Продукція > SUM

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO263

товару немає в наявності

SUM09N20-270-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM09N20-270-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO263

товару немає в наявності

SUM10250E-GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	304.21 грн
46+	266.98 грн
48+	253.82 грн
100+	212.63 грн
250+	186.13 грн
500+	162.45 грн

Мінімальне замовлення: 41

SUM10250E-GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V

товару немає в наявності

SUM10250E-GE3

Description: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.0247 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0247
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0247
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	226.9 грн
10+	203.82 грн
100+	167.19 грн
500+	152.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM10250E-GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM10250E-GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM10250E-GE3

SUM10250E-GE3 SMD N channel transistors

на замовлення 774 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	280.88 грн
7+	171.22 грн
17+	161.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM10250E-GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V

товару немає в наявності

SUM10250E-GE3

MOSFETs 250V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 640 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.45 грн
10+	177.93 грн
25+	141.23 грн
100+	124.91 грн
250+	117.81 грн
2400+	113.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM10250E-GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	259.78 грн
10+	231.1 грн
25+	220.96 грн
100+	187.59 грн
250+	165.1 грн
500+	145.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM10250E-GE3

Description: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.0247 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0247
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	167.19 грн
500+	152.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM110N02-03

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N02-03P

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N03-03

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N03-03P

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N03-03P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM110N03-04P
Код товару: 167466

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

SUM110N03-04P

MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

товару немає в наявності

SUM110N03-04P

на замовлення 2441 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N03-04P-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM90N04-3M3P-E3

товару немає в наявності

SUM110N03-04P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM110N03-04P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM110N03-04P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM110N03-04P-T1-E3

MOSFET

товару немає в наявності

SUM110N04

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N04-02L

MOSFET OBSOLETE - USE SUM110N04-2m3L-E3

товару немає в наявності

SUM110N04-02L

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM110N04-02L

на замовлення 719 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N04-02L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3

товару немає в наявності

SUM110N04-03

MOSFET OBSOLETE - USE SUM110N04-2m7H-E3

товару немає в наявності

SUM110N04-03-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM110N04-03-E3

MOSFET 40V 110A 437.5W 2.8mohm @ 10V

товару немає в наявності

SUM110N04-03L

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N04-03L

MOSFET OBSOLETE - USE SUM110N04-05H-E3

товару немає в наявності

SUM110N04-03P

MOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3

товару немає в наявності

SUM110N04-03P

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N04-03P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM110N04-03P-E3

MOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3

товару немає в наявності

SUM110N04-04

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N04-04-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM110N04-04-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM110N04-05H-E3

MOSFET 40V 110A 150W

товару немає в наявності

SUM110N04-05H-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM110N04-05H-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM110N04-05H-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM110N04-2M1P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 20 V

товару немає в наявності

SUM110N04-2M1P-E3

08+ DO

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N04-2M1P-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM110N04-2M1P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 20 V

товару немає в наявності

SUM110N04-2M1P-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM110N04-2M1P-E3
Код товару: 164383

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

SUM110N04-2M1P-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3

товару немає в наявності

SUM110N04-2M3L

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N04-2M3L-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM110N04-2M3L-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM110N04-2M3L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3

товару немає в наявності

SUM110N04-2M7H-E3

MOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3

товару немає в наявності

SUM110N05

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N05-06L

MOSFET 55V 110A 158W

товару немає в наявності

SUM110N05-06L

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N05-06L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-IRFZ48SPBF

товару немає в наявності

SUM110N05-06L-E3

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N05-06L-E3

Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM110N05-06L-E3

Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM110N05-06L-T1-E3

MOSFET

товару немає в наявності

SUM110N05H

на замовлення 7800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N06-04L

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 200 DEG.C MOSFET

товару немає в наявності

SUM110N06-04L

на замовлення 7800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N06-04L-E3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 200 DEG.C MOSFET

товару немає в наявності

SUM110N06-05L

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

товару немає в наявності

SUM110N06-05L-E3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

товару немає в наявності

SUM110N06-05L-T1-E3

MOSFET

товару немає в наявності

SUM110N06-06

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S), 175 DEG.C MOSFET

товару немає в наявності

SUM110N06-06-E3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S), 175 DEG.C MOSFET

товару немає в наявності

SUM110N06-3M4L

T2BAC

на замовлення 270 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N06-3M4L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM110N06-3M4L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM110N06-3M4L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM110N06-3M4L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM120N06-3M5LGE

товару немає в наявності

SUM110N06-3M9H-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM110N06-3M9H-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM50020EL-GE3

товару немає в наявності

SUM110N06-3M9H-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM110N06-3M9H-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB

товару немає в наявності

SUM110N08-05

Trans MOSFET N-CH 75V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM110N08-05

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N08-05-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM110N08-07

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N08-07L

на замовлення 480 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N08-07L

Trans MOSFET N-CH 75V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM110N08-07P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM110N08-07P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V

товару немає в наявності

SUM110N08-07P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V

товару немає в наявності

SUM110N08-10

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N08-10

Trans MOSFET N-CH 75V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM110N08-10-E3

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N08-10-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM110N10

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N10-0

на замовлення 13500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N10-08

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N10-09

07+

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N10-09

MOSFETs RECOMMENDED ALT SUM110N10-09-E3

товару немає в наявності

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	154.35 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110N10-09-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 87A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 87A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 578 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	320.05 грн
5+	278.22 грн
6+	205.82 грн
14+	194.28 грн

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	174.14 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	161.7 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110N10-09-E3

на замовлення 578 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	266.71 грн
5+	223.26 грн
6+	171.51 грн
14+	161.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	228.22 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110N10-09-E3

MOSFETs 100V 110A 375W

на замовлення 2097 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	289.8 грн
10+	239.95 грн
100+	168.91 грн
500+	168.2 грн
800+	136.27 грн
2400+	134.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110N10-09-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	156.48 грн
1600+	129.02 грн
2400+	121.49 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	143.85 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	130.82 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110N10-09-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

на замовлення 3001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	259.49 грн
10+	209.59 грн
100+	169.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110N1009

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P04-04L

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P04-04L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -110A; Idm: -240A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт

товару немає в наявності

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM110P04-04L-E3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SUM110P04-05-E3

на замовлення 1074 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	352.73 грн
10+	292.19 грн
25+	239.88 грн
100+	205.11 грн
250+	200.14 грн
500+	146.91 грн

SUM110P04-04L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V

на замовлення 15200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	147.39 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	245.71 грн
10+	223.11 грн
25+	172.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	172.51 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P04-04L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V

на замовлення 15886 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	315.53 грн
10+	255.2 грн
100+	206.43 грн

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	160.19 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P04-04L-E3

товару немає в наявності

SUM110P04-05-E3

Description: VISHAY - SUM110P04-05-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0041 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 6589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	189.26 грн
250+	169.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM110P04-05-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -33A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -33A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 280nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 625 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	400.31 грн
4+	276.38 грн
11+	251.95 грн
800+	247.51 грн

SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

SUM110P04-05-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V

на замовлення 45600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	190.55 грн
1600+	157.12 грн
2400+	147.94 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	168.62 грн

Мінімальне замовлення: 73

SUM110P04-05-E3

на замовлення 6589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	334.38 грн
10+	240.44 грн
50+	222.13 грн
100+	189.26 грн
250+	169.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM110P04-05-E3

на замовлення 625 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	333.59 грн
4+	221.79 грн
11+	209.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	242.79 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P04-05-E3

P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 110; Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25; Qg, нКл = 280; Rds = 5 мОм; Ugs(th) = 4 В; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK

на замовлення 1 шт:

термін постачання 3-4 дні (днів)

1+	624 грн
10+	240.43 грн
100+	223.25 грн

SUM110P04-05-E3

MOSFETs 40V 110A 375W

на замовлення 9600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	308.84 грн
10+	254.65 грн
25+	213.62 грн
100+	178.85 грн
250+	176.01 грн
500+	174.59 грн
800+	162.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	284.14 грн
10+	240.13 грн
25+	227.1 грн
100+	186.51 грн
250+	139.8 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM110P04-05-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V

на замовлення 46539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	315.53 грн
10+	255.2 грн
100+	206.43 грн

SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	240.9 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-07L

MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

товару немає в наявності

SUM110P06-07L

TO-263

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P06-07L

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P06-07L

P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 11400 @ 25; Qg, нКл = 345 @ 10 В; Rds = 6,9 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+175; D2PAK

на замовлення 2 шт:

термін постачання 3-4 дні (днів)

2+	359.92 грн
10+	335.93 грн
100+	311.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P06-07L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V

на замовлення 59200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	152.72 грн
1600+	125.92 грн
2400+	118.57 грн
5600+	106.76 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 21600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	142.86 грн
1600+	142.63 грн
2400+	139.77 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-07L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 345nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1489 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	234.87 грн
3+	196.65 грн
6+	144.9 грн
17+	136.77 грн
500+	134.55 грн
800+	131.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P06-07L-E3

Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6,9mOhm; 110A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM110P06-07L TSUM110P06-07l
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 5 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	126.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 163 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	248.72 грн
10+	220.02 грн
25+	215.65 грн
100+	148.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM110P06-07L-E3

Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 38917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	175.95 грн
250+	159 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 163 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

74+	165.53 грн

Мінімальне замовлення: 74

SUM110P06-07L-E3
Код товару: 141393

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

SUM110P06-07L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V

на замовлення 59959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	253.35 грн
10+	204.49 грн
100+	165.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 21600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	153.85 грн
1600+	153.61 грн
2400+	150.52 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-07L-E3

на замовлення 1489 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	281.84 грн
3+	245.06 грн
6+	173.88 грн
17+	164.12 грн
500+	161.46 грн
800+	157.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P06-07L-E3

на замовлення 38917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	281.04 грн
10+	209.39 грн
50+	199.83 грн
100+	175.95 грн
250+	159 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	115.09 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 22400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	192.96 грн
5600+	177.17 грн
11200+	165.71 грн
16800+	151.52 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	138.14 грн
1600+	137.68 грн
2400+	116.1 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-07L-E3

MOSFETs 60V 110A 375W

на замовлення 9410 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	269.1 грн
10+	225.26 грн
25+	193.75 грн
100+	161.11 грн
250+	160.4 грн
800+	129.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	148.22 грн
1600+	147.72 грн
2400+	124.57 грн

Мінімальне замовлення: 800

sum110p06-08l

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P06-08L-E3

Description: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	142.51 грн
2400+	139.33 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	223.96 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	207.96 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM110P06-08L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V

на замовлення 2984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	308.62 грн
10+	207.07 грн
100+	153.22 грн

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM110P06-08L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -200A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 272W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 240nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 868 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	280.88 грн
9+	131.74 грн
23+	119.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P06-08L-E3

MOSFETs 60V 110A 272W 8.0mohm @ 10V

на замовлення 159510 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	270.76 грн
10+	230.98 грн
25+	174.59 грн
100+	153.3 грн
250+	151.17 грн
500+	137.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P06-08L-E3

Description: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	163.38 грн
250+	148.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	147.44 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	192.72 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-08L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	136.9 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-08L-E3

на замовлення 868 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	234.07 грн
9+	105.72 грн
23+	99.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P06-08L-E3

Description: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	299.35 грн
10+	199.83 грн
50+	187.89 грн
100+	163.38 грн
250+	148.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	136.91 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P0608LE3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P08-11-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 40 V

товару немає в наявності

SUM110P08-11L

09+ SOP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P08-11L

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P08-11L-E3

MOSFETs 80V 110A 375W

на замовлення 91702 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	344.45 грн
10+	285.66 грн
25+	246.27 грн
100+	200.85 грн
250+	199.43 грн
500+	190.2 грн
800+	154.01 грн

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	169.75 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P08-11L-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V

на замовлення 45653 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	307.86 грн
10+	249.21 грн
100+	201.6 грн

SUM110P08-11L-E3

Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0093 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 26817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	214.39 грн
250+	186.3 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	367.1 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P08-11L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -110A; Idm: -120A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 733 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	354.29 грн
4+	226.96 грн
11+	214.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM110P08-11L-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V

на замовлення 45600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	186.1 грн
1600+	153.44 грн
2400+	144.48 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P08-11L-E3

на замовлення 26817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	377.38 грн
10+	269.1 грн
50+	249.99 грн
100+	214.39 грн
250+	186.3 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	395.33 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P08-11L-E3

на замовлення 733 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	425.15 грн
4+	282.83 грн
11+	257.27 грн

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	182.14 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	173.88 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM11N08-07

на замовлення 7800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM120N04-1M7L-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM120N04-1M7L-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM120N04-1M7L-GE3

APC by Schneider Electric

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11685 pF @ 20 V

товару немає в наявності

SUM1234

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM1500RMXL2U

UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Rackmount/Tower

товару немає в наявності

SUM18N25-165-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM18N25-165-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO263

товару немає в наявності

SUM18N25-165-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO263

товару немає в наявності

SUM23N15-73

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM23N15-73-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM23N15-73-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM23N15-73-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM25P10-138-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 16.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

SUM25P10-138-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM27N20

на замовлення 213 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM27N20-78

DO-41

на замовлення 4000000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM27N20-78-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK

товару немає в наявності

SUM27N20-78-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK

товару немає в наявності

SUM27N20-78-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK

товару немає в наявності

SUM2891 ISS.1 FAIR

APC by Schneider Electric

SUM2891 ISS.1 FAIR

товару немає в наявності

SUM3000RMXL2U

UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Rackmount/Tower

товару немає в наявності

SUM3016-1 ISS. 14

SUM3016-1 ISS. 14

товару немає в наявності

SUM3016-1 ISS. 14 FAIR

SUM3016-1 ISS. 14 FAIR

товару немає в наявності

SUM3016-10 ISS. 14

SUM3016-10 ISS. 14

товару немає в наявності

SUM3016-10 ISS. 14 FAIR

SUM3016-10 ISS. 14 FAIR

товару немає в наявності

SUM3016-2 ISS.14

SUM3016-2 ISS.14

товару немає в наявності

SUM3016-2 ISS.14 FAIR

SUM3016-2 ISS.14 FAIR

товару немає в наявності

SUM33N20-60P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK

товару немає в наявності

SUM33N20-60P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK

товару немає в наявності

SUM33N20-60P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK

товару немає в наявності

SUM36N20-54P

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM36N20-54P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM36N20-54P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM40010EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11155 pF @ 30 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	91.2 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM40010EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM40010EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11155 pF @ 30 V

на замовлення 3148 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	226.48 грн
10+	150.37 грн
100+	109.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM40010EL-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 2332 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.03 грн
10+	168.95 грн
25+	144.78 грн
100+	125.62 грн
2400+	119.94 грн
4800+	117.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM40010EL-GE3

Description: VISHAY - SUM40010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00127ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	180.73 грн
10+	131.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUM40010EL-GE3

SUM40010EL-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SUM40012EL-GE3

Description: VISHAY - SUM40012EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00139ohm

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM40012EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V

товару немає в наявності

SUM40012EL-GE3

MOSFET 40V Vds +/-20V Vgs TO-263

на замовлення 595 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.8 грн
10+	186.9 грн
100+	134.14 грн
500+	110.72 грн
800+	100.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM40012EL-GE3

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM40012EL-GE3

SUM40012EL-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SUM40012EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	209.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM40012EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM40014M-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 200A

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	191.76 грн
10+	177.97 грн
25+	176.16 грн
50+	168.2 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM40014M-GE3

SUM40014M-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SUM40014M-GE3

Description: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.00082 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00082ohm

на замовлення 2163 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	128.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM40014M-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	107.99 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM40014M-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 200A

товару немає в наявності

SUM40014M-GE3

SUM40014M-GE3

товару немає в наявності

SUM40014M-GE3

на замовлення 2132 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	198.24 грн
10+	147.29 грн
100+	141.72 грн
500+	125.68 грн
1000+	111.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUM40014M-GE3

MOSFETs TO263 N CHAN 40V

на замовлення 4586 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.33 грн
10+	150.18 грн
25+	127.75 грн
100+	110.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM40014M-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V

на замовлення 5045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.76 грн
10+	131.44 грн
100+	106.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM40N02-12P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 40A D2PAK

товару немає в наявності

SUM40N05-19L-E3

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM40N10-30

на замовлення 31 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM40N10-30-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM40N10-30-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM40N10-30-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM40N10-30-E3

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM40N10-30-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM40N15-38-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM40N15-38-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263

товару немає в наявності

SUM40N15-38-E3

MOSFET 150V 40A 166W 38mohm @ 10V

на замовлення 1407 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SUM40N15-38-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263

товару немає в наявності

SUM4285 ISS.1 FAIR

SUM4285 ISS.1 FAIR

товару немає в наявності

SUM4293 ISS. 1 FAIR

SUM4293 ISS. 1 FAIR

товару немає в наявності

SUM4298 ISS. 2 FAIR

London Nameplate Manufacturing

SUM4298 ISS. 2 FAIR

товару немає в наявності

SUM4301-1 ISSUE 1 FAIR

Invotec Group

SUM4301-1 ISSUE 1 FAIR

товару немає в наявності

SUM4460 FAIR

SUM4460 FAIR

товару немає в наявності

SUM45N25-58

MOSFET OBSOLETE - USE SUM45N25-58-E3

товару немає в наявності

SUM45N25-58

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM45N25-58

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM45N25-58-E3

SUM45N25-58-E3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SUM45N25-58-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM45N25-58-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM45N25-58-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM45N25-58-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM45N25-58-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM45N25-58-E3

MOSFET 250V 45A 375W 58mohm @ 10V

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	332.86 грн
10+	275.87 грн
100+	193.75 грн
500+	179.56 грн
800+	154.72 грн

SUM45N25-58-E3

Description: VISHAY - SUM45N25-58-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	356.68 грн
10+	269.1 грн
100+	217.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM4685-1 ISS. 3

SUM4685-1 ISS. 3

товару немає в наявності

SUM4685-1 ISS. 3 FAIR

SUM4685-1 ISS. 3 FAIR

товару немає в наявності

SUM4760-1 ISS.1

товару немає в наявності

SUM4760-1 ISS.1 FAIR

SUM4760-1 ISS.1 FAIR

товару немає в наявності

SUM4792

SUM4792

товару немає в наявності

SUM4792 FAIR

SUM4792 FAIR

товару немає в наявності

SUM47N10

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM47N10-24L-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM47N10-24L-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM47N10-24L-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM4810 ISS. 3 FAIR

APC by Schneider Electric

SUM4810 ISS. 3 FAIR

товару немає в наявності

SUM48RMXLBP2U

Schneider Electric

UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Modular 48V Extended Run Battery Pack

товару немає в наявності

SUM48RMXLBP2U

UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Modular 48V Extended Run Battery Pack

товару немає в наявності

SUM50010E-GE3

SUM50010E-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SUM50010E-GE3

MOSFET 60V Vds; 20V Vgs TO-263

на замовлення 2202 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	271.58 грн
10+	225.26 грн
25+	193.04 грн
100+	158.98 грн
250+	156.14 грн
500+	141.23 грн
800+	114.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM50010E-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	162 грн
10+	152.43 грн
100+	138.49 грн
250+	131.22 грн
500+	115.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM50010E-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	122.54 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM50010E-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO263
Packaging: Strip
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V

на замовлення 892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	254.12 грн
10+	205.37 грн
100+	166.15 грн
500+	138.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM50010EL-GE3

MOSFET 60V Vds 150A 375W 175C

на замовлення 300 шт:

термін постачання 133-142 дні (днів)

2+	311.33 грн
10+	257.09 грн
100+	180.98 грн
250+	171.04 грн
500+	161.11 грн
800+	137.68 грн
2400+	129.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM50010EL-GE3

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET D2PAK (TO-263) 250M SG , 1.75 m @ 10V 2.2 m @ 7.5V m @ 4.5V

товару немає в наявності

SUM50020E-GE3

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

SUM50020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

на замовлення 57 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM50020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

товару немає в наявності

SUM50020E-GE3

MOSFETs 60V Vds TrenchFET TO-263-3

на замовлення 2177 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	298.91 грн
10+	196.7 грн
100+	127.04 грн
800+	113.55 грн
2400+	89.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM50020E-GE3

SUM50020E-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SUM50020EL-GE3

Description: VISHAY - SUM50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	148.88 грн
500+	135.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM50020EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

на замовлення 1094 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM50020EL-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 697 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SUM50020EL-GE3

SUM50020EL-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SUM50020EL-GE3

на замовлення 747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	246.81 грн
10+	184.71 грн
100+	148.88 грн
500+	135.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM50020EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM50020EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM50020EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM50N03

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM50N03-13LC

на замовлення 19975 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM50N03-13LC-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM50N03-13LC-E3

MOSFETs 30V 50A 83W w/Sense Terminal

товару немає в наявності

SUM50N06-16L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM50N06-16L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1325 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM50P10-42-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO263

товару немає в наявності

SUM50UF

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM52N20-39P

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM52N20-39P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM5550A

SUM

04+ TSSOP-28P

на замовлення 169 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM55N03-16P-E3

на замовлення 860 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM55P06-19L

09+ DIP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	89.48 грн
2400+	87.67 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM55P06-19L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -31A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -31A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1184 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	203.5 грн
10+	163.06 грн
12+	90.49 грн
32+	85.17 грн
9600+	81.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 2560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

117+	104.1 грн

Мінімальне замовлення: 117

SUM55P06-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V

на замовлення 1386 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	211.89 грн
10+	139.95 грн
100+	101.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	96.37 грн
2400+	94.42 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM55P06-19L-E3

MOSFETs 60V 55A 125W

на замовлення 3739 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.86 грн
10+	164.87 грн
100+	123.49 грн
250+	114.26 грн
500+	105.75 грн
800+	83.04 грн
2400+	81.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM55P06-19L-E3

MOSFET P-CH 60V 55A D2PAK

на замовлення 2 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUM55P06-19L-E3

Description: VISHAY - SUM55P06-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 2029 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	234.87 грн
10+	166.4 грн
100+	129.77 грн
500+	86.5 грн
1000+	78.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM55P06-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	83.76 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK SUM55P06-19L-E3 TSUM55P06-19l
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 205 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	72.48 грн

Мінімальне замовлення: 10

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	131.86 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM55P06-19L-E3

на замовлення 1184 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	169.58 грн
10+	130.85 грн
12+	75.41 грн
32+	70.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 2560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	147.67 грн
10+	128.33 грн
100+	114.28 грн
250+	103.01 грн
500+	89.09 грн
800+	67.51 грн
2400+	66.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUM55P0619L

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60020E-GE3

MOSFETs TO263 80V 150A N-CH MOSFET

на замовлення 19576 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	230.18 грн
10+	190.17 грн
100+	134.14 грн
250+	133.43 грн
500+	124.91 грн
800+	104.33 грн
2400+	101.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	111.78 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM60020E-GE3

Description: VISHAY - SUM60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.00175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 2857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	249.99 грн
10+	185.5 грн
50+	168.78 грн
100+	140.46 грн
250+	128.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	182.74 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM60020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V

на замовлення 2249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.52 грн
10+	166.64 грн
100+	134.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM60020E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 227nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товару немає в наявності

SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	126.49 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM60020E-GE3

Description: VISHAY - SUM60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.00175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 2857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	140.46 грн
250+	128.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM60020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	124.42 грн
1600+	102.59 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	117.88 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM60020E-GE3

товару немає в наявності

SUM60030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V

товару немає в наявності

SUM60030E-GE3

Description: VISHAY - SUM60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	246.81 грн
10+	174.36 грн
100+	140.92 грн
500+	119.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM60030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM60030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V

товару немає в наявності

SUM60030E-GE3

MOSFETs N-Channel 80V (D-S) TrenchFET

на замовлення 2115 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	226.87 грн
10+	188.54 грн
25+	154.72 грн
100+	132.01 грн
250+	124.91 грн
500+	107.88 грн
2400+	101.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM60030E-GE3

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	140.92 грн
500+	119.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM60061EL-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -150A; Idm: -250A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -150A
Pulsed drain current: -250A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 218nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товару немає в наявності

SUM60061EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM60061EL-GE3

Description: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0051 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm

на замовлення 562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	334.38 грн
100+	269.9 грн
500+	205.52 грн

Мінімальне замовлення: 10

SUM60061EL-GE3

Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	185.78 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM60061EL-GE3

MOSFETs 80V P-CH (D-S)

на замовлення 1266 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	438.84 грн
10+	363.2 грн
25+	298.08 грн
100+	255.5 грн
250+	240.59 грн
500+	227.11 грн
800+	205.82 грн

SUM60061EL-GE3

товару немає в наявності

SUM60061EL-GE3

Description: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0051 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm

на замовлення 562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	465.75 грн
10+	334.38 грн
100+	269.9 грн
500+	205.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM60061EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM60061EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM60061EL-GE3

Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	451.42 грн
10+	292.68 грн
100+	228.68 грн

SUM60N02-3M9P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM60N02-3M9P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 10 V

товару немає в наявності

SUM60N02-3M9P-E3

MOSFET 20V 60A 120W 3.9mohm @ 10V

товару немає в наявності

SUM60N04-05C

на замовлення 599 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N04-05LT-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM60N04-05T-E3

MOSFETs 40V 60A 200W w/Sensing Diode

товару немає в наявності

SUM60N04-06T

на замовлення 6400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N04-06T-E3

MOSFETs 40V 60A 200W w/Sensing Diode

товару немає в наявності

SUM60N04-12

на замовлення 137 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N04-12LT

09+

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N04-12LT

MOSFET 40V 60A 110W

товару немає в наявності

SUM60N04-12LT

на замовлення 5852 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N04-12LT-E3

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N04-12LT-E3

MOSFET 40V 60A 110W

товару немає в наявності

SUM60N04-1ZLT

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N0412LT

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N06-15

на замовлення 155 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N06-15-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM60N10-17

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N10-17-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	116.68 грн
1600+	96.21 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM60N10-17-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт

товару немає в наявності

SUM60N10-17-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

SUM60N10-17-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

SUM60N10-17-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 566 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

82+	149.95 грн
89+	137.86 грн
90+	136.48 грн
100+	118.7 грн
250+	108.82 грн
500+	84.3 грн

Мінімальне замовлення: 82

SUM60N10-17-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V

на замовлення 2513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.7 грн
10+	156.21 грн
100+	126.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM60N10-17-E3

товару немає в наявності

SUM60N10-17-E3

Description: VISHAY - SUM60N10-17-E3 - MOSFET, N, TO-263
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 57 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	278.65 грн
10+	196.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM60N10-17-E3

MOSFETs 100V 60A 150W

на замовлення 2693 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	182.16 грн
10+	156.7 грн
25+	135.56 грн
100+	114.97 грн
250+	114.26 грн
500+	107.88 грн
800+	107.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM60N10-17-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 566 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	139.24 грн
10+	128.02 грн
25+	126.74 грн
100+	110.22 грн
250+	101.05 грн
500+	78.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUM60P05

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60P05-11LT

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60P05-11LT-E3

Trans MOSFET P-CH 55V 60A 5-Pin(4+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM60P05-11LT-E3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM65N20-30

MOSFET OBSOLETE - USE SUM65N20-30-E3

товару немає в наявності

SUM65N20-30

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM65N20-30-E3

MOSFETs 200V 65A 375W 30mohm @ 10V

на замовлення 4724 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	343.62 грн
10+	300.35 грн
100+	211.49 грн
500+	174.59 грн
800+	169.62 грн

SUM65N20-30-E3

SUM65N20-30-E3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	332.28 грн
10+	327.01 грн
25+	320.61 грн
100+	260.26 грн
250+	238.56 грн
500+	206.35 грн
1000+	167.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM65N20-30-E3
Код товару: 192327

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

SUM65N20-30-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	195.97 грн
1600+	161.58 грн
2400+	152.15 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	185.5 грн
1600+	182.57 грн
2400+	179.65 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	100.19 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM65N20-30-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

на замовлення 5093 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	324.75 грн
10+	262.45 грн
100+	212.29 грн

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	352.16 грн
36+	345.27 грн
100+	280.28 грн
250+	256.91 грн
500+	222.22 грн
1000+	180.14 грн

Мінімальне замовлення: 35

SUM6600HR

SOP-56L

на замовлення 999 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM6600HR

на замовлення 16 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM6K1N

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM70030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM70030E-GE3

Description: VISHAY - SUM70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm

на замовлення 1978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	292.98 грн
10+	217.35 грн
100+	169.58 грн
500+	142.68 грн
1000+	118.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM70030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	150.7 грн
1600+	124.26 грн
2400+	117 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM70030E-GE3

SUM70030E-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SUM70030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	186.03 грн
10+	170.74 грн
25+	167.95 грн
50+	159.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM70030E-GE3

MOSFET 100V Vds; 20V Vgs TO-263

на замовлення 1260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	261.65 грн
10+	219.55 грн
25+	186.65 грн
100+	158.98 грн
250+	154.01 грн
500+	133.43 грн
800+	117.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM70030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	131.65 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM70030E-GE3

на замовлення 1978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	169.58 грн
500+	142.68 грн
1000+	118.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM70030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

на замовлення 3575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	249.51 грн
10+	201.82 грн
100+	163.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70030M-GE3

SUM70030M-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SUM70030M-GE3

Description: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	140.92 грн
500+	127.9 грн
1000+	115.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM70030M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

на замовлення 293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	238.76 грн
10+	192.66 грн
100+	155.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70030M-GE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

на замовлення 242 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	261.65 грн
10+	217.1 грн
25+	188.07 грн
100+	152.59 грн
800+	116.39 грн
2400+	112.13 грн
4800+	108.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70030M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube

товару немає в наявності

SUM70030M-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	120.06 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM70030M-GE3

Description: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	146.49 грн
10+	143.31 грн
100+	140.92 грн
500+	127.9 грн
1000+	115.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUM70030M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

товару немає в наявності

SUM70030M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube

товару немає в наявності

SUM70040E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

63+	194.26 грн
71+	172.35 грн
74+	166.59 грн
100+	140.22 грн
250+	127.66 грн
500+	111.77 грн

Мінімальне замовлення: 63

SUM70040E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

товару немає в наявності

SUM70040E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263

на замовлення 777 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	193.47 грн
7+	141.94 грн
17+	134.55 грн
50+	130.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM70040E-GE3

Description: VISHAY - SUM70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM70040E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	208.05 грн
10+	168.7 грн
100+	136.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70040E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	180.38 грн
10+	160.04 грн
25+	154.69 грн
100+	130.2 грн
250+	118.54 грн
500+	103.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM70040E-GE3

на замовлення 777 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	232.16 грн
7+	176.88 грн
17+	161.46 грн
50+	156.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70040E-GE3

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	246.01 грн
10+	184.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM70040E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

товару немає в наявності

SUM70040E-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 227 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.08 грн
10+	184.45 грн
25+	154.72 грн
100+	129.88 грн
250+	122.07 грн
500+	114.97 грн
800+	94.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70040E-GE3-X

MOSFET

товару немає в наявності

SUM70040M-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L

на замовлення 1535 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	226.04 грн
10+	187.72 грн
25+	154.01 грн
100+	131.3 грн
250+	124.91 грн
2400+	120.65 грн
4800+	117.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70040M-GE3

SUM70040M-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SUM70040M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

SUM70040M-GE3

Description: VISHAY - SUM70040M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 7Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	147.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM70040M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

на замовлення 787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	208.05 грн
10+	168.78 грн
100+	136.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70040M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

SUM70040M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

SUM70040M-GE3

Description: VISHAY - SUM70040M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

SUM70040M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

товару немає в наявності

SUM70042E-GE3

Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 4677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	239.64 грн
10+	178.34 грн
100+	144.9 грн
500+	119.02 грн
1000+	94.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM70042E-GE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Strip
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6490 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.52 грн
10+	166.86 грн
100+	135.02 грн
500+	112.64 грн
1000+	96.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70042E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A Tube

товару немає в наявності

SUM70042E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S)

на замовлення 674 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	220.25 грн
10+	182.82 грн
25+	154.01 грн
100+	128.46 грн
250+	124.91 грн
500+	114.26 грн
1000+	92.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70042E-GE3

Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 4677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	144.9 грн
500+	119.02 грн
1000+	94.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM70042E-GE3

SUM70042E-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SUM70042E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

товару немає в наявності

SUM70042M

SUM70042M

товару немає в наявності

SUM70042M-GE3

MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.5 mohm a. 10V 2.3 mohm a. 7.5V

товару немає в наявності

SUM70042M-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.83mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 50 V

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	394.61 грн
10+	318.85 грн
100+	257.97 грн

SUM70042M-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.83mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 50 V

товару немає в наявності

SUM70060E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM70060E-GE3

SUM70060E-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SUM70060E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V

товару немає в наявності

SUM70060E-GE3
Код товару: 180235

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

SUM70060E-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 11225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	165.6 грн
10+	125.69 грн
100+	82.33 грн
500+	75.94 грн
800+	63.87 грн
2400+	61.04 грн
4800+	60.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70060E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM70060E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V

товару немає в наявності

SUM70090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V

товару немає в наявності

SUM70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM70090E-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 2608 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.28 грн
10+	100.39 грн
100+	67 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM70090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V

товару немає в наявності

SUM70090E-GE3

SUM70090E-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SUM70101EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM70101EL-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.19µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -240A
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 800 шт

товару немає в наявності

SUM70101EL-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	133.48 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM70101EL-GE3

P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50; Qg, нКл = 190; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; TO-263

на замовлення 8 шт:

термін постачання 3-4 дні (днів)

2+	384.63 грн
10+	358.99 грн
100+	333.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70101EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM70101EL-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

на замовлення 4719 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	304.78 грн
10+	203.9 грн
100+	150.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70101EL-GE3

товару немає в наявності

SUM70101EL-GE3

MOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-263

на замовлення 3440 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	313.81 грн
10+	259.54 грн
100+	183.11 грн
500+	167.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70N03-09CP

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM70N03-09CP-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM70N03-09CP-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM70N04-07L

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM70N04-07L-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM70N04-07L-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM70N06-11

на замовлення 4080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM70N06-11-E3

09+ TO252

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM75N04-05L

на замовлення 9900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM75N06-09L

MOSFET OBSOLETE - USE SUM75N06-09L-E3

товару немає в наявності

SUM75N06-09L

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM75N06-09L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-IRFZ48SPBF

товару немає в наявності

SUM75N06-09L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM75N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM75N06-09L-T1-E3

MOSFET

товару немає в наявності

SUM75N15-18P-E3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM75N15-18P-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 75A TO263

товару немає в наявності

SUM75N15-18P-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM80090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	127.26 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM80090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1546 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM80090E-GE3

Description: VISHAY - SUM80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 5128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	264.32 грн
10+	195.06 грн
100+	159.23 грн
500+	138.25 грн
1000+	124.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM80090E-GE3

MOSFET 150V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 7410 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	226.04 грн
10+	187.72 грн
25+	154.01 грн
100+	131.3 грн
250+	124.2 грн
500+	117.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM80090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V

на замовлення 1246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	210.36 грн
10+	170.41 грн
100+	137.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM80090E-GE3

SUM80090E-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SUM85N02-05P

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM85N03-06P

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM85N03-06P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 85A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

SUM85N03-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM85N03-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM85N03-07P

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM85N03-07P

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM85N03-07P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM85N03-08P

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM85N15-19

на замовлення 31200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM85N15-19-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 85A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM85N15-19-E3

SUM85N15-19-E3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SUM85N15-19-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	240.58 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM85N15-19-E3

на замовлення 6400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM85N15-19-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V

на замовлення 875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	398.45 грн
10+	322.18 грн
100+	260.63 грн

SUM85N15-19-E3

MOSFET 150V 85A 375W 19mohm @ 10V

на замовлення 392 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	385.85 грн
10+	331.37 грн
25+	271.82 грн
100+	232.79 грн
250+	228.53 грн
500+	204.4 грн
800+	185.95 грн

SUM865070

CELDUC

Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Ucntrl: 3.5÷32VDC; 45A; 24÷510VAC; SUL; 1-phase
IP rating: IP20
Body dimensions: 45x90x98mm
Switching method: zero voltage switching
Max. operating current: 45A
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase
Relay series: SUL
Control voltage: 3.5...32V DC
Switched voltage: 24...510V AC
Design: heatsink
Mounting: for DIN rail mounting
Operating temperature: -55...100°C

товару немає в наявності

SUM865070

CELDUC

товару немає в наявності

SUM865070

Celduc Inc.

Description: SSR 45A/24-510VAC/VDR/INPUT 3,5-

товару немає в наявності

SUM867070

CELDUC

SUM867070 One Phase Solid State Relays

товару немає в наявності

SUM867070

Celduc

SINGLE PHASE POWER SOLID CONTACTOR

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	11120.46 грн
5+	10290.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90100E-GE3

Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P

товару немає в наявності

SUM90100E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 150A Bulk

товару немає в наявності

SUM90100E-GE3

SUM90100E-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SUM90140E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 75A; 125W; D2PAK,TO263
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

SUM90140E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK

товару немає в наявності

SUM90140E-GE3

товару немає в наявності

SUM90140E-GE3

Description: VISHAY - SUM90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm

на замовлення 4720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	148.88 грн
500+	107.94 грн
1000+	98.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM90140E-GE3

MOSFETs 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 1357 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	235.98 грн
10+	196.7 грн
25+	147.62 грн
100+	131.3 грн
250+	128.46 грн
500+	126.33 грн
800+	102.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90140E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	182.27 грн
10+	167.72 грн
25+	166.22 грн
100+	135.07 грн
250+	122.37 грн
500+	103.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM90140E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK

товару немає в наявності

SUM90140E-GE3

на замовлення 4720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	250.79 грн
10+	173.56 грн
100+	148.88 грн
500+	107.94 грн
1000+	98.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM90140E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM90142E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 87nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: SMD
Case: TO263
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 16.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт

товару немає в наявності

SUM90142E-GE3

Description: VISHAY - SUM90142E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	262.73 грн
10+	189.48 грн
100+	153.66 грн
500+	118.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM90142E-GE3

MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-263

на замовлення 22983 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	248.4 грн
10+	184.45 грн
25+	157.56 грн
100+	125.62 грн
250+	117.81 грн
500+	108.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90142E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM90142E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	251.38 грн
58+	212.27 грн
61+	201.16 грн
62+	191.94 грн
100+	147.44 грн
250+	140.08 грн
500+	112.47 грн

Мінімальне замовлення: 49

SUM90142E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V

товару немає в наявності

SUM90142E-GE3

товару немає в наявності

SUM90142E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	233.43 грн
10+	197.11 грн
25+	186.79 грн
50+	178.23 грн
100+	136.9 грн
250+	130.07 грн
500+	104.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM90142E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	243.37 грн
10+	161.68 грн
100+	118.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90220E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK

товару немає в наявності

SUM90220E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM90220E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM90220E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK

товару немає в наявності

SUM90220E-GE3

SUM90220E-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SUM90220E-GE3

MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263

на замовлення 3899 шт:

термін постачання 888-897 дні (днів)

2+	228.53 грн
10+	203.23 грн
100+	141.94 грн
500+	116.39 грн
800+	96.52 грн
2400+	89.42 грн
5600+	88.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90220E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM90330E-GE3

SUM90330E-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

SUM90330E-GE3

MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263

на замовлення 3038 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.68 грн
10+	102.84 грн
100+	69.98 грн
500+	55.36 грн
2400+	51.1 грн
4800+	50.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM90330E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V

товару немає в наявності

SUM90330E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V

товару немає в наявності

SUM90330E-GE3

N-Channel 200 V MOSFET

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	51.5 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM90N03-2M2P

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM90N03-2M2P-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 257nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товару немає в наявності

SUM90N03-2M2P-E3
Код товару: 82556

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

SUM90N03-2M2P-E3

товару немає в наявності

SUM90N03-2M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM90N03-2M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	116.85 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM90N03-2M2P-E3

MOSFETs 30V 90A 250W

на замовлення 572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	279.86 грн
10+	231.79 грн
100+	163.23 грн
800+	132.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90N03-2M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V

на замовлення 933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	250.28 грн
10+	202.27 грн
100+	163.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90N04-3M3P-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM90N04-3M3P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263

товару немає в наявності

SUM90N04-3M3P-E3

MOSFET 40 Volts 90 Amps 125 Watts

на замовлення 5585 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SUM90N04-3M3P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263

товару немає в наявності

SUM90N06-4M4P-E3

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM90N06-4M4P-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V

товару немає в наявності

SUM90N06-4M4P-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM90N06-4M4P-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V

товару немає в наявності

SUM90N06-5M5P-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM90N06-5M5P-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 30 V

товару немає в наявності

SUM90N08-4M8P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 40 V

товару немає в наявності

SUM90N08-4M8P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM90N08-6M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM90N08-6M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V

товару немає в наявності

SUM90N08-6MP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM90N08-7M6P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3528 pF @ 30 V

товару немає в наявності

SUM90N08-7M6P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM90N10-8M2P-E3

MOSFET 100V 90A 300W

на замовлення 967 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	299.74 грн
10+	253.83 грн
25+	215.04 грн
100+	183.82 грн
250+	171.75 грн
500+	156.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90N10-8M2P-E3

SUM90N10-8M2P-E3 SMD N channel transistors

на замовлення 594 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	343.94 грн
8+	133.96 грн
22+	126.86 грн

SUM90N10-8M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V

на замовлення 4897 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	294.8 грн
10+	238.35 грн
100+	192.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90N10-8M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	85.28 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM90N10-8M2P-E3

Description: VISHAY - SUM90N10-8M2P-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	354.29 грн
10+	266.71 грн
100+	216.55 грн
500+	184.82 грн
1000+	169.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM90N10-8M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	177.95 грн
1600+	146.73 грн
2400+	138.16 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM90P10-19

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM90P10-19-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263

товару немає в наявності

SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 17.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 17.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	139.1 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM90P10-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V

на замовлення 5969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	311.69 грн
10+	252.02 грн
100+	203.87 грн

SUM90P10-19L-E3

Description: VISHAY - SUM90P10-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	360.66 грн
10+	257.95 грн
50+	239.64 грн
100+	204.78 грн
250+	184.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM90P10-19L-E3

SUM90P10-19L-E3 SMD P channel transistors

на замовлення 687 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	353.49 грн
5+	239.53 грн
12+	227.11 грн

SUM90P10-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	188.18 грн
1600+	155.16 грн
2400+	146.1 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM90P10-19L-E3

MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V

на замовлення 8393 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	334.51 грн
10+	276.68 грн
25+	236.33 грн
100+	194.46 грн
800+	152.59 грн

SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 17.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

SUM90P10-19L-E3

Siliconix

Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM90P10-19L-E3 TSUM90P10-19l
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	171.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUMIL25

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUMITOMO

Sumitomo Electric

69114095

товару немає в наявності

SUMMA01

на замовлення 2669 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUMMARY DATA P/L 59

Kyocera AVX

Kyocera AVX Components

товару немає в наявності

SUMMERREV1.1

CARRY

на замовлення 226 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUMMESPBL35

DEL-SUMMESPBL35 Leg protection

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	2582.47 грн
2+	2442.3 грн

SUMMESPBL36

DEL-SUMMESPBL36 Leg protection

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3173.31 грн

SUMMESPBL37

DEL-SUMMESPBL37 Leg protection

на замовлення 8 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	2696.03 грн

SUMMESPBL38

DEL-SUMMESPBL38 Leg protection

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3077.5 грн

SUMMESPBL40

Category: Leg protection
Description: Shoes; Size: 40; yellow-blue; cotton,polyester; with metal toecap
Material: cotton; polyester
Colour: yellow-blue
Conform to the norm: CE; EN ISO 20344:2011; EN ISO 20345:2011
Resistance to: cutting; impact; perforation; slip
Type of OSH component: shoes
Size: 40
Version: with metal toecap
Application of OSH: craftman; light industry; logistics; second work; services
Manufacturer series: SUMMER S1P SRC
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3282.7 грн

SUMMESPBL40

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2735.58 грн

SUMMESPBL41

DEL-SUMMESPBL41 Leg protection

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3077.5 грн

SUMMESPBL42

DEL-SUMMESPBL42 Leg protection

товару немає в наявності

SUMMESPBL43

Category: Leg protection
Description: Shoes; Size: 43; yellow-blue; cotton,polyester; with metal toecap
Material: cotton; polyester
Version: with metal toecap
Manufacturer series: SUMMER S1P SRC
Conform to the norm: CE; EN ISO 20344:2011; EN ISO 20345:2011
Resistance to: cutting; impact; perforation; slip
Type of OSH component: shoes
Size: 43
Application of OSH: craftman; light industry; logistics; second work; services
Colour: yellow-blue

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2735.58 грн
3+	2513.57 грн

SUMMESPBL43

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3282.7 грн
3+	3132.3 грн

SUMMESPBL44

DEL-SUMMESPBL44 Leg protection

товару немає в наявності

SUMMESPBL45

DEL-SUMMESPBL45 Leg protection

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3077.5 грн

SUMMESPBL46

DEL-SUMMESPBL46 Leg protection

товару немає в наявності

SUMMESPBL47

DEL-SUMMESPBL47 Leg protection

товару немає в наявності

SUMMESPBL48

DEL-SUMMESPBL48 Leg protection

товару немає в наявності

SUMMESPGR35

DEL-SUMMESPGR35 Leg protection

товару немає в наявності

SUMMESPGR36

DEL-SUMMESPGR36 Leg protection

товару немає в наявності

SUMMESPGR37

DEL-SUMMESPGR37 Leg protection

товару немає в наявності

SUMMESPGR38

DEL-SUMMESPGR38 Leg protection

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3077.5 грн

SUMMESPGR39

DEL-SUMMESPGR39 Leg protection

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3077.5 грн

SUMMESPGR40

DEL-SUMMESPGR40 Leg protection

товару немає в наявності

SUMMESPGR41

DEL-SUMMESPGR41 Leg protection

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3077.5 грн

SUMMESPGR42

DEL-SUMMESPGR42 Leg protection

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3173.31 грн

SUMMESPGR43

DEL-SUMMESPGR43 Leg protection

товару немає в наявності

SUMMESPGR44

DEL-SUMMESPGR44 Leg protection

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3077.5 грн

SUMMESPGR45

DEL-SUMMESPGR45 Leg protection

товару немає в наявності

SUMMESPGR46

DEL-SUMMESPGR46 Leg protection

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	2348.27 грн
2+	2220.52 грн

SUMMESPGR47

DEL-SUMMESPGR47 Leg protection

товару немає в наявності

SUMMESPGR48

DEL-SUMMESPGR48 Leg protection

товару немає в наявності

SUMMITS93X6XS02

на замовлення 429 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUMMITS93X6XS03

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUMMITSMS24S06

на замовлення 590 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUMMITSMS24S09

на замовлення 423 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUMMITSMS24VPS06