![SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/2/19/0/41/49/634/vsh_/manual/96125-pt-medium.jpg)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 110.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM60020E-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V.
Інші пропозиції SUM60020E-GE3 за ціною від 100.51 грн до 227.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SUM60020E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SUM60020E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V |
на замовлення 2254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SUM60020E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 21817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SUM60020E-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SUM60020E-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
SUM60020E-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 150A; Idm: 500A Case: TO263 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Technology: TrenchFET® On-state resistance: 2.47mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 227nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 500A Drain-source voltage: 80V Drain current: 150A кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SUM60020E-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 150A; Idm: 500A Case: TO263 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Technology: TrenchFET® On-state resistance: 2.47mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 227nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 500A Drain-source voltage: 80V Drain current: 150A |
товар відсутній |