на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 136.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM90P10-19L-E3 Vishay
Description: VISHAY - SUM90P10-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SUM90P10-19L-E3 за ціною від 143.12 грн до 361.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUM90P10-19L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM90P10-19L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V |
на замовлення 5969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUM90P10-19L-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V |
на замовлення 8393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUM90P10-19L-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM90P10-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 2186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SUM90P10-19L-E3 | Виробник : VISHAY |
SUM90P10-19L-E3 SMD P channel transistors |
на замовлення 727 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|