Продукція > VISHAY > SUM60020E-GE3
SUM60020E-GE3

SUM60020E-GE3 Vishay


sum60020e.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+110.7 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM60020E-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V.

Інші пропозиції SUM60020E-GE3 за ціною від 100.51 грн до 227.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sum60020e.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+127.92 грн
1600+ 105.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sum60020e.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+212.12 грн
10+ 171.32 грн
100+ 138.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sum60020e.pdf MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
на замовлення 21817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+227.96 грн
10+ 188.33 грн
100+ 132.84 грн
250+ 132.14 грн
500+ 123.7 грн
800+ 103.32 грн
2400+ 100.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 Виробник : Vishay sum60020e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 Виробник : Vishay sum60020e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SUM60020E-GE3 Виробник : VISHAY sum60020e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 150A; Idm: 500A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
On-state resistance: 2.47mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 227nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM60020E-GE3 Виробник : VISHAY sum60020e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 150A; Idm: 500A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
On-state resistance: 2.47mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 227nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
товар відсутній