![J111 J111](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/3ced02ca88a9411c36b75b29b1cf777e6b1ad99a/j111.jpg)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
518+ | 23.35 грн |
1174+ | 10.3 грн |
1701+ | 7.11 грн |
2500+ | 6.63 грн |
10000+ | 5.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис J111 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - J111 - JFET-Transistor, TO-92, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 35V, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції J111 за ціною від 5.03 грн до 561.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
J111 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.35W; TO92; Igt: 50mA Mounting: THT Case: TO92 Kind of package: bulk Gate current: 50mA Drain current: 20mA On-state resistance: 30Ω Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -35V |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
J111 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
J111 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Power - Max: 625 mW Resistance - RDS(On): 30 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V |
на замовлення 7974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
J111 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 8174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
J111 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.35W; TO92; Igt: 50mA Mounting: THT Case: TO92 Kind of package: bulk Gate current: 50mA Drain current: 20mA On-state resistance: 30Ω Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -35V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 997 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
J111 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 35V rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
J111 | Виробник : InterFET |
![]() |
на замовлення 1679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
J111 | Виробник : ONS |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
J111 Код товару: 121710 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
J111 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
J111 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
J111 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
J111 Код товару: 164009 |
![]() |
товар відсутній
|