONSEMI 2303940.pdf Description: ONSEMI - GBPC1510 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 15 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.75 грн
10+ 262.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
74AC245SC 74AC245SC ONSEMI ONSM-S-A0003547203-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 74AC245SC - Puffer, 74AC245, 2V bis 6V, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.4 грн
12+ 69.62 грн
50+ 66.47 грн
100+ 58.72 грн
250+ 53.12 грн
500+ 52.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
74AC245SCX 74AC245SCX ONSEMI 172303.pdf Description: ONSEMI - 74AC245SCX - Transceiver, 74AC245, 2V bis 6V, WSOIC-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: WSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver, bidirektional
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.35 грн
10+ 79.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SK3747-1E 2SK3747-1E ONSEMI 2237061.pdf Description: ONSEMI - 2SK3747-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
FPF2290BUCX-F130 FPF2290BUCX-F130 ONSEMI FPF2290-D.PDF Description: ONSEMI - FPF2290BUCX-F130 - OVER-VOLTAGE PROTECTION LOAD SWITCH
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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NLVVHC1G132DFT1G NLVVHC1G132DFT1G ONSEMI 2907171.pdf Description: ONSEMI - NLVVHC1G132DFT1G - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74VHC1G132
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 26955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.75 грн
44+ 17.98 грн
100+ 15.93 грн
500+ 12.89 грн
3000+ 10.14 грн
9000+ 8.38 грн
24000+ 6.63 грн
Мінімальне замовлення: 29
NLVVHC1G132DFT1G NLVVHC1G132DFT1G ONSEMI 2907171.pdf Description: ONSEMI - NLVVHC1G132DFT1G - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74VHC1G132
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 26955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.93 грн
500+ 12.89 грн
3000+ 10.14 грн
9000+ 8.38 грн
24000+ 6.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
NBA3N200SDG NBA3N200SDG ONSEMI 2354973.pdf Description: ONSEMI - NBA3N200SDG - LVDS-Treiber, Kfz-Anwendungen, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 160 ps, 24 mA, -40 °C, 125 °C
Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger
Datenübertragungsrate: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: 160
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
ESD-Schutz gemäß HBM: 6
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 24
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NBA3N206SDG NBA3N206SDG ONSEMI 2354975.pdf Description: ONSEMI - NBA3N206SDG - LVDS-Treiber, Kfz-Anwendungen, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 150 ps, 24 mA, -40 °C, 125 °C
Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger
Datenübertragungsrate: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: 150
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
ESD-Schutz gemäß HBM: 6
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 24
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NBA3N201SDR2G NBA3N201SDR2G ONSEMI NBA3N201S-D.PDF Description: ONSEMI - NBA3N201SDR2G - LVDS-Treiber, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 160 ps, 24 mA, -85 °C, 125 °C, 3 V
Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger
Datenübertragungsrate: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -85
Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: 160
Bauform - Treiber: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
ESD-Schutz gemäß HBM: 6
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 24
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NBA3N206SDR2G NBA3N206SDR2G ONSEMI NBA3N206S-D.PDF Description: ONSEMI - NBA3N206SDR2G - LVDS-Treiber, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 150 ps, 24 mA, -40 °C, 125 °C, 3 V
Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger
Datenübertragungsrate: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: 150
Bauform - Treiber: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
ESD-Schutz gemäß HBM: 6
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 24
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NBA3N200SDR2G NBA3N200SDR2G ONSEMI NBA3N200S-D.PDF Description: ONSEMI - NBA3N200SDR2G - LVDS-Treiber, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 160 ps, 24 mA, -40 °C, 125 °C, 3 V
Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger
Datenübertragungsrate: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: 160
Bauform - Treiber: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
ESD-Schutz gemäß HBM: 6
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 24
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NBA3N012CSNT1G NBA3N012CSNT1G ONSEMI 2290249.pdf Description: ONSEMI - NBA3N012CSNT1G - LVDS-Treiber, LVDS-Leitungsempfänger, 9 mA, -40 °C, 125 °C, 3 V
Bausteintyp: LVDS-Leitungsempfänger
Datenübertragungsrate: 400
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Signaleingang: LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: -
Bauform - Treiber: SOT-23
Anzahl der Pins: 5
ESD-Schutz gemäß HBM: 8
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 9
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
FDD2582 FDD2582 ONSEMI 2304716.pdf Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.79 грн
12+ 66.94 грн
100+ 51.72 грн
500+ 35.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDD2582 FDD2582 ONSEMI 1863401.pdf Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 95W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.72 грн
500+ 35.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD24AN06LA0-F085 FDD24AN06LA0-F085 ONSEMI 2724460.pdf Description: ONSEMI - FDD24AN06LA0-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench FDD
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
FDD2572-F085 FDD2572-F085 ONSEMI 2729288.pdf Description: ONSEMI - FDD2572-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 29
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench FDD
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
FDD24AN06LA0-F085 FDD24AN06LA0-F085 ONSEMI 2724460.pdf Description: ONSEMI - FDD24AN06LA0-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Power Trench FDD
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
FDD2572-F085 FDD2572-F085 ONSEMI 2729288.pdf Description: ONSEMI - FDD2572-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: PowerTrench FDD
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
FDD26AN06A0-F085 FDD26AN06A0-F085 ONSEMI FDD26AN06-F085-D.pdf Description: ONSEMI - FDD26AN06A0-F085 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NC7WV17P6X NC7WV17P6X ONSEMI 693044.pdf Description: ONSEMI - NC7WV17P6X - Puffer, 900mV bis 3.6V, SC-70-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 900
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
KSC2316YTA KSC2316YTA ONSEMI 2300032.pdf Description: ONSEMI - KSC2316YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Verlustleistung Pd: 900
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92L
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
KSC2316YTA KSC2316YTA ONSEMI 2300032.pdf Description: ONSEMI - KSC2316YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Verlustleistung Pd: 900
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92L
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
NDSH25170A NDSH25170A ONSEMI NDSH25170A-D.PDF Description: ONSEMI - NDSH25170A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 169 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 169nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+996.62 грн
5+ 934.33 грн
10+ 872.04 грн
50+ 806.09 грн
100+ 716.37 грн
250+ 673.8 грн
NCV7356D1R2G NCV7356D1R2G ONSEMI ncv7356-d.pdf Description: ONSEMI - NCV7356D1R2G - CAN-Schnittstelle, J2411, CAN-Transceiver, 100 Kbps, 5 V, 27 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 100Kbps
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Drivers
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 27V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+197.12 грн
10+ 143.5 грн
100+ 104.08 грн
500+ 93.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
NCV7356D2R2G NCV7356D2R2G ONSEMI ONSM-S-A0015960240-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCV7356D2R2G - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, CAN-Transceiver, 100 Kbps, -300 mV, 18 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 100Kbps
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Drivers
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.42 грн
10+ 152.96 грн
100+ 107.23 грн
500+ 76.88 грн
2500+ 70.29 грн
5000+ 66.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
NCV7356D1R2G NCV7356D1R2G ONSEMI ONSM-S-A0015960240-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCV7356D1R2G - CAN-Schnittstelle, J2411, CAN-Transceiver, 100 Kbps, 5 V, 27 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 100Kbps
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 27V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.96 грн
500+ 76.14 грн
2500+ 68.93 грн
5000+ 67.45 грн
7500+ 66.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
NCV7356D2R2G NCV7356D2R2G ONSEMI ONSM-S-A0015960240-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCV7356D2R2G - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, CAN-Transceiver, 100 Kbps, -300 mV, 18 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 100Kbps
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: CAN, seriell
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Drivers
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.23 грн
500+ 76.88 грн
2500+ 70.29 грн
5000+ 66.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
1N4748ATR 1N4748ATR ONSEMI 3658796.pdf Description: ONSEMI - 1N4748ATR - Zener-Diode, 22 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Zener-Spannung, nom.: 22V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: 1N47xxA
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+23.5 грн
50+ 16.01 грн
Мінімальне замовлення: 34
1N4748A-T50A 1N4748A-T50A ONSEMI 2552611.pdf Description: ONSEMI - 1N4748A-T50A - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 22
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 22
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
74ACT138SC 74ACT138SC ONSEMI 2287878.pdf description Description: ONSEMI - 74ACT138SC - Decoder / Demultiplexer, Baureihe ACT, 1 Gatter, 3 Eingänge, 8 Ausgänge, 24mA, 4.5V-5.5V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74138
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT138
Logiktyp: Decoder
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.51 грн
23+ 35.4 грн
100+ 30.99 грн
500+ 24.6 грн
Мінімальне замовлення: 12
NE5517DR2G NE5517DR2G ONSEMI 1749733.pdf Description: ONSEMI - NE5517DR2G - Transkonduktanzverstärker, 2 Verstärker, 44 VDC, 2 MHz, SOIC
Versorgungsspannung: 44
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: 0
Eingangsspannung, max.: -
Spannungsanstieg: 50
Verstärkungsbandbreite: 2
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Ausgangsstrom, min.: 350
Eingangswiderstand: 26
Ausgangsstrom -, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
RSL10-USB001GEVK RSL10-USB001GEVK ONSEMI 2675105.pdf Description: ONSEMI - RSL10-USB001GEVK - Evaluationsboard, Bluetooth-Modul RSL10, USB-Dongle-Formfaktor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A991.g
Produktpalette: -
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3002.46 грн
2SA1962OTU 2SA1962OTU ONSEMI FJA4213-D.pdf Description: ONSEMI - 2SA1962OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 80
MSL: -
Verlustleistung Pd: 130
Übergangsfrequenz ft: 30
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 17
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+324.85 грн
10+ 287.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SA1962RTU 2SA1962RTU ONSEMI FJA4213-D.pdf Description: ONSEMI - 2SA1962RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 17A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+249.94 грн
Мінімальне замовлення: 450
74AC04SC 74AC04SC ONSEMI 2281371.pdf Description: ONSEMI - 74AC04SC - Inverter, 74AC04, 1 Eingang, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.55 грн
16+ 49.83 грн
100+ 29.25 грн
500+ 18.74 грн
1000+ 16.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDS4935BZ FDS4935BZ ONSEMI 2304012.pdf Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.31 грн
12+ 69.23 грн
100+ 49.36 грн
500+ 38.8 грн
Мінімальне замовлення: 9
TL431BVDR2G 1878424.pdf
TL431BVDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL431BVDR2G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431B, 2.495V bis 36V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TL431B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
SB10-05P-TD-E ONSM-S-A0000714907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SB10-05P-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s)
Bauform - Diode: SOT-89
Durchlassstoßstrom: 10
Durchlassspannung Vf max.: 550
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
SB10-05P-TD-E ONSM-S-A0000714907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SB10-05P-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s)
Bauform - Diode: SOT-89
Durchlassstoßstrom: 10
Durchlassspannung Vf max.: 550
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTR4101PT1G 2255278.pdf
NTR4101PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 59891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+33.59 грн
37+ 21.52 грн
100+ 9.54 грн
500+ 8.71 грн
Мінімальне замовлення: 24
NTR4101PT1H ntr4101p-d.pdf
NTR4101PT1H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4101PT1H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+43.92 грн
25+ 32.48 грн
100+ 16.72 грн
500+ 15.23 грн
Мінімальне замовлення: 18
NTR4101PT1G 2255278.pdf
NTR4101PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 59891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+9.54 грн
500+ 8.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDPF39N20 1875363.pdf
FDPF39N20
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.066 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+173.46 грн
10+ 124.58 грн
100+ 95.4 грн
500+ 79.07 грн
1000+ 62.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDPF39N20TLDTU ONSM-S-A0003584209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF39N20TLDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 39
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 37
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
BC849BLT1G 2237008.pdf
BC849BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: 0
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
58+13.8 грн
87+ 9.15 грн
159+ 4.96 грн
500+ 4.51 грн
Мінімальне замовлення: 58
BC849CLT1G 1841985.pdf
BC849CLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: 0
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: 0
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
BC849CLT1G 1841985.pdf
BC849CLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: 0
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: 0
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
85+9.3 грн
122+ 6.48 грн
290+ 2.73 грн
500+ 2.48 грн
Мінімальне замовлення: 85
LV5686PVC-XH 2337895.pdf
LV5686PVC-XH
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV5686PVC-XH - Power-Management-IC, 16V Versorgungsspannung, 3 LDO-Regler, 9 geregelte Ausgänge, SIP-15
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung: 16V
rohsCompliant: YES
Anzahl der geregelten Ausgänge: 9
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - digitaler IC: SIP
usEccn: EAR99
Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der LDO-Regler: 3
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+89.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
DF01S2 DF10S2-D.pdf
DF01S2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
DF01S. 2303915.pdf
DF01S.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF01S. - DIODE, FULL REEL
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: DIP
Montage des Brückengleichrichters: Surface Mount
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead
товар відсутній
DF01S2 DF10S2-D.pdf
DF01S2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NTGD4167CT1G ONSM-S-A0013300330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTGD4167CT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+53.69 грн
18+ 44.47 грн
100+ 29.88 грн
500+ 16.99 грн
3000+ 13.25 грн
Мінімальне замовлення: 15
NTGD1100LT1G ONSM-S-A0013296077-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTGD1100LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTGD1100LT1G ONSM-S-A0013296077-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTGD1100LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTGD3148NT1G ONSM-S-A0013669881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTGD3148NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+43.76 грн
22+ 36.82 грн
100+ 23.1 грн
500+ 16.77 грн
Мінімальне замовлення: 19
NTGD3148NT1G ONSM-S-A0013669881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTGD3148NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+23.1 грн
500+ 16.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
NSVJ6904DSB6T1G 2711422.pdf
NSVJ6904DSB6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+59.77 грн
16+ 50.78 грн
100+ 49.12 грн
500+ 44.08 грн
3000+ 39.2 грн
Мінімальне замовлення: 14
BZX85C5V1. 2284018.pdf
BZX85C5V1.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85C5V1. - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 5.1
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX85C
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 5.1
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товар відсутній
GBPC2504 ONSM-S-A0013296829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
GBPC2504
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBPC2504 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 25 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+294.88 грн
10+ 279.9 грн
100+ 264.92 грн
500+ 232.09 грн
1000+ 201.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
GBPC1510 2303940.pdf
GBPC1510
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBPC1510 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 15 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+276.75 грн
10+ 262.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
74AC245SC ONSM-S-A0003547203-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
74AC245SC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74AC245SC - Puffer, 74AC245, 2V bis 6V, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+95.4 грн
12+ 69.62 грн
50+ 66.47 грн
100+ 58.72 грн
250+ 53.12 грн
500+ 52.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
74AC245SCX 172303.pdf
74AC245SCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74AC245SCX - Transceiver, 74AC245, 2V bis 6V, WSOIC-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: WSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver, bidirektional
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+99.35 грн
10+ 79.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SK3747-1E 2237061.pdf
2SK3747-1E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3747-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
FPF2290BUCX-F130 FPF2290-D.PDF
FPF2290BUCX-F130
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPF2290BUCX-F130 - OVER-VOLTAGE PROTECTION LOAD SWITCH
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NLVVHC1G132DFT1G 2907171.pdf
NLVVHC1G132DFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHC1G132DFT1G - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74VHC1G132
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 26955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+27.75 грн
44+ 17.98 грн
100+ 15.93 грн
500+ 12.89 грн
3000+ 10.14 грн
9000+ 8.38 грн
24000+ 6.63 грн
Мінімальне замовлення: 29
NLVVHC1G132DFT1G 2907171.pdf
NLVVHC1G132DFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHC1G132DFT1G - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74VHC1G132
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 26955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+15.93 грн
500+ 12.89 грн
3000+ 10.14 грн
9000+ 8.38 грн
24000+ 6.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
NBA3N200SDG 2354973.pdf
NBA3N200SDG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NBA3N200SDG - LVDS-Treiber, Kfz-Anwendungen, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 160 ps, 24 mA, -40 °C, 125 °C
Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger
Datenübertragungsrate: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: 160
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
ESD-Schutz gemäß HBM: 6
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 24
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NBA3N206SDG 2354975.pdf
NBA3N206SDG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NBA3N206SDG - LVDS-Treiber, Kfz-Anwendungen, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 150 ps, 24 mA, -40 °C, 125 °C
Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger
Datenübertragungsrate: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: 150
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
ESD-Schutz gemäß HBM: 6
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 24
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NBA3N201SDR2G NBA3N201S-D.PDF
NBA3N201SDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NBA3N201SDR2G - LVDS-Treiber, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 160 ps, 24 mA, -85 °C, 125 °C, 3 V
Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger
Datenübertragungsrate: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -85
Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: 160
Bauform - Treiber: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
ESD-Schutz gemäß HBM: 6
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 24
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NBA3N206SDR2G NBA3N206S-D.PDF
NBA3N206SDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NBA3N206SDR2G - LVDS-Treiber, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 150 ps, 24 mA, -40 °C, 125 °C, 3 V
Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger
Datenübertragungsrate: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: 150
Bauform - Treiber: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
ESD-Schutz gemäß HBM: 6
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 24
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NBA3N200SDR2G NBA3N200S-D.PDF
NBA3N200SDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NBA3N200SDR2G - LVDS-Treiber, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 160 ps, 24 mA, -40 °C, 125 °C, 3 V
Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger
Datenübertragungsrate: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: 160
Bauform - Treiber: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
ESD-Schutz gemäß HBM: 6
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 24
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NBA3N012CSNT1G 2290249.pdf
NBA3N012CSNT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NBA3N012CSNT1G - LVDS-Treiber, LVDS-Leitungsempfänger, 9 mA, -40 °C, 125 °C, 3 V
Bausteintyp: LVDS-Leitungsempfänger
Datenübertragungsrate: 400
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Signaleingang: LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: -
Bauform - Treiber: SOT-23
Anzahl der Pins: 5
ESD-Schutz gemäß HBM: 8
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 9
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
FDD2582 2304716.pdf
FDD2582
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+82.79 грн
12+ 66.94 грн
100+ 51.72 грн
500+ 35.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDD2582 1863401.pdf
FDD2582
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 95W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+51.72 грн
500+ 35.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD24AN06LA0-F085 2724460.pdf
FDD24AN06LA0-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD24AN06LA0-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench FDD
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
FDD2572-F085 2729288.pdf
FDD2572-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD2572-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 29
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench FDD
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
FDD24AN06LA0-F085 2724460.pdf
FDD24AN06LA0-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD24AN06LA0-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Power Trench FDD
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
FDD2572-F085 2729288.pdf
FDD2572-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD2572-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: PowerTrench FDD
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
FDD26AN06A0-F085 FDD26AN06-F085-D.pdf
FDD26AN06A0-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD26AN06A0-F085 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NC7WV17P6X 693044.pdf
NC7WV17P6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WV17P6X - Puffer, 900mV bis 3.6V, SC-70-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 900
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
KSC2316YTA 2300032.pdf
KSC2316YTA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2316YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Verlustleistung Pd: 900
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92L
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
KSC2316YTA 2300032.pdf
KSC2316YTA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2316YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Verlustleistung Pd: 900
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92L
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
NDSH25170A NDSH25170A-D.PDF
NDSH25170A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDSH25170A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 169 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 169nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+996.62 грн
5+ 934.33 грн
10+ 872.04 грн
50+ 806.09 грн
100+ 716.37 грн
250+ 673.8 грн
NCV7356D1R2G ncv7356-d.pdf
NCV7356D1R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7356D1R2G - CAN-Schnittstelle, J2411, CAN-Transceiver, 100 Kbps, 5 V, 27 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 100Kbps
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Drivers
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 27V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+197.12 грн
10+ 143.5 грн
100+ 104.08 грн
500+ 93.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
NCV7356D2R2G ONSM-S-A0015960240-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCV7356D2R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7356D2R2G - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, CAN-Transceiver, 100 Kbps, -300 mV, 18 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 100Kbps
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Drivers
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+203.42 грн
10+ 152.96 грн
100+ 107.23 грн
500+ 76.88 грн
2500+ 70.29 грн
5000+ 66.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
NCV7356D1R2G ONSM-S-A0015960240-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCV7356D1R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7356D1R2G - CAN-Schnittstelle, J2411, CAN-Transceiver, 100 Kbps, 5 V, 27 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 100Kbps
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 27V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+111.96 грн
500+ 76.14 грн
2500+ 68.93 грн
5000+ 67.45 грн
7500+ 66.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
NCV7356D2R2G ONSM-S-A0015960240-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCV7356D2R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7356D2R2G - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, CAN-Transceiver, 100 Kbps, -300 mV, 18 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 100Kbps
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: CAN, seriell
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Drivers
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+107.23 грн
500+ 76.88 грн
2500+ 70.29 грн
5000+ 66.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
1N4748ATR 3658796.pdf
1N4748ATR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4748ATR - Zener-Diode, 22 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Zener-Spannung, nom.: 22V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: 1N47xxA
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+23.5 грн
50+ 16.01 грн
Мінімальне замовлення: 34
1N4748A-T50A 2552611.pdf
1N4748A-T50A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4748A-T50A - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 22
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 22
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
74ACT138SC description 2287878.pdf
74ACT138SC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74ACT138SC - Decoder / Demultiplexer, Baureihe ACT, 1 Gatter, 3 Eingänge, 8 Ausgänge, 24mA, 4.5V-5.5V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74138
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT138
Logiktyp: Decoder
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+71.51 грн
23+ 35.4 грн
100+ 30.99 грн
500+ 24.6 грн
Мінімальне замовлення: 12
NE5517DR2G 1749733.pdf
NE5517DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5517DR2G - Transkonduktanzverstärker, 2 Verstärker, 44 VDC, 2 MHz, SOIC
Versorgungsspannung: 44
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: 0
Eingangsspannung, max.: -
Spannungsanstieg: 50
Verstärkungsbandbreite: 2
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Ausgangsstrom, min.: 350
Eingangswiderstand: 26
Ausgangsstrom -, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
RSL10-USB001GEVK 2675105.pdf
RSL10-USB001GEVK
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RSL10-USB001GEVK - Evaluationsboard, Bluetooth-Modul RSL10, USB-Dongle-Formfaktor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A991.g
Produktpalette: -
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3002.46 грн
2SA1962OTU FJA4213-D.pdf
2SA1962OTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1962OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 80
MSL: -
Verlustleistung Pd: 130
Übergangsfrequenz ft: 30
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 17
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+324.85 грн
10+ 287.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SA1962RTU FJA4213-D.pdf
2SA1962RTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1962RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 17A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
450+249.94 грн
Мінімальне замовлення: 450
74AC04SC 2281371.pdf
74AC04SC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74AC04SC - Inverter, 74AC04, 1 Eingang, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+63.55 грн
16+ 49.83 грн
100+ 29.25 грн
500+ 18.74 грн
1000+ 16.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDS4935BZ 2304012.pdf
FDS4935BZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+88.31 грн
12+ 69.23 грн
100+ 49.36 грн
500+ 38.8 грн
Мінімальне замовлення: 9
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