на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 129.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM110N10-09-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SUM110N10-09-E3 за ціною від 123.23 грн до 319.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUM110N10-09-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUM110N10-09-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUM110N10-09-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUM110N10-09-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUM110N10-09-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V |
на замовлення 3374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUM110N10-09-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 87A; 375W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 87A Power dissipation: 375W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUM110N10-09-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 87A; 375W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 87A Power dissipation: 375W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 578 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUM110N10-09-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 100V 110A 375W |
на замовлення 2167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUM110N10-09-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SUM110N10-09-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |