NTP067N65S3H onsemi
Виробник: onsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 521.68 грн |
| 50+ | 401.1 грн |
| 100+ | 358.89 грн |
| 500+ | 297.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTP067N65S3H onsemi
Description: ONSEMI - NTP067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 266W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FAST, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTP067N65S3H за ціною від 297.58 грн до 595.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTP067N65S3H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTP067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 266W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FAST productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTP067N65S3H | Виробник : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 40 A, 67 mohm, TO-220 |
на замовлення 1452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTP067N65S3H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |