на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 199.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM60061EL-GE3 Vishay
Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V.
Інші пропозиції SUM60061EL-GE3 за ціною від 204.53 грн до 434.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUM60061EL-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUM60061EL-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUM60061EL-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 80V P-CH (D-S) |
на замовлення 2236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SUM60061EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -150A; Idm: -250A Case: TO263 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Technology: TrenchFET® On-state resistance: 8.6mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 218nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -250A Drain-source voltage: -80V Drain current: -150A кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SUM60061EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -150A; Idm: -250A Case: TO263 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Technology: TrenchFET® On-state resistance: 8.6mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 218nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -250A Drain-source voltage: -80V Drain current: -150A |
товар відсутній |