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Ціна без ПДВ |
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TL431BVDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TL431BVDR2G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431B, 2.495V bis 36V, SOIC-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Referenzspannung, max.: 36V IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Referenzspannung, min.: 2.495V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: 50ppm/C Eingangsspannung, max.: 36V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TL431B productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 0.4% SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SB10-05P-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s) Bauform - Diode: SOT-89 Durchlassstoßstrom: 10 Durchlassspannung Vf max.: 550 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 550 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10 Betriebstemperatur, max.: 125 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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SB10-05P-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s) Bauform - Diode: SOT-89 Durchlassstoßstrom: 10 Durchlassspannung Vf max.: 550 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 550 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10 Betriebstemperatur, max.: 125 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NTR4101PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 59891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTR4101PT1H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4101PT1H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTR4101PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 59891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDPF39N20 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.066 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDPF39N20TLDTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF39N20TLDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 39 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 37 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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BC849BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: 0 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: 0 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 0 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 13568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC849CLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: 0 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: 0 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 0 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC849CLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: 0 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: 0 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 0 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LV5686PVC-XH | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LV5686PVC-XH - Power-Management-IC, 16V Versorgungsspannung, 3 LDO-Regler, 9 geregelte Ausgänge, SIP-15 tariffCode: 85423990 Versorgungsspannung: 16V rohsCompliant: YES Anzahl der geregelten Ausgänge: 9 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform - digitaler IC: SIP usEccn: EAR99 Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: - Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der LDO-Regler: 3 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DF01S2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V Durchlassspannung Vf max.: 1.1 Durchlassspannung, max.: 1.1 Bauform - Brückengleichrichter: SDIP Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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DF01S. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DF01S. - DIODE, FULL REEL Durchlassspannung Vf max.: 1.1 Durchlassspannung, max.: 1.1 Bauform - Brückengleichrichter: DIP Montage des Brückengleichrichters: Surface Mount Anzahl der Phasen: Single Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100 SVHC: Lead |
товар відсутній |
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DF01S2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V Durchlassspannung Vf max.: 1.1 Durchlassspannung, max.: 1.1 Bauform - Brückengleichrichter: SDIP Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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NTGD4167CT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm Verlustleistung, p-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 7424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTGD1100LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8 Dauer-Drainstrom Id: - Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 830 Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.2 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NTGD1100LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8 Dauer-Drainstrom Id: - Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 830 Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.2 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NTGD3148NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm Verlustleistung, p-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTGD3148NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm Verlustleistung, p-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSVJ6904DSB6T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: CPH Anzahl der Pins: 6 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX85C5V1. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX85C5V1. - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Qualifikation: - Zener-Spannung Vz, typ.: 5.1 Verlustleistung Pd: 1 Toleranz ±: 5 Verlustleistung: 1 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: BZX85C Betriebstemperatur, max.: 200 Zener-Spannung, nom.: 5.1 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
товар відсутній |
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GBPC2504 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBPC2504 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 25 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 300A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: Modul usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBPC2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GBPC1510 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBPC1510 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 15 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 300A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: Modul usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBPC1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74AC245SC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74AC245SC - Puffer, 74AC245, 2V bis 6V, SOIC-20 tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 74245 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74AC Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC245 euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 1397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74AC245SCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74AC245SCX - Transceiver, 74AC245, 2V bis 6V, WSOIC-20 tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 74245 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74AC Bauform - Logikbaustein: WSOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC245 euEccn: NLR Logikbaustein: Transceiver, bidirektional Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SK3747-1E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SK3747-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5 Dauer-Drainstrom Id: 2 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 50 Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.5 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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FPF2290BUCX-F130 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FPF2290BUCX-F130 - OVER-VOLTAGE PROTECTION LOAD SWITCH MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NLVVHC1G132DFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVVHC1G132DFT1G - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74VHC1G132 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: -A usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 26955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NLVVHC1G132DFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVVHC1G132DFT1G - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74VHC1G132 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: -A usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 26955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NBA3N200SDG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NBA3N200SDG - LVDS-Treiber, Kfz-Anwendungen, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 160 ps, 24 mA, -40 °C, 125 °C Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger Datenübertragungsrate: 200 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS Versorgungsspannung, min.: 3 Spitze-Spitze-Jitter, max.: 160 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 ESD-Schutz gemäß HBM: 6 Produktpalette: - Versorgungsstrom, max.: 24 Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 125 Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NBA3N206SDG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NBA3N206SDG - LVDS-Treiber, Kfz-Anwendungen, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 150 ps, 24 mA, -40 °C, 125 °C Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger Datenübertragungsrate: 200 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS Versorgungsspannung, min.: 3 Spitze-Spitze-Jitter, max.: 150 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 ESD-Schutz gemäß HBM: 6 Produktpalette: - Versorgungsstrom, max.: 24 Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 125 Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NBA3N201SDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NBA3N201SDR2G - LVDS-Treiber, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 160 ps, 24 mA, -85 °C, 125 °C, 3 V Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger Datenübertragungsrate: 200 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -85 Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS Versorgungsspannung, min.: 3 Spitze-Spitze-Jitter, max.: 160 Bauform - Treiber: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 8 ESD-Schutz gemäß HBM: 6 Produktpalette: - Versorgungsstrom, max.: 24 Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 125 Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NBA3N206SDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NBA3N206SDR2G - LVDS-Treiber, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 150 ps, 24 mA, -40 °C, 125 °C, 3 V Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger Datenübertragungsrate: 200 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS Versorgungsspannung, min.: 3 Spitze-Spitze-Jitter, max.: 150 Bauform - Treiber: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 8 ESD-Schutz gemäß HBM: 6 Produktpalette: - Versorgungsstrom, max.: 24 Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 125 Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NBA3N200SDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NBA3N200SDR2G - LVDS-Treiber, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 160 ps, 24 mA, -40 °C, 125 °C, 3 V Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger Datenübertragungsrate: 200 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS Versorgungsspannung, min.: 3 Spitze-Spitze-Jitter, max.: 160 Bauform - Treiber: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 8 ESD-Schutz gemäß HBM: 6 Produktpalette: - Versorgungsstrom, max.: 24 Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 125 Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NBA3N012CSNT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NBA3N012CSNT1G - LVDS-Treiber, LVDS-Leitungsempfänger, 9 mA, -40 °C, 125 °C, 3 V Bausteintyp: LVDS-Leitungsempfänger Datenübertragungsrate: 400 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Signaleingang: LVDS Versorgungsspannung, min.: 3 Spitze-Spitze-Jitter, max.: - Bauform - Treiber: SOT-23 Anzahl der Pins: 5 ESD-Schutz gemäß HBM: 8 Produktpalette: - Versorgungsstrom, max.: 9 Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 125 Ausgangspegel: LVCMOS SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товар відсутній |
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FDD2582 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDD2582 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 95W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDD24AN06LA0-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD24AN06LA0-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 40 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 75 Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: Power Trench FDD Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
товар відсутній |
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FDD2572-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD2572-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 29 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 135 Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench FDD Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
товар відсутній |
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FDD24AN06LA0-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD24AN06LA0-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: Power Trench FDD SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
товар відсутній |
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FDD2572-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD2572-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: PowerTrench FDD SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
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FDD26AN06A0-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD26AN06A0-F085 - MOSFET'S - SINGLE MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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NC7WV17P6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7WV17P6X - Puffer, 900mV bis 3.6V, SC-70-6 Logik-IC-Sockelnummer: - Logik-IC-Familie: NC7W Bauform - Logikbaustein: SC-70 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 900 Logikfamilie / Sockelnummer: - Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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KSC2316YTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC2316YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 60 Verlustleistung Pd: 900 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: TO-92L Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 800 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товар відсутній |
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KSC2316YTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC2316YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 60 Verlustleistung Pd: 900 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: TO-92L Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 800 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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NDSH25170A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDSH25170A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 169 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 169nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV7356D1R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7356D1R2G - CAN-Schnittstelle, J2411, CAN-Transceiver, 100 Kbps, 5 V, 27 V, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Übertragungsrate, max.: 100Kbps MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Channels Anzahl der Empfänger: 1Receivers Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 5V euEccn: NLR Anzahl der Treiber: 1Drivers CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 27V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 11509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV7356D2R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7356D2R2G - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, CAN-Transceiver, 100 Kbps, -300 mV, 18 V, SOIC, 14 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Übertragungsrate, max.: 100Kbps MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Channels Anzahl der Empfänger: 1Receivers Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: -300mV euEccn: NLR Anzahl der Treiber: 1Drivers CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV7356D1R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7356D1R2G - CAN-Schnittstelle, J2411, CAN-Transceiver, 100 Kbps, 5 V, 27 V, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Übertragungsrate, max.: 100Kbps MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Anzahl der Empfänger: 1Receivers Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 5V euEccn: NLR Anzahl der Treiber: 1Treiber CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 27V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 13608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV7356D2R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7356D2R2G - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, CAN-Transceiver, 100 Kbps, -300 mV, 18 V, SOIC, 14 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Übertragungsrate, max.: 100Kbps MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 IC-Schnittstelle: CAN, seriell Anzahl der Kanäle: 1Channels Anzahl der Empfänger: 1Receivers Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: -300mV euEccn: NLR Anzahl der Treiber: 1Drivers CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4748ATR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4748ATR - Zener-Diode, 22 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 productTraceability: No Zener-Spannung, nom.: 22V rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Betriebstemperatur, max.: 200°C usEccn: EAR99 Diodenmontage: Durchsteckmontage Produktpalette: 1N47xxA SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4748A-T50A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4748A-T50A - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Qualifikation: - Zener-Spannung Vz, typ.: 22 Verlustleistung Pd: 1 Toleranz ±: 5 Verlustleistung: 1 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 200 Zener-Spannung, nom.: 22 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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74ACT138SC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74ACT138SC - Decoder / Demultiplexer, Baureihe ACT, 1 Gatter, 3 Eingänge, 8 Ausgänge, 24mA, 4.5V-5.5V, SOIC-16 tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 74138 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74ACT Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT138 Logiktyp: Decoder euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NE5517DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NE5517DR2G - Transkonduktanzverstärker, 2 Verstärker, 44 VDC, 2 MHz, SOIC Versorgungsspannung: 44 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Betriebstemperatur, min.: 0 Eingangsspannung, max.: - Spannungsanstieg: 50 Verstärkungsbandbreite: 2 Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Ausgangsstrom, min.: 350 Eingangswiderstand: 26 Ausgangsstrom -, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 70 Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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RSL10-USB001GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RSL10-USB001GEVK - Evaluationsboard, Bluetooth-Modul RSL10, USB-Dongle-Formfaktor tariffCode: 84733020 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 5A991.g Produktpalette: - |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SA1962OTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1962OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 80 MSL: - Verlustleistung Pd: 130 Übergangsfrequenz ft: 30 Bauform - Transistor: TO-3P Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 250 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 17 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SA1962RTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1962RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 17A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 3987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74AC04SC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74AC04SC - Inverter, 74AC04, 1 Eingang, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74AC Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74AC04 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl von Elementen: Sechs SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS4935BZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TL431BVDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL431BVDR2G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431B, 2.495V bis 36V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TL431B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - TL431BVDR2G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431B, 2.495V bis 36V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TL431B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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100+ | 20.97 грн |
SB10-05P-TD-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s)
Bauform - Diode: SOT-89
Durchlassstoßstrom: 10
Durchlassspannung Vf max.: 550
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s)
Bauform - Diode: SOT-89
Durchlassstoßstrom: 10
Durchlassspannung Vf max.: 550
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
SB10-05P-TD-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s)
Bauform - Diode: SOT-89
Durchlassstoßstrom: 10
Durchlassspannung Vf max.: 550
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s)
Bauform - Diode: SOT-89
Durchlassstoßstrom: 10
Durchlassspannung Vf max.: 550
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTR4101PT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 59891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 33.59 грн |
37+ | 21.52 грн |
100+ | 9.54 грн |
500+ | 8.71 грн |
NTR4101PT1H |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4101PT1H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTR4101PT1H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 43.92 грн |
25+ | 32.48 грн |
100+ | 16.72 грн |
500+ | 15.23 грн |
NTR4101PT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 59891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 9.54 грн |
500+ | 8.71 грн |
FDPF39N20 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.066 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDPF39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.066 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 173.46 грн |
10+ | 124.58 грн |
100+ | 95.4 грн |
500+ | 79.07 грн |
1000+ | 62.92 грн |
FDPF39N20TLDTU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF39N20TLDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 39
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 37
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDPF39N20TLDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 39
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 37
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
BC849BLT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: 0
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: 0
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
58+ | 13.8 грн |
87+ | 9.15 грн |
159+ | 4.96 грн |
500+ | 4.51 грн |
BC849CLT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: 0
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: 0
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: 0
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: 0
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 2.48 грн |
BC849CLT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: 0
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: 0
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: 0
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: 0
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
85+ | 9.3 грн |
122+ | 6.48 грн |
290+ | 2.73 грн |
500+ | 2.48 грн |
LV5686PVC-XH |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV5686PVC-XH - Power-Management-IC, 16V Versorgungsspannung, 3 LDO-Regler, 9 geregelte Ausgänge, SIP-15
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung: 16V
rohsCompliant: YES
Anzahl der geregelten Ausgänge: 9
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - digitaler IC: SIP
usEccn: EAR99
Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der LDO-Regler: 3
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - LV5686PVC-XH - Power-Management-IC, 16V Versorgungsspannung, 3 LDO-Regler, 9 geregelte Ausgänge, SIP-15
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung: 16V
rohsCompliant: YES
Anzahl der geregelten Ausgänge: 9
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - digitaler IC: SIP
usEccn: EAR99
Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der LDO-Regler: 3
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 89.88 грн |
DF01S2 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
DF01S. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF01S. - DIODE, FULL REEL
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: DIP
Montage des Brückengleichrichters: Surface Mount
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead
Description: ONSEMI - DF01S. - DIODE, FULL REEL
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: DIP
Montage des Brückengleichrichters: Surface Mount
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead
товар відсутній
DF01S2 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NTGD4167CT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 53.69 грн |
18+ | 44.47 грн |
100+ | 29.88 грн |
500+ | 16.99 грн |
3000+ | 13.25 грн |
NTGD1100LT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTGD1100LT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NTGD1100LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: -
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTGD3148NT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 43.76 грн |
22+ | 36.82 грн |
100+ | 23.1 грн |
500+ | 16.77 грн |
NTGD3148NT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTGD3148NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.0417 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0417ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0417ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 23.1 грн |
500+ | 16.77 грн |
NSVJ6904DSB6T1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 59.77 грн |
16+ | 50.78 грн |
100+ | 49.12 грн |
500+ | 44.08 грн |
3000+ | 39.2 грн |
BZX85C5V1. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85C5V1. - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 5.1
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX85C
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 5.1
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - BZX85C5V1. - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 5.1
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX85C
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 5.1
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товар відсутній
GBPC2504 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBPC2504 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 25 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - GBPC2504 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 25 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 294.88 грн |
10+ | 279.9 грн |
100+ | 264.92 грн |
500+ | 232.09 грн |
1000+ | 201.4 грн |
GBPC1510 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBPC1510 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 15 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - GBPC1510 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 15 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 276.75 грн |
10+ | 262.56 грн |
74AC245SC |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74AC245SC - Puffer, 74AC245, 2V bis 6V, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 74AC245SC - Puffer, 74AC245, 2V bis 6V, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 95.4 грн |
12+ | 69.62 грн |
50+ | 66.47 грн |
100+ | 58.72 грн |
250+ | 53.12 грн |
500+ | 52.04 грн |
74AC245SCX |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74AC245SCX - Transceiver, 74AC245, 2V bis 6V, WSOIC-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: WSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver, bidirektional
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 74AC245SCX - Transceiver, 74AC245, 2V bis 6V, WSOIC-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: WSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver, bidirektional
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 99.35 грн |
10+ | 79.63 грн |
2SK3747-1E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3747-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SK3747-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
FPF2290BUCX-F130 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPF2290BUCX-F130 - OVER-VOLTAGE PROTECTION LOAD SWITCH
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FPF2290BUCX-F130 - OVER-VOLTAGE PROTECTION LOAD SWITCH
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NLVVHC1G132DFT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHC1G132DFT1G - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74VHC1G132
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NLVVHC1G132DFT1G - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74VHC1G132
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 26955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
29+ | 27.75 грн |
44+ | 17.98 грн |
100+ | 15.93 грн |
500+ | 12.89 грн |
3000+ | 10.14 грн |
9000+ | 8.38 грн |
24000+ | 6.63 грн |
NLVVHC1G132DFT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHC1G132DFT1G - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74VHC1G132
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NLVVHC1G132DFT1G - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74VHC1G132
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 26955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 15.93 грн |
500+ | 12.89 грн |
3000+ | 10.14 грн |
9000+ | 8.38 грн |
24000+ | 6.63 грн |
NBA3N200SDG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NBA3N200SDG - LVDS-Treiber, Kfz-Anwendungen, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 160 ps, 24 mA, -40 °C, 125 °C
Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger
Datenübertragungsrate: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: 160
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
ESD-Schutz gemäß HBM: 6
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 24
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NBA3N200SDG - LVDS-Treiber, Kfz-Anwendungen, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 160 ps, 24 mA, -40 °C, 125 °C
Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger
Datenübertragungsrate: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: 160
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
ESD-Schutz gemäß HBM: 6
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 24
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NBA3N206SDG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NBA3N206SDG - LVDS-Treiber, Kfz-Anwendungen, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 150 ps, 24 mA, -40 °C, 125 °C
Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger
Datenübertragungsrate: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: 150
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
ESD-Schutz gemäß HBM: 6
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 24
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NBA3N206SDG - LVDS-Treiber, Kfz-Anwendungen, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 150 ps, 24 mA, -40 °C, 125 °C
Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger
Datenübertragungsrate: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: 150
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
ESD-Schutz gemäß HBM: 6
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 24
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NBA3N201SDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NBA3N201SDR2G - LVDS-Treiber, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 160 ps, 24 mA, -85 °C, 125 °C, 3 V
Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger
Datenübertragungsrate: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -85
Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: 160
Bauform - Treiber: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
ESD-Schutz gemäß HBM: 6
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 24
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NBA3N201SDR2G - LVDS-Treiber, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 160 ps, 24 mA, -85 °C, 125 °C, 3 V
Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger
Datenübertragungsrate: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -85
Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: 160
Bauform - Treiber: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
ESD-Schutz gemäß HBM: 6
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 24
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NBA3N206SDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NBA3N206SDR2G - LVDS-Treiber, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 150 ps, 24 mA, -40 °C, 125 °C, 3 V
Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger
Datenübertragungsrate: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: 150
Bauform - Treiber: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
ESD-Schutz gemäß HBM: 6
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 24
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NBA3N206SDR2G - LVDS-Treiber, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 150 ps, 24 mA, -40 °C, 125 °C, 3 V
Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger
Datenübertragungsrate: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: 150
Bauform - Treiber: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
ESD-Schutz gemäß HBM: 6
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 24
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NBA3N200SDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NBA3N200SDR2G - LVDS-Treiber, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 160 ps, 24 mA, -40 °C, 125 °C, 3 V
Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger
Datenübertragungsrate: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: 160
Bauform - Treiber: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
ESD-Schutz gemäß HBM: 6
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 24
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NBA3N200SDR2G - LVDS-Treiber, Differenz-Leitungstreiber/-empfänger, 160 ps, 24 mA, -40 °C, 125 °C, 3 V
Bausteintyp: Differenz-Leitungstreiber/-empfänger
Datenübertragungsrate: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Signaleingang: LVCMOS, M-LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: 160
Bauform - Treiber: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
ESD-Schutz gemäß HBM: 6
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 24
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS, M-LVDS
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NBA3N012CSNT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NBA3N012CSNT1G - LVDS-Treiber, LVDS-Leitungsempfänger, 9 mA, -40 °C, 125 °C, 3 V
Bausteintyp: LVDS-Leitungsempfänger
Datenübertragungsrate: 400
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Signaleingang: LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: -
Bauform - Treiber: SOT-23
Anzahl der Pins: 5
ESD-Schutz gemäß HBM: 8
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 9
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NBA3N012CSNT1G - LVDS-Treiber, LVDS-Leitungsempfänger, 9 mA, -40 °C, 125 °C, 3 V
Bausteintyp: LVDS-Leitungsempfänger
Datenübertragungsrate: 400
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Signaleingang: LVDS
Versorgungsspannung, min.: 3
Spitze-Spitze-Jitter, max.: -
Bauform - Treiber: SOT-23
Anzahl der Pins: 5
ESD-Schutz gemäß HBM: 8
Produktpalette: -
Versorgungsstrom, max.: 9
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Ausgangspegel: LVCMOS
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
FDD2582 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 82.79 грн |
12+ | 66.94 грн |
100+ | 51.72 грн |
500+ | 35.51 грн |
FDD2582 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 95W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 95W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 51.72 грн |
500+ | 35.51 грн |
FDD24AN06LA0-F085 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD24AN06LA0-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench FDD
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - FDD24AN06LA0-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench FDD
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
FDD2572-F085 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD2572-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 29
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench FDD
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - FDD2572-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 29
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench FDD
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
FDD24AN06LA0-F085 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD24AN06LA0-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Power Trench FDD
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - FDD24AN06LA0-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Power Trench FDD
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
FDD2572-F085 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD2572-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: PowerTrench FDD
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - FDD2572-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: PowerTrench FDD
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
FDD26AN06A0-F085 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD26AN06A0-F085 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDD26AN06A0-F085 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NC7WV17P6X |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WV17P6X - Puffer, 900mV bis 3.6V, SC-70-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 900
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NC7WV17P6X - Puffer, 900mV bis 3.6V, SC-70-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 900
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
KSC2316YTA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2316YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Verlustleistung Pd: 900
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92L
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - KSC2316YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Verlustleistung Pd: 900
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92L
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
KSC2316YTA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2316YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Verlustleistung Pd: 900
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92L
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - KSC2316YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Verlustleistung Pd: 900
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92L
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
NDSH25170A |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDSH25170A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 169 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 169nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NDSH25170A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 169 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 169nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 996.62 грн |
5+ | 934.33 грн |
10+ | 872.04 грн |
50+ | 806.09 грн |
100+ | 716.37 грн |
250+ | 673.8 грн |
NCV7356D1R2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7356D1R2G - CAN-Schnittstelle, J2411, CAN-Transceiver, 100 Kbps, 5 V, 27 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 100Kbps
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Drivers
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 27V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCV7356D1R2G - CAN-Schnittstelle, J2411, CAN-Transceiver, 100 Kbps, 5 V, 27 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 100Kbps
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Drivers
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 27V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 197.12 грн |
10+ | 143.5 грн |
100+ | 104.08 грн |
500+ | 93.71 грн |
NCV7356D2R2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7356D2R2G - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, CAN-Transceiver, 100 Kbps, -300 mV, 18 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 100Kbps
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Drivers
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCV7356D2R2G - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, CAN-Transceiver, 100 Kbps, -300 mV, 18 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 100Kbps
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Drivers
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 203.42 грн |
10+ | 152.96 грн |
100+ | 107.23 грн |
500+ | 76.88 грн |
2500+ | 70.29 грн |
5000+ | 66.84 грн |
NCV7356D1R2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7356D1R2G - CAN-Schnittstelle, J2411, CAN-Transceiver, 100 Kbps, 5 V, 27 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 100Kbps
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 27V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCV7356D1R2G - CAN-Schnittstelle, J2411, CAN-Transceiver, 100 Kbps, 5 V, 27 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 100Kbps
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 27V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 111.96 грн |
500+ | 76.14 грн |
2500+ | 68.93 грн |
5000+ | 67.45 грн |
7500+ | 66.1 грн |
NCV7356D2R2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7356D2R2G - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, CAN-Transceiver, 100 Kbps, -300 mV, 18 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 100Kbps
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: CAN, seriell
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Drivers
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCV7356D2R2G - CAN-Schnittstelle, CAN-Transceiver, CAN-Transceiver, 100 Kbps, -300 mV, 18 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 100Kbps
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: CAN, seriell
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Drivers
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 107.23 грн |
500+ | 76.88 грн |
2500+ | 70.29 грн |
5000+ | 66.84 грн |
1N4748ATR |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4748ATR - Zener-Diode, 22 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Zener-Spannung, nom.: 22V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: 1N47xxA
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 1N4748ATR - Zener-Diode, 22 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Zener-Spannung, nom.: 22V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: 1N47xxA
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 23.5 грн |
50+ | 16.01 грн |
1N4748A-T50A |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4748A-T50A - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 22
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 22
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 1N4748A-T50A - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 22
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 22
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
74ACT138SC |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74ACT138SC - Decoder / Demultiplexer, Baureihe ACT, 1 Gatter, 3 Eingänge, 8 Ausgänge, 24mA, 4.5V-5.5V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74138
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT138
Logiktyp: Decoder
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 74ACT138SC - Decoder / Demultiplexer, Baureihe ACT, 1 Gatter, 3 Eingänge, 8 Ausgänge, 24mA, 4.5V-5.5V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74138
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT138
Logiktyp: Decoder
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 71.51 грн |
23+ | 35.4 грн |
100+ | 30.99 грн |
500+ | 24.6 грн |
NE5517DR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5517DR2G - Transkonduktanzverstärker, 2 Verstärker, 44 VDC, 2 MHz, SOIC
Versorgungsspannung: 44
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: 0
Eingangsspannung, max.: -
Spannungsanstieg: 50
Verstärkungsbandbreite: 2
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Ausgangsstrom, min.: 350
Eingangswiderstand: 26
Ausgangsstrom -, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NE5517DR2G - Transkonduktanzverstärker, 2 Verstärker, 44 VDC, 2 MHz, SOIC
Versorgungsspannung: 44
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: 0
Eingangsspannung, max.: -
Spannungsanstieg: 50
Verstärkungsbandbreite: 2
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Ausgangsstrom, min.: 350
Eingangswiderstand: 26
Ausgangsstrom -, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
RSL10-USB001GEVK |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RSL10-USB001GEVK - Evaluationsboard, Bluetooth-Modul RSL10, USB-Dongle-Formfaktor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A991.g
Produktpalette: -
Description: ONSEMI - RSL10-USB001GEVK - Evaluationsboard, Bluetooth-Modul RSL10, USB-Dongle-Formfaktor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A991.g
Produktpalette: -
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3002.46 грн |
2SA1962OTU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1962OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 80
MSL: -
Verlustleistung Pd: 130
Übergangsfrequenz ft: 30
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 17
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 2SA1962OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 80
MSL: -
Verlustleistung Pd: 130
Übergangsfrequenz ft: 30
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 17
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 324.85 грн |
10+ | 287.79 грн |
2SA1962RTU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1962RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 17A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 2SA1962RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 17A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
450+ | 249.94 грн |
74AC04SC |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74AC04SC - Inverter, 74AC04, 1 Eingang, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 74AC04SC - Inverter, 74AC04, 1 Eingang, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 63.55 грн |
16+ | 49.83 грн |
100+ | 29.25 грн |
500+ | 18.74 грн |
1000+ | 16.76 грн |
FDS4935BZ |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 88.31 грн |
12+ | 69.23 грн |
100+ | 49.36 грн |
500+ | 38.8 грн |