![SUM70030M-GE3 SUM70030M-GE3](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/2932977-40.jpg)
SUM70030M-GE3 VISHAY
![3171399.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 139.56 грн |
500+ | 126.66 грн |
1000+ | 114.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM70030M-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SUM70030M-GE3 за ціною від 107.54 грн до 259.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SUM70030M-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SUM70030M-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SUM70030M-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SUM70030M-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
SUM70030M-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SUM70030M-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
SUM70030M-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 375W Case: TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 214nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
SUM70030M-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
SUM70030M-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 375W Case: TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 214nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |