![SUM65N20-30-E3 SUM65N20-30-E3](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/2/19/0/41/49/634/vsh_/manual/96125-pt-medium.jpg)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 98.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM65N20-30-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SUM65N20-30-E3 за ціною від 153.56 грн до 349.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V |
на замовлення 5149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 5776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SUM65N20-30-E3 Код товару: 192327 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
SUM65N20-30-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 375W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 84mΩ Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SUM65N20-30-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 375W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 84mΩ Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |