Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (140943) > Сторінка 1760 з 2350

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1755 1756 1757 1758 1759 1760 1761 1762 1763 1764 1765 1880 2115 2350  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BC856BLT1G BC856BLT1G ONSEMI 1840529.pdf Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+9.38 грн
130+ 6.07 грн
274+ 2.89 грн
500+ 2.63 грн
Мінімальне замовлення: 85
BC856ALT1G BC856ALT1G ONSEMI 1840529.pdf Description: ONSEMI - BC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 51734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+9.62 грн
128+ 6.19 грн
269+ 2.94 грн
500+ 2.68 грн
Мінімальне замовлення: 82
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 44723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+18.37 грн
63+ 12.62 грн
154+ 5.14 грн
500+ 4.68 грн
Мінімальне замовлення: 43
BC550CBU BC550CBU ONSEMI 1868820.pdf Description: ONSEMI - BC550CBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.72 грн
37+ 21.84 грн
100+ 8.36 грн
500+ 5.94 грн
1000+ 3.8 грн
5000+ 3.72 грн
Мінімальне замовлення: 25
DF08S1 DF08S1 ONSEMI DF10S1-D.pdf Description: ONSEMI - DF08S1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 1 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товар відсутній
DF08S1 DF08S1 ONSEMI DF10S1-D.pdf Description: ONSEMI - DF08S1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 1 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товар відсутній
DF08S2 DF08S2 ONSEMI DF10S2-D.pdf Description: ONSEMI - DF08S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 2 A, SDIP, 1.1 V, 4 Pin(s)
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 800
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Betriebstemperatur, max.: 150
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Produktpalette: DFxS2
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
BC848BLT1G BC848BLT1G ONSEMI ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+11.98 грн
94+ 8.44 грн
226+ 3.5 грн
500+ 3.18 грн
Мінімальне замовлення: 66
BC848BWT1G BC848BWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC848BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+11.83 грн
95+ 8.36 грн
229+ 3.45 грн
500+ 2.39 грн
1000+ 1.45 грн
5000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 67
BC848CDW1T1G BC848CDW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013184382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC848CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+14.35 грн
80+ 9.93 грн
197+ 4.01 грн
500+ 2.32 грн
3000+ 1.7 грн
9000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 55
SBC848BLT1G SBC848BLT1G ONSEMI ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC848
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 32870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+12.93 грн
89+ 8.91 грн
213+ 3.71 грн
500+ 1.83 грн
3000+ 1.42 грн
9000+ 1.08 грн
24000+ 1.01 грн
Мінімальне замовлення: 61
BC848CLT1G BC848CLT1G ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100MHz, 300mW, 100mA, 100hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+9.46 грн
118+ 6.7 грн
194+ 4.08 грн
Мінімальне замовлення: 84
BC848CWT1G BC848CWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC848CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.48 грн
59+ 13.4 грн
100+ 7.96 грн
500+ 3.08 грн
3000+ 2.46 грн
9000+ 1.89 грн
24000+ 1.76 грн
Мінімальне замовлення: 41
HGTG30N60A4 HGTG30N60A4 ONSEMI 2284343.pdf Description: ONSEMI - HGTG30N60A4 - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6
Verlustleistung Pd: 463
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
RHRP860 RHRP860 ONSEMI rhrp860-d.pdf Description: ONSEMI - RHRP860 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Soft-Recovery, 600 V, 8 A, Einfach, 2.1 V, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRP8
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.72 грн
13+ 64.5 грн
100+ 53.46 грн
500+ 44.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
RHRP1560 RHRP1560 ONSEMI rhrp1560-d.pdf Description: ONSEMI - RHRP1560 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Soft-Recovery, 600 V, 15 A, Einfach, 2.1 V, 40 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 40ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRP1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.77 грн
10+ 85.94 грн
100+ 71.04 грн
500+ 59.16 грн
1000+ 53.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
RURP860 RURP860 ONSEMI 2299940.pdf Description: ONSEMI - RURP860 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.5 V, 60 ns, 100 A
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassspannung Vf max.: 1.5
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 60
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 8
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: RURP8
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 100
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
NOIP1SN2000A-QTI ONSEMI NOIP1SN5000A-D.PDF Description: ONSEMI - NOIP1SN2000A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SN5000A-QTI ONSEMI NOIP1SN5000A-D.PDF Description: ONSEMI - NOIP1SN5000A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SN0300A-QTI NOIP1SN0300A-QTI ONSEMI NOIP1SN1300A-D.PDF Description: ONSEMI - NOIP1SN0300A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SN1300A-QTI NOIP1SN1300A-QTI ONSEMI NOIP1SN1300A-D.PDF Description: ONSEMI - NOIP1SN1300A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SE0300A-QTI NOIP1SE0300A-QTI ONSEMI NOIP1SN1300A-D.PDF Description: ONSEMI - NOIP1SE0300A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SN2000A-LTI ONSEMI NOIP1SN5000A-D.PDF Description: ONSEMI - NOIP1SN2000A-LTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SE2000A-QTI ONSEMI NOIP1SN5000A-D.PDF Description: ONSEMI - NOIP1SE2000A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SE5000A-QTI ONSEMI NOIP1SN5000A-D.PDF Description: ONSEMI - NOIP1SE5000A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SE025KA-GTI NOIP1SE025KA-GTI ONSEMI NOIP1SN025KA-D.PDF Description: ONSEMI - NOIP1SE025KA-GTI - IMAGE SENSOR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SN0500A-QTI NOIP1SN0500A-QTI ONSEMI NOIP1SN1300A-D.PDF Description: ONSEMI - NOIP1SN0500A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SE0500A-QTI NOIP1SE0500A-QTI ONSEMI NOIP1SN1300A-D.PDF Description: ONSEMI - NOIP1SE0500A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SN5000A-LTI ONSEMI NOIP1SN5000A-D.PDF Description: ONSEMI - NOIP1SN5000A-LTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1FN5000A-QTI ONSEMI NOIP1SN5000A-D.PDF Description: ONSEMI - NOIP1FN5000A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1FN1300A-QTI NOIP1FN1300A-QTI ONSEMI NOIP1SN1300A-D.PDF Description: ONSEMI - NOIP1FN1300A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1FN025KA-GTI NOIP1FN025KA-GTI ONSEMI NOIP1SN025KA-D.PDF Description: ONSEMI - NOIP1FN025KA-GTI - IMAGE SENSOR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SE1300A-QTI NOIP1SE1300A-QTI ONSEMI NOIP1SN1300A-D.PDF Description: ONSEMI - NOIP1SE1300A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SN025KA-GTI NOIP1SN025KA-GTI ONSEMI NOIP1SN025KA-D.PDF Description: ONSEMI - NOIP1SN025KA-GTI - IMAGE SENSOR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SE2000A-LTI ONSEMI NOIP1SN5000A-D.PDF Description: ONSEMI - NOIP1SE2000A-LTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SE5000A-LTI ONSEMI NOIP1SN5000A-D.PDF Description: ONSEMI - NOIP1SE5000A-LTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCN5110ASGEVB NCN5110ASGEVB ONSEMI EVBUM2715-D.PDF Description: ONSEMI - NCN5110ASGEVB - Evaluationsboard, Arduino-Shield, NCN5110, Kommunikation, Transceiver
Prozessorkern: NCN5110
Kit-Anwendungsbereich: Kommunikation
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCN5110
Unterart Anwendung: Transceiver
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4517.1 грн
NCN5130ASGEVB NCN5130ASGEVB ONSEMI EVBUM2715-D.PDF Description: ONSEMI - NCN5130ASGEVB - Evaluationsboard, Arduino-Shield, NCN5130, Kommunikation, Transceiver
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCN5130
Kit-Anwendungsbereich: Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCN5130
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4857.71 грн
NCN5121ASGEVB NCN5121ASGEVB ONSEMI EVBUM2715-D.PDF Description: ONSEMI - NCN5121ASGEVB - Evaluationsboard, Arduino-Shield , NCN5121, Kommunikation, Transceiver
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCN5121
Kit-Anwendungsbereich: Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCN5121
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товар відсутній
FQAF11N90C ONSEMI 2907412.pdf Description: ONSEMI - FQAF11N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 0.91 ohm, TO-3PF
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 120
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.91
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+417.88 грн
10+ 365.06 грн
100+ 256.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
BUT11AFTU BUT11AFTU ONSEMI 1863384.pdf Description: ONSEMI - BUT11AFTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 5 A, 40 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.12 грн
10+ 85.94 грн
100+ 68.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
BUT11A BUT11A ONSEMI BUT11A-D.pdf Description: ONSEMI - BUT11A - NPN SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCP1200P40G NCP1200P40G ONSEMI 2160735.pdf Description: ONSEMI - NCP1200P40G - PWM-Controller, 12.5V-6.3V Versorgungsspannung, 40kHz, 250mAout, DIP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Controller-IC: DIP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 250mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Frequenz: 40kHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 6.3V
euEccn: NLR
Eingangsspannung: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 12.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.73 грн
11+ 74.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
BUZ11-NR4941 BUZ11-NR4941 ONSEMI ONSM-S-A0013178684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.03 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 19109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.71 грн
11+ 75.38 грн
100+ 56.61 грн
500+ 35.51 грн
1000+ 32.1 грн
5000+ 31.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
1N5361BG 1N5361BG ONSEMI ONSMS36970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5361BG - Zener-Diode, 27 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 0
Zener-Spannung, nom.: 27V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.42 грн
24+ 33.04 грн
100+ 20.66 грн
500+ 14.72 грн
1000+ 9.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
74AC14SCX 74AC14SCX ONSEMI 1573464.pdf Description: ONSEMI - 74AC14SCX - Inverter, Schmitt-Trigger, 74AC14, 6 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC14
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.59 грн
20+ 40.05 грн
100+ 23.34 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDP075N15A-F102 FDP075N15A-F102 ONSEMI fdp075n15a-d.pdf Description: ONSEMI - FDP075N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.00625 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+480.96 грн
5+ 454.94 грн
10+ 428.92 грн
50+ 330.93 грн
100+ 276.41 грн
250+ 271.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
74ACT32SC 74ACT32SC ONSEMI 2304047.pdf Description: ONSEMI - 74ACT32SC - OR-Gatter, 74ACT32, 2 Eingänge, 24mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: 0
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 0
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.5 грн
17+ 48.41 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N6284G 2N6284G ONSEMI ONSM-S-A0013339379-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N6284G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 160W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+492 грн
10+ 354.81 грн
100+ 269.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N6288G 2N6288G ONSEMI 1913540.pdf Description: ONSEMI - 2N6288G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 7 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
2N6287G 2N6287G ONSEMI 168109.pdf Description: ONSEMI - 2N6287G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 20 A, 160 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
2N6292G 2N6292G ONSEMI ONSM-S-A0014594748-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - 2N6292G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 70 V, 7 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2.3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.1 грн
12+ 68.28 грн
100+ 49.91 грн
500+ 39.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N6286G 2N6286G ONSEMI 168109.pdf Description: ONSEMI - 2N6286G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 40 A, 160 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 160
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NCP1392BDR2G NCP1392BDR2G ONSEMI 2355061.pdf Description: ONSEMI - NCP1392BDR2G - MOSFET-Treiber, 16V Versorgungsspannung, 1A Ausgangsspannung, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Quellstrom: 500
Spitzenausgangsstrom: 1
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCP1392DDR2G NCP1392DDR2G ONSEMI 2355061.pdf Description: ONSEMI - NCP1392DDR2G - MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.92 грн
11+ 72.7 грн
100+ 50.7 грн
500+ 34.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
NCP1392DDR2G NCP1392DDR2G ONSEMI 2355061.pdf Description: ONSEMI - NCP1392DDR2G - MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.7 грн
500+ 34.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
NDS8434 NDS8434 ONSEMI 256373.pdf Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
NDS8434 NDS8434 ONSEMI 2298023.pdf Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
NSI45025AT1G NSI45025AT1G ONSEMI 1904477.pdf Description: ONSEMI - NSI45025AT1G - LED-Treiber, linear, 0V bis 45Vin, 1 Ausgang, 1MHz Schaltfrequenz, 25mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: 0V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.66 грн
26+ 30.83 грн
100+ 17.27 грн
500+ 11.2 грн
Мінімальне замовлення: 20
NSI45030T1G NSI45030T1G ONSEMI 1878368.pdf Description: ONSEMI - NSI45030T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 30mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.32 грн
25+ 32.72 грн
100+ 18.37 грн
500+ 12.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
BC856BLT1G 1840529.pdf
BC856BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
85+9.38 грн
130+ 6.07 грн
274+ 2.89 грн
500+ 2.63 грн
Мінімальне замовлення: 85
BC856ALT1G 1840529.pdf
BC856ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 51734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
82+9.62 грн
128+ 6.19 грн
269+ 2.94 грн
500+ 2.68 грн
Мінімальне замовлення: 82
BC856BDW1T1G 2140510.pdf
BC856BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 44723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
43+18.37 грн
63+ 12.62 грн
154+ 5.14 грн
500+ 4.68 грн
Мінімальне замовлення: 43
BC550CBU 1868820.pdf
BC550CBU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC550CBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+32.72 грн
37+ 21.84 грн
100+ 8.36 грн
500+ 5.94 грн
1000+ 3.8 грн
5000+ 3.72 грн
Мінімальне замовлення: 25
DF08S1 DF10S1-D.pdf
DF08S1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF08S1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 1 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товар відсутній
DF08S1 DF10S1-D.pdf
DF08S1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF08S1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 1 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товар відсутній
DF08S2 DF10S2-D.pdf
DF08S2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF08S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 2 A, SDIP, 1.1 V, 4 Pin(s)
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 800
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Betriebstemperatur, max.: 150
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Produktpalette: DFxS2
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
BC848BLT1G ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC848BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
66+11.98 грн
94+ 8.44 грн
226+ 3.5 грн
500+ 3.18 грн
Мінімальне замовлення: 66
BC848BWT1G ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC848BWT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
67+11.83 грн
95+ 8.36 грн
229+ 3.45 грн
500+ 2.39 грн
1000+ 1.45 грн
5000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 67
BC848CDW1T1G ONSM-S-A0013184382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC848CDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
55+14.35 грн
80+ 9.93 грн
197+ 4.01 грн
500+ 2.32 грн
3000+ 1.7 грн
9000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 55
SBC848BLT1G ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBC848BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC848
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 32870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
61+12.93 грн
89+ 8.91 грн
213+ 3.71 грн
500+ 1.83 грн
3000+ 1.42 грн
9000+ 1.08 грн
24000+ 1.01 грн
Мінімальне замовлення: 61
BC848CLT1G 2237008.pdf
BC848CLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100MHz, 300mW, 100mA, 100hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
84+9.46 грн
118+ 6.7 грн
194+ 4.08 грн
Мінімальне замовлення: 84
BC848CWT1G ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC848CWT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
41+19.48 грн
59+ 13.4 грн
100+ 7.96 грн
500+ 3.08 грн
3000+ 2.46 грн
9000+ 1.89 грн
24000+ 1.76 грн
Мінімальне замовлення: 41
HGTG30N60A4 2284343.pdf
HGTG30N60A4
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60A4 - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6
Verlustleistung Pd: 463
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
RHRP860 rhrp860-d.pdf
RHRP860
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RHRP860 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Soft-Recovery, 600 V, 8 A, Einfach, 2.1 V, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRP8
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+73.72 грн
13+ 64.5 грн
100+ 53.46 грн
500+ 44.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
RHRP1560 rhrp1560-d.pdf
RHRP1560
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RHRP1560 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Soft-Recovery, 600 V, 15 A, Einfach, 2.1 V, 40 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 40ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRP1
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+97.77 грн
10+ 85.94 грн
100+ 71.04 грн
500+ 59.16 грн
1000+ 53.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
RURP860 2299940.pdf
RURP860
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RURP860 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.5 V, 60 ns, 100 A
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassspannung Vf max.: 1.5
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 60
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 8
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: RURP8
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 100
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
NOIP1SN2000A-QTI NOIP1SN5000A-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SN2000A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SN5000A-QTI NOIP1SN5000A-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SN5000A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SN0300A-QTI NOIP1SN1300A-D.PDF
NOIP1SN0300A-QTI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SN0300A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SN1300A-QTI NOIP1SN1300A-D.PDF
NOIP1SN1300A-QTI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SN1300A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SE0300A-QTI NOIP1SN1300A-D.PDF
NOIP1SE0300A-QTI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SE0300A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SN2000A-LTI NOIP1SN5000A-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SN2000A-LTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SE2000A-QTI NOIP1SN5000A-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SE2000A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SE5000A-QTI NOIP1SN5000A-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SE5000A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SE025KA-GTI NOIP1SN025KA-D.PDF
NOIP1SE025KA-GTI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SE025KA-GTI - IMAGE SENSOR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SN0500A-QTI NOIP1SN1300A-D.PDF
NOIP1SN0500A-QTI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SN0500A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SE0500A-QTI NOIP1SN1300A-D.PDF
NOIP1SE0500A-QTI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SE0500A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SN5000A-LTI NOIP1SN5000A-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SN5000A-LTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1FN5000A-QTI NOIP1SN5000A-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1FN5000A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1FN1300A-QTI NOIP1SN1300A-D.PDF
NOIP1FN1300A-QTI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1FN1300A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1FN025KA-GTI NOIP1SN025KA-D.PDF
NOIP1FN025KA-GTI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1FN025KA-GTI - IMAGE SENSOR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SE1300A-QTI NOIP1SN1300A-D.PDF
NOIP1SE1300A-QTI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SE1300A-QTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SN025KA-GTI NOIP1SN025KA-D.PDF
NOIP1SN025KA-GTI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SN025KA-GTI - IMAGE SENSOR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SE2000A-LTI NOIP1SN5000A-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SE2000A-LTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NOIP1SE5000A-LTI NOIP1SN5000A-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NOIP1SE5000A-LTI - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCN5110ASGEVB EVBUM2715-D.PDF
NCN5110ASGEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCN5110ASGEVB - Evaluationsboard, Arduino-Shield, NCN5110, Kommunikation, Transceiver
Prozessorkern: NCN5110
Kit-Anwendungsbereich: Kommunikation
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCN5110
Unterart Anwendung: Transceiver
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4517.1 грн
NCN5130ASGEVB EVBUM2715-D.PDF
NCN5130ASGEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCN5130ASGEVB - Evaluationsboard, Arduino-Shield, NCN5130, Kommunikation, Transceiver
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCN5130
Kit-Anwendungsbereich: Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCN5130
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4857.71 грн
NCN5121ASGEVB EVBUM2715-D.PDF
NCN5121ASGEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCN5121ASGEVB - Evaluationsboard, Arduino-Shield , NCN5121, Kommunikation, Transceiver
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCN5121
Kit-Anwendungsbereich: Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCN5121
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товар відсутній
FQAF11N90C 2907412.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQAF11N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 0.91 ohm, TO-3PF
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 120
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.91
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+417.88 грн
10+ 365.06 грн
100+ 256.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
BUT11AFTU 1863384.pdf
BUT11AFTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUT11AFTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 5 A, 40 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+115.12 грн
10+ 85.94 грн
100+ 68.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
BUT11A BUT11A-D.pdf
BUT11A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUT11A - NPN SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCP1200P40G 2160735.pdf
NCP1200P40G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1200P40G - PWM-Controller, 12.5V-6.3V Versorgungsspannung, 40kHz, 250mAout, DIP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Controller-IC: DIP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 250mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Frequenz: 40kHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 6.3V
euEccn: NLR
Eingangsspannung: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 12.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+86.73 грн
11+ 74.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
BUZ11-NR4941 ONSM-S-A0013178684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUZ11-NR4941
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUZ11-NR4941 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 30 A, 0.03 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 19109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+101.71 грн
11+ 75.38 грн
100+ 56.61 грн
500+ 35.51 грн
1000+ 32.1 грн
5000+ 31.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
1N5361BG ONSMS36970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N5361BG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5361BG - Zener-Diode, 27 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 0
Zener-Spannung, nom.: 27V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+39.42 грн
24+ 33.04 грн
100+ 20.66 грн
500+ 14.72 грн
1000+ 9.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
74AC14SCX 1573464.pdf
74AC14SCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74AC14SCX - Inverter, Schmitt-Trigger, 74AC14, 6 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC14
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+49.59 грн
20+ 40.05 грн
100+ 23.34 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDP075N15A-F102 fdp075n15a-d.pdf
FDP075N15A-F102
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP075N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.00625 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+480.96 грн
5+ 454.94 грн
10+ 428.92 грн
50+ 330.93 грн
100+ 276.41 грн
250+ 271.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
74ACT32SC 2304047.pdf
74ACT32SC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74ACT32SC - OR-Gatter, 74ACT32, 2 Eingänge, 24mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: 0
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 0
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+61.5 грн
17+ 48.41 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N6284G ONSM-S-A0013339379-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N6284G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6284G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 160W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+492 грн
10+ 354.81 грн
100+ 269.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N6288G 1913540.pdf
2N6288G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6288G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 7 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
2N6287G 168109.pdf
2N6287G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6287G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 20 A, 160 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
2N6292G description ONSM-S-A0014594748-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N6292G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6292G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 70 V, 7 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2.3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+89.1 грн
12+ 68.28 грн
100+ 49.91 грн
500+ 39.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N6286G 168109.pdf
2N6286G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6286G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 40 A, 160 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 160
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NCP1392BDR2G 2355061.pdf
NCP1392BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1392BDR2G - MOSFET-Treiber, 16V Versorgungsspannung, 1A Ausgangsspannung, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Quellstrom: 500
Spitzenausgangsstrom: 1
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCP1392DDR2G 2355061.pdf
NCP1392DDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1392DDR2G - MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+100.92 грн
11+ 72.7 грн
100+ 50.7 грн
500+ 34.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
NCP1392DDR2G 2355061.pdf
NCP1392DDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1392DDR2G - MOSFET-Treiber Halbbrücke integrierter Oszillator, 0V-20V Versorgung, 1Aout, 20ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+50.7 грн
500+ 34.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
NDS8434 256373.pdf
NDS8434
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
NDS8434 2298023.pdf
NDS8434
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
NSI45025AT1G 1904477.pdf
NSI45025AT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSI45025AT1G - LED-Treiber, linear, 0V bis 45Vin, 1 Ausgang, 1MHz Schaltfrequenz, 25mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: 0V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+39.66 грн
26+ 30.83 грн
100+ 17.27 грн
500+ 11.2 грн
Мінімальне замовлення: 20
NSI45030T1G 1878368.pdf
NSI45030T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSI45030T1G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 45Vin, 30mAout, SOD-123-2
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOD-123
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+41.32 грн
25+ 32.72 грн
100+ 18.37 грн
500+ 12.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1755 1756 1757 1758 1759 1760 1761 1762 1763 1764 1765 1880 2115 2350  [ Наступна Сторінка >> ]