SUM90142E-GE3

SUM90142E-GE3 Vishay Siliconix


sum90142e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V
на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+218.62 грн
10+ 177.06 грн
100+ 143.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM90142E-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SUM90142E-GE3 за ціною від 103.68 грн до 249.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SUM90142E-GE3 SUM90142E-GE3 Виробник : Vishay sum90142e.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+231.74 грн
10+ 195.68 грн
25+ 185.43 грн
50+ 176.94 грн
100+ 135.91 грн
250+ 129.13 грн
500+ 103.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
SUM90142E-GE3 SUM90142E-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sum90142e.pdf MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 6983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+237.42 грн
10+ 197.16 грн
25+ 165.17 грн
100+ 137.99 грн
250+ 134.5 грн
500+ 131.02 грн
2400+ 126.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUM90142E-GE3 SUM90142E-GE3 Виробник : Vishay sum90142e.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
49+249.56 грн
58+ 210.73 грн
61+ 199.7 грн
62+ 190.55 грн
100+ 146.37 грн
250+ 139.06 грн
500+ 111.65 грн
Мінімальне замовлення: 49
SUM90142E-GE3 Виробник : VISHAY sum90142e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Case: TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 87nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 16.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM90142E-GE3 SUM90142E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sum90142e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V
товар відсутній
SUM90142E-GE3 Виробник : VISHAY sum90142e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Case: TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 87nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 16.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній