SUM110N05-06L-E3
Виробник:
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM110N05-06L-E3
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SUM110N05-06L-E3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SUM110N05-06L-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
SUM110N05-06L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
![]() |
SUM110N05-06L-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
товар відсутній |