Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
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BC856BLT1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 17169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC856ALT1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85331000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 51734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC856BDW1T1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 380mW MSL: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 44723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC550CBU | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 18687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DF08S1 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: SDIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
товар відсутній |
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DF08S1 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: SDIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
товар відсутній |
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DF08S2 | ONSEMI |
![]() Durchlassspannung Vf max.: 1.1 Bauform - Brückengleichrichter: SDIP Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 800 Anzahl der Pins: 4 Anzahl der Phasen: Eine Phase Betriebstemperatur, max.: 150 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2 Produktpalette: DFxS2 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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BC848BLT1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 19207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC848BWT1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC848CDW1T1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 16755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SBC848BLT1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC848 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 32870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC848CLT1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC848CWT1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 35102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HGTG30N60A4 | ONSEMI |
![]() MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6 Verlustleistung Pd: 463 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 75 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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RHRP860 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: RHRP8 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RHRP1560 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 40ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: RHRP1 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 2297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RURP860 | ONSEMI |
![]() Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassspannung Vf max.: 1.5 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 60 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 8 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: RURP8 Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 100 Betriebstemperatur, max.: 175 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600 SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
товар відсутній |
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NOIP1SN2000A-QTI | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NOIP1SN5000A-QTI | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NOIP1SN0300A-QTI | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NOIP1SN1300A-QTI | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NOIP1SE0300A-QTI | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NOIP1SN2000A-LTI | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NOIP1SE2000A-QTI | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NOIP1SE5000A-QTI | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NOIP1SE025KA-GTI | ONSEMI |
![]() SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NOIP1SN0500A-QTI | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NOIP1SE0500A-QTI | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NOIP1SN5000A-LTI | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NOIP1FN5000A-QTI | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NOIP1FN1300A-QTI | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NOIP1FN025KA-GTI | ONSEMI |
![]() SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NOIP1SE1300A-QTI | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NOIP1SN025KA-GTI | ONSEMI |
![]() SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NOIP1SE2000A-LTI | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NOIP1SE5000A-LTI | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NCN5110ASGEVB | ONSEMI |
![]() Prozessorkern: NCN5110 Kit-Anwendungsbereich: Kommunikation Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCN5110 Unterart Anwendung: Transceiver Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCN5130ASGEVB | ONSEMI |
![]() tariffCode: 84733020 Prozessorkern: NCN5130 Kit-Anwendungsbereich: Kommunikation productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCN5130 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Transceiver hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCN5121ASGEVB | ONSEMI |
![]() tariffCode: 84733020 Prozessorkern: NCN5121 Kit-Anwendungsbereich: Kommunikation productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCN5121 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Transceiver hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
товар відсутній |
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FQAF11N90C | ONSEMI |
![]() Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 120 Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.91 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUT11AFTU | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUT11A | ONSEMI |
![]() SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NCP1200P40G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Controller-IC: DIP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 250mA usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: - Frequenz: 40kHz Betriebstemperatur, min.: -25°C Versorgungsspannung, min.: 6.3V euEccn: NLR Eingangsspannung: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 12.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUZ11-NR4941 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 19109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N5361BG | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: 017AA rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N53 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 0 Zener-Spannung, nom.: 27V SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74AC14SCX | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74AC Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74AC14 productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl von Elementen: Sechs SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDP075N15A-F102 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74ACT32SC | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: OR-Gatter Logik-IC-Familie: 74ACT Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 0 euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: 0 Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74ACT32 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 0 Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl von Elementen: Vier SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N6284G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 160W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 20A Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N6288G | ONSEMI |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 30 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 40 Übergangsfrequenz ft: 4 Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 7 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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2N6287G | ONSEMI |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 100 MSL: - Verlustleistung Pd: 160 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 20 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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2N6292G | ONSEMI |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2.3hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N6286G | ONSEMI |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 100 Verlustleistung Pd: 160 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 40 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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NCP1392BDR2G | ONSEMI |
![]() Sinkstrom: 1 Treiberkonfiguration: Halbbrücke Leistungsschalter: MOSFET Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: - Quellstrom: 500 Spitzenausgangsstrom: 1 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 16 Eingabeverzögerung: - Ausgabeverzögerung: - Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NCP1392DDR2G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 500mA Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 40ns Ausgabeverzögerung: 20ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP1392DDR2G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 500mA Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 40ns Ausgabeverzögerung: 20ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NDS8434 | ONSEMI |
![]() Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 6.5 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 700 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
товар відсутній |
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NDS8434 | ONSEMI |
![]() Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 6.5 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 700 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
товар відсутній |
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NSI45025AT1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123 MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Eingangsspannung, max.: 45V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 25mA Eingangsspannung, min.: 0V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSI45030T1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Eingangsspannung, max.: 45V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 30mA Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC856BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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85+ | 9.38 грн |
130+ | 6.07 грн |
274+ | 2.89 грн |
500+ | 2.63 грн |
BC856ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 51734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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82+ | 9.62 грн |
128+ | 6.19 грн |
269+ | 2.94 грн |
500+ | 2.68 грн |
BC856BDW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 44723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
43+ | 18.37 грн |
63+ | 12.62 грн |
154+ | 5.14 грн |
500+ | 4.68 грн |
BC550CBU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC550CBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC550CBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 32.72 грн |
37+ | 21.84 грн |
100+ | 8.36 грн |
500+ | 5.94 грн |
1000+ | 3.8 грн |
5000+ | 3.72 грн |
DF08S1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF08S1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 1 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - DF08S1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 1 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товар відсутній
DF08S1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF08S1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 1 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - DF08S1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 1 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товар відсутній
DF08S2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF08S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 2 A, SDIP, 1.1 V, 4 Pin(s)
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 800
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Betriebstemperatur, max.: 150
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Produktpalette: DFxS2
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - DF08S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 2 A, SDIP, 1.1 V, 4 Pin(s)
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 800
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Betriebstemperatur, max.: 150
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Produktpalette: DFxS2
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
BC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
66+ | 11.98 грн |
94+ | 8.44 грн |
226+ | 3.5 грн |
500+ | 3.18 грн |
BC848BWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC848BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
67+ | 11.83 грн |
95+ | 8.36 грн |
229+ | 3.45 грн |
500+ | 2.39 грн |
1000+ | 1.45 грн |
5000+ | 1.2 грн |
BC848CDW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC848CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
55+ | 14.35 грн |
80+ | 9.93 грн |
197+ | 4.01 грн |
500+ | 2.32 грн |
3000+ | 1.7 грн |
9000+ | 1.67 грн |
SBC848BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC848
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - SBC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC848
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 32870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
61+ | 12.93 грн |
89+ | 8.91 грн |
213+ | 3.71 грн |
500+ | 1.83 грн |
3000+ | 1.42 грн |
9000+ | 1.08 грн |
24000+ | 1.01 грн |
BC848CLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100MHz, 300mW, 100mA, 100hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100MHz, 300mW, 100mA, 100hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
84+ | 9.46 грн |
118+ | 6.7 грн |
194+ | 4.08 грн |
BC848CWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC848CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
41+ | 19.48 грн |
59+ | 13.4 грн |
100+ | 7.96 грн |
500+ | 3.08 грн |
3000+ | 2.46 грн |
9000+ | 1.89 грн |
24000+ | 1.76 грн |
HGTG30N60A4 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60A4 - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6
Verlustleistung Pd: 463
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - HGTG30N60A4 - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6
Verlustleistung Pd: 463
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
RHRP860 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RHRP860 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Soft-Recovery, 600 V, 8 A, Einfach, 2.1 V, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRP8
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - RHRP860 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Soft-Recovery, 600 V, 8 A, Einfach, 2.1 V, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRP8
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 73.72 грн |
13+ | 64.5 грн |
100+ | 53.46 грн |
500+ | 44.51 грн |
RHRP1560 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RHRP1560 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Soft-Recovery, 600 V, 15 A, Einfach, 2.1 V, 40 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 40ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRP1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - RHRP1560 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Soft-Recovery, 600 V, 15 A, Einfach, 2.1 V, 40 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 40ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRP1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 97.77 грн |
10+ | 85.94 грн |
100+ | 71.04 грн |
500+ | 59.16 грн |
1000+ | 53.53 грн |
RURP860 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RURP860 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.5 V, 60 ns, 100 A
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassspannung Vf max.: 1.5
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 60
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 8
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: RURP8
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 100
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - RURP860 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.5 V, 60 ns, 100 A
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassspannung Vf max.: 1.5
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 60
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 8
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: RURP8
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 100
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
NOIP1SN2000A-QTI |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SN2000A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NOIP1SN2000A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SN5000A-QTI |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SN5000A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NOIP1SN5000A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SN0300A-QTI |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SN0300A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NOIP1SN0300A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SN1300A-QTI |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SN1300A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NOIP1SN1300A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SE0300A-QTI |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SE0300A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NOIP1SE0300A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SN2000A-LTI |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SN2000A-LTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NOIP1SN2000A-LTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SE2000A-QTI |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SE2000A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NOIP1SE2000A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SE5000A-QTI |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SE5000A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NOIP1SE5000A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SE025KA-GTI |
![]() |
товар відсутній
NOIP1SN0500A-QTI |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SN0500A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NOIP1SN0500A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SE0500A-QTI |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SE0500A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NOIP1SE0500A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SN5000A-LTI |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SN5000A-LTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NOIP1SN5000A-LTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1FN5000A-QTI |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1FN5000A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NOIP1FN5000A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1FN1300A-QTI |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1FN1300A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NOIP1FN1300A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1FN025KA-GTI |
![]() |
товар відсутній
NOIP1SE1300A-QTI |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SE1300A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NOIP1SE1300A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SN025KA-GTI |
![]() |
товар відсутній
NOIP1SE2000A-LTI |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SE2000A-LTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NOIP1SE2000A-LTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SE5000A-LTI |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SE5000A-LTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NOIP1SE5000A-LTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCN5110ASGEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCN5110ASGEVB - Evaluationsboard, Arduino-Shield, NCN5110, Kommunikation, Transceiver
Prozessorkern: NCN5110
Kit-Anwendungsbereich: Kommunikation
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCN5110
Unterart Anwendung: Transceiver
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCN5110ASGEVB - Evaluationsboard, Arduino-Shield, NCN5110, Kommunikation, Transceiver
Prozessorkern: NCN5110
Kit-Anwendungsbereich: Kommunikation
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCN5110
Unterart Anwendung: Transceiver
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4517.1 грн |
NCN5130ASGEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCN5130ASGEVB - Evaluationsboard, Arduino-Shield, NCN5130, Kommunikation, Transceiver
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCN5130
Kit-Anwendungsbereich: Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCN5130
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCN5130ASGEVB - Evaluationsboard, Arduino-Shield, NCN5130, Kommunikation, Transceiver
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCN5130
Kit-Anwendungsbereich: Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCN5130
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4857.71 грн |
NCN5121ASGEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCN5121ASGEVB - Evaluationsboard, Arduino-Shield , NCN5121, Kommunikation, Transceiver
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCN5121
Kit-Anwendungsbereich: Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCN5121
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCN5121ASGEVB - Evaluationsboard, Arduino-Shield , NCN5121, Kommunikation, Transceiver
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCN5121
Kit-Anwendungsbereich: Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCN5121
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товар відсутній
FQAF11N90C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQAF11N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 0.91 ohm, TO-3PF
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 120
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.91
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQAF11N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 0.91 ohm, TO-3PF
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 120
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.91
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 417.88 грн |
10+ | 365.06 грн |
100+ | 256.25 грн |
BUT11AFTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUT11AFTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 5 A, 40 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - BUT11AFTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 5 A, 40 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 115.12 грн |
10+ | 85.94 грн |
100+ | 68.6 грн |
BUT11A |
![]() |
товар відсутній
NCP1200P40G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1200P40G - PWM-Controller, 12.5V-6.3V Versorgungsspannung, 40kHz, 250mAout, DIP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Controller-IC: DIP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 250mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Frequenz: 40kHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 6.3V
euEccn: NLR
Eingangsspannung: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 12.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP1200P40G - PWM-Controller, 12.5V-6.3V Versorgungsspannung, 40kHz, 250mAout, DIP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Controller-IC: DIP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 250mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Frequenz: 40kHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 6.3V
euEccn: NLR
Eingangsspannung: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 12.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 86.73 грн |
11+ | 74.12 грн |
BUZ11-NR4941 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.03 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.03 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 19109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 101.71 грн |
11+ | 75.38 грн |
100+ | 56.61 грн |
500+ | 35.51 грн |
1000+ | 32.1 грн |
5000+ | 31.97 грн |
1N5361BG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5361BG - Zener-Diode, 27 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 0
Zener-Spannung, nom.: 27V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 1N5361BG - Zener-Diode, 27 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 0
Zener-Spannung, nom.: 27V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 39.42 грн |
24+ | 33.04 грн |
100+ | 20.66 грн |
500+ | 14.72 грн |
1000+ | 9.46 грн |
74AC14SCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74AC14SCX - Inverter, Schmitt-Trigger, 74AC14, 6 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC14
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 74AC14SCX - Inverter, Schmitt-Trigger, 74AC14, 6 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC14
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 49.59 грн |
20+ | 40.05 грн |
100+ | 23.34 грн |
FDP075N15A-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP075N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.00625 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDP075N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.00625 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 480.96 грн |
5+ | 454.94 грн |
10+ | 428.92 грн |
50+ | 330.93 грн |
100+ | 276.41 грн |
250+ | 271.01 грн |
74ACT32SC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74ACT32SC - OR-Gatter, 74ACT32, 2 Eingänge, 24mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: 0
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 0
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 74ACT32SC - OR-Gatter, 74ACT32, 2 Eingänge, 24mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: 0
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 0
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 61.5 грн |
17+ | 48.41 грн |
2N6284G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6284G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 160W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2N6284G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 160W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 492 грн |
10+ | 354.81 грн |
100+ | 269.65 грн |
2N6288G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6288G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 7 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 2N6288G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 7 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
2N6287G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6287G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 20 A, 160 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2N6287G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 20 A, 160 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
2N6292G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6292G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 70 V, 7 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2.3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2N6292G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 70 V, 7 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2.3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 89.1 грн |
12+ | 68.28 грн |
100+ | 49.91 грн |
500+ | 39.32 грн |
2N6286G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6286G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 40 A, 160 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 160
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2N6286G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 40 A, 160 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 160
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NCP1392BDR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1392BDR2G - MOSFET-Treiber, 16V Versorgungsspannung, 1A Ausgangsspannung, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Quellstrom: 500
Spitzenausgangsstrom: 1
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP1392BDR2G - MOSFET-Treiber, 16V Versorgungsspannung, 1A Ausgangsspannung, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Quellstrom: 500
Spitzenausgangsstrom: 1
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCP1392DDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1392DDR2G - MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP1392DDR2G - MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 100.92 грн |
11+ | 72.7 грн |
100+ | 50.7 грн |
500+ | 34.78 грн |
NCP1392DDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1392DDR2G - MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP1392DDR2G - MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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100+ | 50.7 грн |
500+ | 34.78 грн |
NDS8434 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
NDS8434 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
NSI45025AT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSI45025AT1G - LED-Treiber, linear, 0V bis 45Vin, 1 Ausgang, 1MHz Schaltfrequenz, 25mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: 0V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSI45025AT1G - LED-Treiber, linear, 0V bis 45Vin, 1 Ausgang, 1MHz Schaltfrequenz, 25mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: 0V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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20+ | 39.66 грн |
26+ | 30.83 грн |
100+ | 17.27 грн |
500+ | 11.2 грн |
NSI45030T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSI45030T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 30mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSI45030T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 30mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 41.32 грн |
25+ | 32.72 грн |
100+ | 18.37 грн |
500+ | 12.01 грн |