Продукція > SIA

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA-200U015S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA-200U025S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA-200U040S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA-200U050S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA-200U075S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA-200U090S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA-400U010S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA-400U015S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA-400U025S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA-400U040S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA-400U050S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA-400U075S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA-400U090S-1P

08+;

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA-4040AI5S-1

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA-812S-1

на замовлення 61 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA-LT1121C5S-1

на замовлення 380 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA-MA001S-1

на замовлення 601 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA0051X

SOP

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA0241A01-10

на замовлення 440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA0291X01-A0

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA0426C01-SO

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA0426C02-SO

SAMSUNG

09+ SOP28

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA0426CO1-SO

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA0427B01-D0

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA0427B01-DO

SAMSUNG

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA0427B01-DO

SIP

2001

на замовлення 23 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA0501X01-SO

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA0686X01-AO

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA0900A01-A0

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA0900A01-A0

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA0902X01-AO

на замовлення 2002 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA0902X01-AOBO

на замовлення 4217 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA0903X01

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA0903X01-007

на замовлення 1275 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA0903X01-EORO

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA0903X01-QO

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA1000T

SILICON

09+ .

на замовлення 760 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA1000T

09+ .

на замовлення 760 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA106DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 10A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товар відсутній

SIA106DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA106DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIA106DJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA106DJ-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 63141 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.02 грн
10+	56.66 грн
100+	34.2 грн
500+	28.55 грн
1000+	24.27 грн
3000+	21.59 грн
6000+	21.01 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIA106DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70

на замовлення 5601 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA108DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 30A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIA108DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.97 грн
10+	58.26 грн
100+	44.67 грн
500+	33.14 грн
1000+	26.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIA108DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA108DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 14998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	18.53 грн

Мінімальне замовлення: 44

SIA108DJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA108DJ-T1-GE3

MOSFET Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 5885 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.23 грн
10+	65.57 грн
100+	43.69 грн
500+	34.56 грн
1000+	27.68 грн
3000+	25 грн
6000+	23.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIA108DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.59 грн
6000+	23.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA108DJ-T1-GE3

на замовлення 14998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIA108DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 6.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товар відсутній

SIA110DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA110DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12 A, 0.046 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 32560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.85 грн
500+	36.15 грн
1500+	29.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIA110DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

на замовлення 5350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.27 грн
10+	50.72 грн
100+	39.46 грн
500+	31.39 грн
1000+	25.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIA110DJ-T1-GE3

на замовлення 32560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	78.35 грн
50+	61.69 грн
100+	48.85 грн
500+	36.15 грн
1500+	29.47 грн

Мінімальне замовлення: 11

SIA110DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.4A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товар відсутній

SIA110DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 12A; Idm: 20A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIA110DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA110DJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA110DJ-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

товар відсутній

SIA112LDJ-T1-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SIA112LDJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.8A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.8A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 15.6W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIA112LDJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA112LDJ-T1-GE3

MOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PowerPAK SC-70, 119 mohm a. 10V, 135 mohm a. 4.5V

на замовлення 10935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	54.27 грн
10+	46.83 грн
100+	27.75 грн
500+	23.26 грн
1000+	20.36 грн
3000+	17.17 грн
6000+	16.59 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIA1514-C

на замовлення 689 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA2206

на замовлення 170 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA2206D01-D0

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA2206D01-D0B0

на замовлення 756 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA2206D01-DO

на замовлення 170 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA2206D01HO

N/A

на замовлення 1878 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA2220X01-IO

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA2221A01-10

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA2221A02-10

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA2268

на замовлення 1040 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA2284A01-10

на замовлення 487 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA2297B

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA2297B01

SAMSUNG

02+

на замовлення 7105 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA3223-1R0M

на замовлення 3816 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 10690 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIA400EDJ-T1-GE3

SIA400EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIA400EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 151951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.11 грн
10+	35.55 грн
100+	24.7 грн
500+	18.1 грн
1000+	14.71 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA400EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 19.2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 19.2
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	52.83 грн
18+	45.27 грн
100+	33.81 грн
500+	24.68 грн

Мінімальне замовлення: 16

SIA400EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA400EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 144000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.56 грн
6000+	13.3 грн
9000+	12.35 грн
30000+	11.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA402A

на замовлення 472 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA406DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6

товар відсутній

SIA406DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6

товар відсутній

SIA406DJ-T1-GE3

MOSFET 12V 4.5A 19W 19.8mohm @ 4.5V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIA408DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA408DJ-T1-GE3

MOSFET 30V 4.5A 17.9W 36mohm @ 10V

на замовлення 670 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIA408DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA408DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

на замовлення 2757 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA408DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

на замовлення 2757 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA411DJ

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA411DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товар відсутній

SIA411DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товар відсутній

SIA411DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товар відсутній

SIA411DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товар відсутній

SIA411DJ-T1-GE3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA411DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товар відсутній

SIA411DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товар відсутній

SIA411DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товар відсутній

SIA413ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.7 грн
10+	49.13 грн
100+	38.25 грн
500+	30.42 грн
1000+	24.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIA413ADJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA413ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V

товар відсутній

SIA413ADJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -12A; Idm: -40A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 57nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 19W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIA413ADJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA413ADJ-T1-GE3

MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

товар відсутній

SIA413DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA413DJ-T1-GE3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA413DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V

на замовлення 173789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.27 грн
10+	50.64 грн
100+	39.4 грн
500+	31.34 грн
1000+	25.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIA413DJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -12A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIA413DJ-T1-GE3

MOSFET 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V

на замовлення 27540 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.89 грн
10+	52.91 грн
100+	36.15 грн
500+	33.69 грн
1000+	27.1 грн
3000+	25.65 грн
6000+	24.49 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIA413DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 332 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	30.76 грн
21+	29.91 грн
25+	29.78 грн
100+	26.97 грн
250+	24.72 грн

Мінімальне замовлення: 20

SIA413DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V

на замовлення 171000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.6 грн
6000+	24.39 грн
9000+	23.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA413DJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA413DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA414DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 12A; Idm: 40A; 19W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 19W
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 12A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

SIA414DJ-T1-GE3

MOSFET 8.0V 12A 19W 11mohm @ 4.5V

на замовлення 37948 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.53 грн
10+	40.16 грн
100+	27.17 грн
500+	23.62 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIA414DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA414DJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA414DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V

на замовлення 17033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.67 грн
10+	35.09 грн
100+	27.29 грн
500+	21.71 грн
1000+	21.47 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA414DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	37.79 грн
18+	35.56 грн
25+	35.43 грн
100+	30.19 грн

Мінімальне замовлення: 17

SIA414DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA415DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA415DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

на замовлення 5849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA415DJ-T1-GE3

MOSFET 20V 12A 19W 35mohm @ 4.5V

на замовлення 14250 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIA415DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товар відсутній

SIA415DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

на замовлення 5849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA416DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.3A; Idm: 15A; 12W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.3A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIA416DJ-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 3725 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIA416DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 11.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA416DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.068 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm

на замовлення 14920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	55.76 грн
18+	46 грн
100+	31.7 грн
500+	24.53 грн
1000+	17.21 грн
5000+	15.61 грн

Мінімальне замовлення: 15

SIA416DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.24 грн
6000+	16.64 грн
9000+	15.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA416DJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA416DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V

на замовлення 9559 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.81 грн
10+	40.08 грн
100+	27.73 грн
500+	21.74 грн
1000+	18.51 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIA417DJ-T1-E3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA417DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

товар відсутній

SIA417DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

товар відсутній

SIA417DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

товар відсутній

SIA418DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

на замовлення 5871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA418DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

на замовлення 5871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA418DJ-T1-GE3

MOSFET 30V 12A 19W 18mohm @ 10V

на замовлення 2523 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIA418DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA419DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товар відсутній

SIA419DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товар відсутній

SIA419DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товар відсутній

SIA421DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 53213 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.75 грн
10+	60.08 грн
100+	46.83 грн
500+	36.3 грн
1000+	28.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIA421DJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -35A; 12W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIA421DJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA421DJ-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 5934 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.75 грн
10+	62.57 грн
100+	43.4 грн
500+	37.39 грн
1000+	30.07 грн
3000+	28.98 грн
6000+	28.4 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIA421DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.6 грн
6000+	27.08 грн
15000+	26.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA421DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA425EDJ-T1-GE3

MOSFET 20V 4.5A 15.6W 60mOhms @ 4.5V

на замовлення 2702 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIA425EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

на замовлення 1374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA425EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

товар відсутній

SIA425EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

на замовлення 1374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA4263DJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.29W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V

на замовлення 6010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.02 грн
10+	38.79 грн
100+	28.96 грн
500+	21.35 грн
1000+	16.5 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIA4263DJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.29W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA4263DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20-V MSFT

на замовлення 23337 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.21 грн
13+	26.91 грн
100+	16.23 грн
500+	12.75 грн
1000+	11.38 грн

Мінімальне замовлення: 11

SIA4263DJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -32A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
On-state resistance: 51.1mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -32A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIA4263DJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA4263DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4263DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15.6
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 15.6
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	34.3 грн
27+	30.89 грн

Мінімальне замовлення: 24

SIA4265EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4265EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 1985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.75 грн
500+	14.42 грн
1000+	8.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIA4265EDJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 0 V

на замовлення 6040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.92 грн
12+	27.4 грн
100+	20.44 грн
500+	15.07 грн
1000+	11.64 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIA4265EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20-V MSFT

на замовлення 23424 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.21 грн
13+	27.08 грн
100+	17.61 грн
500+	13.84 грн
1000+	11.01 грн
3000+	9.27 грн
9000+	8.4 грн

Мінімальне замовлення: 11

SIA4265EDJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 15.6W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 67.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIA4265EDJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA4265EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4265EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 1985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	35.52 грн
28+	29.59 грн
100+	19.75 грн
500+	14.42 грн
1000+	8.92 грн

Мінімальне замовлення: 23

SIA4265EDJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 0 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA426DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

на замовлення 8006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA426DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

на замовлення 8006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA426DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA426DJ-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 5537 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIA427ADJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -12A; Idm: -50A; 12W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SC70
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 12W
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -12A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIA427ADJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA427ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V

на замовлення 10800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.62 грн
10+	30.72 грн
100+	21.36 грн
500+	15.65 грн
1000+	12.72 грн

Мінімальне замовлення: 9

SIA427ADJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA427ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 12 A, 0.013 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 7855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.16 грн
500+	13.96 грн
1500+	12.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIA427ADJ-T1-GE3

MOSFET -8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 6308 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIA427ADJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA427ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.58 грн
6000+	11.5 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA427ADJ-T1-GE3

на замовлення 7855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	35.92 грн
50+	29.59 грн
100+	23.16 грн
500+	13.96 грн
1500+	12.61 грн

Мінімальне замовлення: 23

SIA427ADJ-T4-GE3

Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товар відсутній

SIA427DJ-T1-GE3

MOSFETs 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V

на замовлення 138436 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.28 грн
10+	36.58 грн
100+	22.17 грн
500+	17.32 грн
1000+	14.06 грн
3000+	11.88 грн
9000+	11.09 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA427DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA427DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V

на замовлення 22828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.19 грн
10+	32.6 грн
100+	22.66 грн
500+	16.6 грн
1000+	13.5 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA427DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA427DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.35 грн
6000+	12.2 грн
9000+	11.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA427DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA429DJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 10.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA429DJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 10.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA429DJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 10.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA429DJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V

на замовлення 26350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.32 грн
10+	34.57 грн
100+	24.03 грн
500+	17.61 грн
1000+	14.31 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA429DJT-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70

на замовлення 20675 шт:

термін постачання 881-890 дні (днів)

7+	49.28 грн
10+	41.66 грн
100+	27.03 грн
500+	21.66 грн
1000+	18.33 грн
3000+	16.52 грн
6000+	16.16 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIA429DJT-T1-GE3

SIA429DJT-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SIA429DJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V

на замовлення 26350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.16 грн
6000+	12.94 грн
9000+	12.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA430DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

товар відсутній

SIA430DJ-T1-GE3

MOSFET 20V 12A 19.2W 13.5mohm @ 10V

на замовлення 3990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIA430DJ-T1-GE3

QFN

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA430DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

на замовлення 3605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA430DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

на замовлення 3605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA430DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA430DJT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 12A 6-Pin Thin PowerPAK SC-70 EP

товар відсутній

SIA430DJT-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs Thin PowerPAK SC-70

на замовлення 13935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.34 грн
10+	40.16 грн
100+	26.08 грн
500+	20.5 грн
1000+	15.87 грн
3000+	14.42 грн
9000+	14.27 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA430DJT-T1-GE3

SIA430DJT-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIA430DJT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA430DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 19.2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 19.2
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0108
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	47.14 грн
21+	40.31 грн

Мінімальне замовлення: 18

SIA431DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA431DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA431DJ-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 96837 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.8 грн
10+	38.16 грн
100+	22.97 грн
500+	19.2 грн
1000+	16.37 грн
3000+	14.06 грн
6000+	13.33 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA431DJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12A; Idm: -30A; 12W
Case: PowerPAK® SC70
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -12A
Drain-source voltage: -20V
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -30A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIA431DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V

на замовлення 6956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.97 грн
10+	33.36 грн
100+	23.11 грн
500+	18.12 грн
1000+	15.42 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA431DJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA431DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA431DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.2 грн
6000+	13.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA432DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V

товар відсутній

SIA432DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 19.2W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIA432DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA432DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0158 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 5589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	72.82 грн
14+	59.33 грн
100+	46.17 грн
500+	36.38 грн
1000+	28.01 грн
3000+	26.89 грн

Мінімальне замовлення: 12

SIA432DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товар відсутній

SIA432DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA432DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V

на замовлення 3210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.59 грн
10+	60.83 грн
100+	47.3 грн
500+	37.63 грн
1000+	30.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIA432DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товар відсутній

SIA432DJ-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 8921 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.11 грн
10+	67.57 грн
100+	45.72 грн
500+	38.83 грн
1000+	31.59 грн
3000+	29.71 грн
6000+	28.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIA432DJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA433DJ-T1-GE3

SIA 433DJ-T1-GE3 PPAK-SC70

товар відсутній

SIA433EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.015 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA433EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA433EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

650+	18.91 грн

Мінімальне замовлення: 650

SIA433EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA433EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.51 грн
6000+	16.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA433EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA433EDJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 9165 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.42 грн
10+	45.83 грн
100+	27.53 грн
500+	22.97 грн
1000+	20.21 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIA433EDJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIA433EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA433EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA433EDJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA433EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	50.48 грн
15+	43.22 грн
25+	42.79 грн
100+	28.26 грн
250+	26.15 грн
500+	20.51 грн
1000+	15.05 грн

Мінімальне замовлення: 13

SIA433EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V

на замовлення 8146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.59 грн
10+	40.68 грн
100+	28.14 грн
500+	22.07 грн
1000+	18.78 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIA433EDJ-T1-GE3.

Description: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3. - P CHANNEL MOSFET
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 3.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

SIA436DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1508 pF @ 4 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA436DJ-T1-GE3

MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 178022 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.04 грн
10+	43.49 грн
100+	28.98 грн
500+	22.9 грн
1000+	18.33 грн
3000+	17.68 грн
6000+	17.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIA436DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 12A; Idm: 50A; 19W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 19W
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 12A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIA436DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA436DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 12 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm

на замовлення 115443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	44.13 грн
50+	35.92 грн
100+	27.63 грн
500+	17.36 грн
1500+	15.68 грн

Мінімальне замовлення: 19

SIA436DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 1099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	30.68 грн
25+	30.38 грн
100+	24.55 грн
250+	22.07 грн
500+	19.16 грн
1000+	15.58 грн

Мінімальне замовлення: 20

SIA436DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.5 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA436DJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA436DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1508 pF @ 4 V

на замовлення 6415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.11 грн
10+	35.62 грн
100+	24.65 грн
500+	19.33 грн
1000+	16.45 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA436DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA436DJ-T1-GE3

на замовлення 115443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.63 грн
500+	17.36 грн
1500+	15.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIA436DJ-T4-GE3

Description: N-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SIA436DJ-T4-GE3

MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

товар відсутній

SIA4371EDJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA4371EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30-V MSFT

на замовлення 23997 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.07 грн
11+	32 грн
100+	18.98 грн
1000+	11.09 грн
3000+	9.27 грн
9000+	8.55 грн
24000+	7.82 грн

Мінімальне замовлення: 9

SIA4371EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4371EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.034 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 17864 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	44.13 грн
24+	34.87 грн
100+	21.29 грн
500+	14.72 грн
1000+	8.92 грн
5000+	8.22 грн

Мінімальне замовлення: 19

SIA4371EDJ-T1-GE3

SIA4371EDJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA4371EDJ-T1-GE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V

на замовлення 5510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.62 грн
11+	27.92 грн
100+	16.76 грн
500+	14.57 грн
1000+	9.91 грн

Мінімальне замовлення: 9

SIA4371EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4371EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.034 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 17864 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.29 грн
500+	14.72 грн
1000+	8.92 грн
5000+	8.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIA437DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA437DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA437DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA437DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70

на замовлення 22247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA437DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA437DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.012 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 128827 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	57.14 грн
17+	48.04 грн
100+	30.15 грн
250+	25.74 грн
500+	21.6 грн
1000+	18.39 грн
3000+	17.21 грн
15000+	15.95 грн
27000+	14.77 грн

Мінімальне замовлення: 15

SIA437DJ-T1-GE3

SIA437DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SIA437DJ-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 258578 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.28 грн
10+	37.99 грн
100+	24.85 грн
500+	21.95 грн
1000+	19.13 грн
3000+	16.74 грн
6000+	15.87 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA437DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA438EDJ-T1-GE3

MOSFET 20V 6.0A 11.4W 46mohm @ 4.5V

товар відсутній

SIA438EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L

товар відсутній

SIA439EDJ-T1-GE3

MOSFET -20V .0165Ohm@4.5V 28A P-Ch G-III

на замовлення 1496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIA439EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L

товар відсутній

SIA439EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L

товар відсутній

SIA439EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L

товар відсутній

SIA440DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; Idm: 50A; 12W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIA440DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.91 грн
6000+	9.97 грн
9000+	9.26 грн
30000+	8.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA440DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	9.3 грн

Мінімальне замовлення: 6000

SIA440DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 140911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	37.39 грн
28+	29.99 грн
100+	20.81 грн
500+	15.09 грн
1000+	9.54 грн
5000+	8.85 грн

Мінімальне замовлення: 22

SIA440DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 2865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

440+	27.98 грн
571+	21.53 грн
586+	21.01 грн
709+	16.73 грн
1000+	12.9 грн

Мінімальне замовлення: 440

SIA440DJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA440DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 2865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	30.34 грн
24+	26.25 грн
25+	25.98 грн
100+	19.28 грн
250+	17.42 грн
500+	13.81 грн
1000+	11.5 грн

Мінімальне замовлення: 21

SIA440DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V

на замовлення 33949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.13 грн
12+	26.64 грн
100+	18.51 грн
500+	13.57 грн
1000+	11.03 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIA440DJ-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 171352 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.81 грн
13+	26.75 грн
100+	18.48 грн
500+	14.42 грн
1000+	11.74 грн
3000+	9.93 грн
9000+	9.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIA440DJ-T1-GE3
Код товару: 192984

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

SIA441DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 20 V

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.63 грн
6000+	14.28 грн
9000+	13.26 грн
30000+	12.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA441DJ-T1-GE3

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 136895 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.93 грн
10+	39.24 грн
100+	25.21 грн
500+	20.36 грн
1000+	15.72 грн
3000+	13.84 грн
9000+	13.19 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA441DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA441DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.039 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm

на замовлення 7473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.61 грн
500+	23.02 грн
1500+	17.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIA441DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA441DJ-T1-GE3

на замовлення 7043 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	48.36 грн
50+	40.31 грн
100+	32.35 грн
500+	24.68 грн
1500+	17.83 грн

Мінімальне замовлення: 17

SIA441DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 20 V

на замовлення 41391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.24 грн
10+	38.19 грн
100+	26.53 грн
500+	19.44 грн
1000+	15.8 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIA441DJ-T1-GE3

SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SIA442DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA442DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA442DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L

товар відсутній

SIA442DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA443DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

товар відсутній

SIA443DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

товар відсутній

SIA443DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

товар відсутній

SIA443DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA443DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

товар відсутній

SIA4446DJ-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 20 V

на замовлення 2704 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.38 грн
10+	40.83 грн
100+	28.26 грн
500+	22.16 грн
1000+	18.86 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIA4446DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA4446DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 31 A, 0.0086 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	45.68 грн
25+	32.92 грн

Мінімальне замовлення: 18

SIA4446DJ-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 20 V

товар відсутній

SIA4446DJ-T1-GE3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA444DJT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70

товар відсутній

SIA444DJT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70

товар відсутній

SIA444DJT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs Thin PowerPAK SC-70

на замовлення 5347 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIA445EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA445EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 19
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500
Verlustleistung: 19
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

SIA445EDJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 8939 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.17 грн
10+	41.74 грн
100+	24.78 грн
500+	20.72 грн
1000+	17.61 грн
3000+	17.03 грн
6000+	15.79 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA445EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V

товар відсутній

SIA445EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA445EDJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIA445EDJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIA445EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V

товар відсутній

SiA445EDJT-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70

на замовлення 105122 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.94 грн
11+	31.25 грн
100+	18.91 грн
500+	14.78 грн
1000+	12.03 грн
3000+	10.36 грн

Мінімальне замовлення: 10

SiA445EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA445EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товар відсутній

SiA445EDJT-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SiA445EDJT-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIA445EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товар відсутній

SiA445EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.7 грн
11+	27.7 грн
100+	19.28 грн
500+	14.13 грн
1000+	11.48 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIA445EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товар відсутній

SIA446DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70

товар відсутній

SIA446DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA446DJ-T1-GE3

MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 2412 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIA446DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	14.54 грн

Мінімальне замовлення: 6000

SIA446DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 7.7A; Idm: 10A; 12W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 177mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SIA446DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA446DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 7.7 A, 0.145 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 7.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 19
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товар відсутній

SIA446DJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA446DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70

на замовлення 1554 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA446DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 2838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	44.74 грн
17+	37.13 грн
25+	36.65 грн
100+	25.73 грн
250+	23.58 грн
500+	19.87 грн
1000+	16.99 грн

Мінімальне замовлення: 14

SIA447DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V

на замовлення 88025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	24.3 грн
16+	19.77 грн
100+	13.74 грн
500+	10.06 грн
1000+	8.73 грн

Мінімальне замовлення: 13

SIA447DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA447DJ-T1-GE3

MOSFET -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 45848 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	25.95 грн
16+	21.66 грн
100+	13.11 грн
500+	10.22 грн
1000+	10 грн
9000+	9.93 грн

Мінімальне замовлення: 14

SIA447DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	11.16 грн

Мінімальне замовлення: 31

SIA447DJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12A; Idm: -50A; 12W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SIA447DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA447DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.011 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 44180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	28.61 грн
35+	23.81 грн
100+	14.71 грн
500+	12.68 грн
1000+	10.8 грн
5000+	9.89 грн

Мінімальне замовлення: 29

SIA447DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 5740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

522+	23.59 грн

Мінімальне замовлення: 522

SIA447DJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA447DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 6 V

на замовлення 87000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA447DJ-T1-GE3
Код товару: 188286

Мікросхеми > Інші мікросхеми

товар відсутній

SIA447DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA447DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 5742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	18.47 грн
3000+	15.12 грн

Мінімальне замовлення: 33

SIA448DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L

на замовлення 12723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA448DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA448DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L

на замовлення 12723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA448DJ-T1-GE3

MOSFET 20V 12A 19.2W 15mohm @ 4.5V

на замовлення 3699 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIA448DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA449DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 15 V

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.49 грн
6000+	9.59 грн
9000+	8.9 грн
30000+	8.16 грн
75000+	7.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA449DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 15 V

на замовлення 84820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.35 грн
12+	25.66 грн
100+	17.8 грн
500+	13.04 грн
1000+	10.6 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIA449DJ-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 8430 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.57 грн
12+	29.33 грн
100+	19.06 грн
500+	15 грн
1000+	11.59 грн
3000+	10.36 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIA449DJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -30A; 12W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SIA449DJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA450DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

товар відсутній

SIA450DJ-T1-E3

на замовлення 357 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA450DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

товар відсутній

SIA450DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

товар відсутній

SIA450DJ-T1-GE3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA450DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

товар відсутній

SIA453EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA453EDJ-T1-GE3

MOSFET -30V .0185ohm@-10V -24A P-Ch T-FET

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIA453EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6

на замовлення 7362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA453EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6

на замовлення 7362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA456DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA456DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V

на замовлення 19073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.48 грн
10+	49.89 грн
100+	38.82 грн
500+	30.88 грн
1000+	25.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIA456DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA456DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA456DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.08 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 19
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.08
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

SIA456DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA456DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 2A; 12W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIA456DJ-T1-GE3

MOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 273-282 дні (днів)

5+	70.75 грн
10+	56.99 грн
100+	38.62 грн
500+	32.75 грн
1000+	31.15 грн
6000+	30.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIA456DJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA456DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA456DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.2 грн
6000+	24.03 грн
9000+	22.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA456DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA456DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.08 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.08ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 12038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.57 грн
14+	62.1 грн
100+	44.13 грн
500+	34.72 грн
1000+	24.73 грн
5000+	24.24 грн

Мінімальне замовлення: 11

SIA456DJ-T3-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V

товар відсутній

SIA456DJ-T3-GE3

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SIA456DJ-T3-GE3

MOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 4996 шт:

термін постачання 751-760 дні (днів)

5+	73.88 грн
10+	64.74 грн
100+	43.91 грн
500+	36.3 грн
1000+	28.69 грн
2500+	27.6 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIA459EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA459EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.028 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 62775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	41.7 грн
25+	33.32 грн
100+	21.54 грн
500+	15.62 грн
1000+	9.89 грн
5000+	9.2 грн

Мінімальне замовлення: 20

SIA459EDJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9A; Idm: -40A; 10W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 10W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIA459EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V

на замовлення 16938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.7 грн
11+	27.62 грн
100+	19.22 грн
500+	14.09 грн
1000+	11.45 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIA459EDJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA459EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.33 грн
6000+	10.35 грн
9000+	9.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA459EDJ-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 127656 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.7 грн
12+	30 грн
100+	19.13 грн
500+	14.93 грн
1000+	12.1 грн
3000+	10.22 грн
9000+	9.49 грн

Мінімальне замовлення: 9

SIA461DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3662 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	11.66 грн

Мінімальне замовлення: 29

SIA461DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.13 грн
12+	26.72 грн
100+	19.97 грн
500+	14.73 грн
1000+	11.38 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIA461DJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 45249 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIA461DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA461DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 17.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400
Verlustleistung: 17.9
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

SIA461DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA461DJ-T1-GE3

SIA461DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SIA462DJ-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 4754 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIA462DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA462DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.015 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 19
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 19
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

SIA462DJ-T1-GE3

SIA462DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIA462DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.8 грн
6000+	8.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA462DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V

на замовлення 8047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29 грн
13+	23.92 грн
100+	16.63 грн
500+	12.19 грн
1000+	9.91 грн

Мінімальне замовлення: 11

SIA462DJ-T4-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V SMD

товар відсутній

SIA465EDJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds TrenchFET PowerPAK SC-70-6L

товар відсутній

SIA465EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V

товар відсутній

SIA466EDJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 19.2W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIA466EDJ-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 3450 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.93 грн
10+	41.41 грн
100+	25.29 грн
500+	21.37 грн
1000+	18.26 грн
3000+	16.45 грн
6000+	15.94 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA466EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 2587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

652+	18.86 грн

Мінімальне замовлення: 652

SIA466EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA466EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 6625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.12 грн
500+	22.11 грн
1000+	18.11 грн
5000+	15.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIA466EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 2587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	17.59 грн
100+	16.95 грн
250+	15.67 грн
500+	15.03 грн
1000+	15.01 грн

Мінімальне замовлення: 35

SIA466EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

616+	19.97 грн
619+	19.87 грн
1000+	19.36 грн

Мінімальне замовлення: 616

SIA466EDJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA466EDJ-T1-GE3

на замовлення 6673 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	51.29 грн
19+	43.56 грн
100+	27.72 грн
500+	21.89 грн
1000+	16.02 грн
5000+	15.88 грн

Мінімальне замовлення: 16

SIA466EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA466EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V

на замовлення 6618 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.81 грн
10+	39.77 грн
100+	27.54 грн
500+	21.6 грн
1000+	18.38 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIA467EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6

товар відсутній

SIA467EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6

товар відсутній

SIA467EDJ-T1-GE3

MOSFET -12V .013Ohm@4.5V 31A P-Ch G-III

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIA468DJ-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 78661 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.21 грн
10+	42.66 грн
100+	27.75 грн
500+	21.81 грн
1000+	16.81 грн
3000+	15.36 грн
6000+	13.91 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIA468DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V

на замовлення 3023 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.73 грн
10+	42.94 грн
100+	32.06 грн
500+	23.64 грн
1000+	18.27 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIA468DJ-T1-GE3

SIA468DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIA468DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V

товар відсутній

SIA468DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16.1A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SiA469DJ-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 153660 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.42 грн
14+	25.58 грн
100+	13.11 грн
1000+	8.98 грн
3000+	7.75 грн
9000+	7.1 грн
24000+	6.96 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIA469DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15.6
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	41.21 грн
25+	32.51 грн
100+	19.75 грн
500+	13.74 грн
1000+	9.54 грн

Мінімальне замовлення: 20

SiA469DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V

на замовлення 168000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA469DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товар відсутній

SiA469DJ-T1-GE3

P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 12; Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 15; Qg, нКл = 15; Rds = 26,5 мОм; Ugs(th) = 3 В; Р, Вт = 15,6; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SC70-6L

на замовлення 2 шт:

термін постачання 3-4 дні (днів)

2+	312 грн
10+	62.4 грн
100+	27.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

SIA469DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 5695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

790+	15.57 грн
795+	15.46 грн
942+	13.06 грн
1000+	11.89 грн

Мінімальне замовлення: 790

SIA469DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товар відсутній

SIA469DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.75 грн
500+	13.74 грн
1000+	9.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

SiA469DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V

на замовлення 169736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	22.73 грн
19+	16.68 грн
100+	10.01 грн
500+	8.69 грн
1000+	6.12 грн

Мінімальне замовлення: 14

SIA469DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товар відсутній

SiA469DJ-T1-GE3

SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 2963 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

12+	24.97 грн
71+	14.94 грн
195+	14.13 грн

Мінімальне замовлення: 12

SIA471DJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -30.3A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -30.3A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 19.2W
On-state resistance: 24.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SIA471DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 4085 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	23.1 грн
29+	21.27 грн
100+	17.33 грн
250+	15.89 грн
500+	14.5 грн
1000+	13.37 грн
3000+	12.55 грн

Мінімальне замовлення: 27

SIA471DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA471DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA471DJ-T1-GE3 - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 30.3A, 30V, 0.0115 Ohm, 10V, 2.5V PowerPAK SC70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 18927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	37.71 грн
50+	31.13 грн
100+	24.46 грн
500+	17.06 грн
1500+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 22

SIA471DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 30.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.2 грн
6000+	13.87 грн
9000+	12.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA471DJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA471DJ-T1-GE3

P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 250 мкА; Ciss, пФ @ Uds, В = 1170 @ 15; Qg, нКл = 27.8; Rds = 14 мОм; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 19.2; Тексп, °C = -55...+150; SC70-6L

на замовлення 3 шт:

термін постачання 3-4 дні (днів)

3+	207.99 грн
10+	62.4 грн
100+	49.7 грн

Мінімальне замовлення: 3

SIA471DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 4085 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

537+	22.91 грн
635+	19.36 грн
642+	19.17 грн
675+	17.57 грн
1000+	15 грн
3000+	13.51 грн

Мінімальне замовлення: 537

SIA471DJ-T1-GE3

MOSFETs Pch 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70-6L

на замовлення 166722 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.42 грн
11+	30.83 грн
100+	19.63 грн
500+	17.03 грн
1000+	15.14 грн
3000+	13.98 грн
6000+	13.48 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIA471DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA471DJ-T1-GE3 - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 30.3A, 30V, 0.0115 Ohm, 10V, 2.5V PowerPAK SC70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 18927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.46 грн
500+	17.06 грн
1500+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIA471DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 30.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 15 V

на замовлення 18874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.97 грн
10+	33.36 грн
100+	23.11 грн
500+	18.12 грн
1000+	15.42 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA471DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA471DJGE3

Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA472EDJ-T1-GE3

MOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SC-70-6L

товар відсутній

SIA472EDJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A
Power dissipation: 19.2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 26.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIA472EDJ-T1-GE3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SIA472EDJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA477EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

на замовлення 1789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA477EDJ-T1-GE3

SIA477EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SIA477EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP

товар відсутній

SIA477EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

товар відсутній

SIA477EDJ-T1-GE3

MOSFETs 12V 14mOhm@4.5V 12A P-Ch

на замовлення 58900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.55 грн
11+	32.25 грн
100+	19.49 грн
500+	15.22 грн
1000+	12.39 грн
3000+	10.14 грн
9000+	9.64 грн

Мінімальне замовлення: 9

SIA477EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V

на замовлення 13846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.13 грн
12+	26.64 грн
100+	18.51 грн
500+	13.57 грн
1000+	11.03 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIA477EDJT-T1-GE3

MOSFET -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70-6L

на замовлення 13179 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.18 грн
11+	30.41 грн
100+	18.48 грн
500+	14.42 грн
1000+	11.74 грн
3000+	10.29 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIA477EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.91 грн
6000+	9.97 грн
9000+	9.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA477EDJT-T1-GE3

SIA477EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SIA477EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	11.58 грн

Мінімальне замовлення: 6000

SIA483ADJ-T1-GE3

SIA483ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SIA483ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 3396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.05 грн
12+	26.79 грн
100+	16.08 грн
500+	13.98 грн
1000+	9.5 грн

Мінімальне замовлення: 9

SIA483ADJ-T1-GE3

P Channel MOSFET

товар відсутній

SIA483ADJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA483ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 17.9
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 2855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	46.33 грн
23+	36.58 грн
100+	25.52 грн
500+	23.25 грн

Мінімальне замовлення: 18

SIA483ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA483ADJ-T1-GE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

на замовлення 87617 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.33 грн
10+	33.66 грн
100+	19.92 грн
500+	15 грн
1000+	11.23 грн
3000+	10.22 грн
6000+	9.64 грн

Мінімальне замовлення: 9

SIA483DJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -40A; 12W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2949 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

11+	26.63 грн
25+	22.95 грн
63+	16.94 грн
172+	16.03 грн

Мінімальне замовлення: 11

SIA483DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V

на замовлення 74075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.48 грн
11+	28.23 грн
100+	19.59 грн
500+	14.35 грн
1000+	11.66 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIA483DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 10A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA483DJ-T1-GE3

на замовлення 2949 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

19+	22.19 грн
25+	18.42 грн
63+	14.11 грн
172+	13.36 грн

Мінімальне замовлення: 19

SIA483DJ-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 67217 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.42 грн
12+	30.08 грн
100+	19.27 грн
500+	15.22 грн
1000+	12.39 грн
3000+	10.43 грн
9000+	9.71 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIA483DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.54 грн
6000+	10.54 грн
9000+	9.79 грн
30000+	8.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA485DJ-T1-GE3

MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 72861 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	30.68 грн
13+	25.91 грн
100+	15.65 грн
500+	12.17 грн
1000+	11.01 грн

Мінімальне замовлення: 12

SIA485DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70

товар відсутній

SIA485DJ-T1-GE3

SIA485DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SIA485DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 1.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товар відсутній

SIA485DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA511DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA511DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA513DJ-T1-E3

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA513DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA513DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA517DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA517DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 8502 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	49.42 грн
50+	40.72 грн
100+	32.1 грн
500+	26.94 грн
1500+	22.22 грн

Мінімальне замовлення: 17

SIA517DJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIA517DJ-T1-GE3
Код товару: 164618

Мікросхеми > Транзисторні збірки

товар відсутній

SIA517DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA517DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA517DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 33898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.89 грн
10+	35.85 грн
100+	24.92 грн
500+	18.26 грн
1000+	14.84 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA517DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA517DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 8667 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.96 грн
500+	21.28 грн
1500+	19.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIA517DJ-T1-GE3

MOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 95415 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.77 грн
10+	39.58 грн
100+	24.78 грн
500+	19.35 грн
1000+	15.79 грн
3000+	15.07 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIA517DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.22 грн
6000+	11.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA517DJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA517DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA517DJ-T1-GE3 SIA913ADJ-T1-GE3

MOSFETs

товар відсутній

SIA519EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товар відсутній

SIA519EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA519EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 0
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 121350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	51.94 грн
20+	42.67 грн
100+	26.82 грн
500+	19.47 грн
1000+	16.44 грн
5000+	14.84 грн

Мінімальне замовлення: 16

SIA519EDJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 7.8W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 137/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIA519EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA519EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 295244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.32 грн
10+	34.57 грн
100+	24.03 грн
500+	17.61 грн
1000+	14.31 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA519EDJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA519EDJ-T1-GE3
Код товару: 168959

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

SIA519EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA519EDJ-T1-GE3

MOSFETs N- & P- Channel 20V MOSFET

на замовлення 73387 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.17 грн
10+	39.08 грн
100+	23.91 грн
500+	18.69 грн
1000+	15.14 грн
3000+	13.19 грн
9000+	12.68 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA519EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 291000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.16 грн
6000+	12.94 грн
9000+	12.02 грн
30000+	11.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA527DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.07 грн
6000+	11.94 грн
9000+	11.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA527DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 6744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	29.46 грн
25+	25.11 грн
100+	19.5 грн
250+	16.42 грн
500+	14.2 грн
1000+	12.81 грн
3000+	10.75 грн
6000+	10.64 грн

Мінімальне замовлення: 21

SIA527DJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET
Type of transistor: N/P-MOSFET

товар відсутній

SIA527DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA527DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA527DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 26510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.46 грн
500+	17.74 грн
1000+	11.22 грн
5000+	10.8 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIA527DJ-T1-GE3

MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SC-70 N&P PAIR

на замовлення 6820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.67 грн
10+	34.91 грн
100+	21.16 грн
500+	16.59 грн
1000+	13.48 грн
3000+	11.09 грн
9000+	10.58 грн

Мінімальне замовлення: 9

SIA527DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA527DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 11796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.4 грн
10+	31.85 грн
100+	22.17 грн
500+	16.25 грн
1000+	13.21 грн

Мінімальне замовлення: 9

SIA527DJ-T1-GE3

на замовлення 26510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	46.98 грн
21+	38.85 грн
100+	24.46 грн
500+	17.74 грн
1000+	11.22 грн
5000+	10.8 грн

Мінімальне замовлення: 18

SIA527DJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIA533EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA533EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA533EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	51.94 грн
20+	41.94 грн
100+	26.82 грн
500+	19.47 грн
1000+	16.79 грн

Мінімальне замовлення: 16

SIA533EDJ-T1-GE3

MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 102290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.17 грн
10+	39.49 грн
100+	23.91 грн
500+	18.69 грн
1000+	15.14 грн
3000+	12.82 грн
9000+	12.24 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA533EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.16 грн
6000+	12.94 грн
9000+	12.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA533EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 1391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	40.59 грн
18+	34.52 грн
25+	34.17 грн
100+	25.02 грн
250+	22.94 грн
500+	17.4 грн
1000+	14.95 грн

Мінімальне замовлення: 15

SIA533EDJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20/15nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
On-state resistance: 215/70mΩ
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIA533EDJ-T1-GE3

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.82 грн
500+	19.47 грн
1000+	16.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIA533EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA533EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 17240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.32 грн
10+	34.57 грн
100+	24.03 грн
500+	17.61 грн
1000+	14.31 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA533EDJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA537EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 4069 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	21.1 грн
30+	20.89 грн
31+	20.09 грн
100+	18.62 грн
250+	16.26 грн
500+	14.61 грн
1000+	12.98 грн
3000+	12.3 грн

Мінімальне замовлення: 29

SIA537EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 8395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.02 грн
10+	38.42 грн
100+	26.71 грн
500+	19.57 грн
1000+	15.91 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIA537EDJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-20V; 4.5/-4.5A
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25/16nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12/-20V
Drain current: 4.5/-4.5A
On-state resistance: 165/104mΩ
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIA537EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.73 грн
6000+	14.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA537EDJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA537EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA537EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA537EDJ-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 8909 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.29 грн
10+	42.33 грн
100+	25.58 грн
500+	20 грн
1000+	16.23 грн
3000+	13.77 грн
9000+	12.75 грн

Мінімальне замовлення: 7

SIA777EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W, 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товар відсутній

SIA778DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

товар відсутній

SIA778DJ-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 12-V & 20-V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SIA778DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

на замовлення 874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA778DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

на замовлення 874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA810DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6

товар відсутній

SIA810DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6

товар відсутній

SIA810DJ-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6

товар відсутній

SIA810DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA811ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 10 V

на замовлення 2765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.19 грн
10+	32.38 грн
100+	22.51 грн
500+	16.49 грн
1000+	13.41 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA811ADJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -20V; 6.8W
Type of transistor: P-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 6.8W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.205Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIA811ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 10 V

товар відсутній

SIA811ADJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA811ADJ-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

товар відсутній

SIA811DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA811DJ-T1-E3

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA811DJ-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA811DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA811DJ-T1-GE3

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA811DJ-TI-E3

на замовлення 1090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA813DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA813DJ-T1-GE3

QFN

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA813DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA813DJ-T1-GE3

MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V

товар відсутній

SIA813DJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA814DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 10 V

товар відсутній

SIA814DJ-T1-GE3

на замовлення 1222 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA814DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 10 V

товар відсутній

SIA817EDJ-T1-GE3

MOSFETs -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 50915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	27.56 грн
14+	23.91 грн
100+	16.45 грн
500+	14.27 грн
1000+	12.39 грн
3000+	10.07 грн
9000+	9.64 грн

Мінімальне замовлення: 13

SIA817EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA817EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA817EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal + Schottky, 30 V, 4.5 A, 0.054 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 6.5
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: LITTLE FOOT
Wandlerpolarität: p-Kanal + Schottky
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товар відсутній

SIA817EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA817EDJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -30V; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIA817EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V

на замовлення 9218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.48 грн
11+	28.23 грн
100+	19.59 грн
500+	14.35 грн
1000+	11.66 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIA817EDJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA817EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA817EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.54 грн
6000+	10.54 грн
9000+	9.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA817EDJ-T1-GE3 SIA923AEDJ-T1-GE3

MOSFET

товар відсутній

SIA850DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

товар відсутній

SIA850DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

товар відсутній

SIA906EDJ-T1-GE3

MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 56000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.17 грн
10+	39.49 грн
100+	23.91 грн
500+	18.69 грн
1000+	15.14 грн
3000+	12.82 грн
9000+	12.17 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA906EDJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 15A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 7.8W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIA906EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

на замовлення 116960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.89 грн
10+	35.92 грн
100+	24.95 грн
500+	18.28 грн
1000+	14.86 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA906EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA906EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.82 грн
500+	19.47 грн
1000+	15.88 грн
5000+	13.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 2619 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

543+	22.64 грн
546+	22.53 грн
646+	19.05 грн
1000+	17.38 грн
2000+	15.91 грн

Мінімальне замовлення: 543

SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товар відсутній

SIA906EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

на замовлення 111000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.7 грн
6000+	13.43 грн
9000+	12.47 грн
30000+	11.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товар відсутній

SIA906EDJ-T1-GE3

на замовлення 5850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	51.94 грн
20+	42.67 грн
100+	26.82 грн
500+	19.47 грн
1000+	15.88 грн
5000+	13.72 грн

Мінімальне замовлення: 16

SIA906EDJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA906EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товар відсутній

SIA906EDJ-T1-GE3 SIA923EDJ-T1-GE3

MOSFETs

товар відсутній

SIA907EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete

товар відсутній

SIA907EDJ-T4-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete

товар відсутній

SIA907EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA907EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA907EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA907EDJT-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70

на замовлення 110790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.67 грн
10+	35.08 грн
100+	21.3 грн
500+	16.59 грн
1000+	13.48 грн
3000+	10.58 грн

Мінімальне замовлення: 9

SIA907EDJT-T1-GE3

MOSFET -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III

на замовлення 5 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

SIA907EDJT-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 3593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.4 грн
10+	31.85 грн
100+	22.17 грн
500+	16.25 грн
1000+	13.21 грн

Мінімальне замовлення: 9

SIA907EDJT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA910EDJ-T1-GE3

MOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 172665 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.21 грн
12+	28.25 грн
100+	18.62 грн
500+	16.52 грн
1000+	14.85 грн
3000+	13.69 грн
6000+	13.33 грн

Мінімальне замовлення: 11

SIA910EDJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4.5A; Idm: 20A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 7.8W
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIA910EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.2 грн
6000+	13.87 грн
9000+	12.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA910EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 1747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	20.56 грн
32+	19.12 грн
100+	16.62 грн
250+	15.23 грн
500+	13.62 грн
1000+	12.87 грн

Мінімальне замовлення: 30

SIA910EDJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA910EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 24691 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.97 грн
10+	33.36 грн
100+	23.11 грн
500+	18.12 грн
1000+	15.42 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA910EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA910EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA910EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA910EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 52848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	39.18 грн
25+	33.65 грн
100+	22.03 грн
500+	16.45 грн
1000+	12.4 грн
5000+	12.05 грн
10000+	11.98 грн
25000+	11.91 грн

Мінімальне замовлення: 21

SIA911ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товар відсутній

SIA911ADJ-T1-GE3

MOSFET 20V 4.5A 6.5W

на замовлення 3906 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SiA911DJ-T1-E3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товар відсутній

SiA911DJ-T1-E3

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SiA911DJ-T1-E3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товар відсутній

SIA911DJ-T1-GE3

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA911DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товар відсутній

SIA911DJ-T5-GE3

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA911EDJ-T1-GE3

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA911EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 101mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товар відсутній

SIA911EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 101mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товар відсутній

SIA912DJ

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA912DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA912DJ-T1-GE3

на замовлення 1730 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA912DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA913ADJ-T1-GE3

MOSFETs 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V

на замовлення 5964 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.17 грн
10+	39.49 грн
100+	23.91 грн
500+	18.69 грн
1000+	15.14 грн
3000+	12.82 грн
9000+	11.95 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA913ADJ-T1-GE3

на замовлення 102000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA913ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.16 грн
6000+	12.94 грн
9000+	12.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA913ADJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -4.5A; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SIA913ADJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA913ADJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA913ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 17014 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.32 грн
10+	34.57 грн
100+	24.03 грн
500+	17.61 грн
1000+	14.31 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA913DJ-T1-E3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA913DJ-T1-GE3

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA913DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товар відсутній

SIA914ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA914ADJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA914ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L

на замовлення 8352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA914ADJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L

на замовлення 8352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA914ADJ-T1-GE3

MOSFET 20V 43mOhom@4.5V 4.5A Dual N-CH

на замовлення 7235 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIA914DJ-T1-E3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA914DJ-T1-E3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA914DJ-T1-E3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA914DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA914DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA914DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA914DJ-T1-GE3CT

на замовлення 248 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SIA915DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC-70-6L

товар відсутній

SIA917DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA917DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA917DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SiA918EDJ-T1-GE3

SIA918EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SiA918EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.62 грн
10+	30.94 грн
100+	23.08 грн
500+	17.02 грн
1000+	13.15 грн

Мінімальне замовлення: 9

SiA918EDJ-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 9330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.52 грн
11+	30.75 грн
100+	19.92 грн
500+	15.72 грн
1000+	12.9 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIA918EDJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товар відсутній

SiA918EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

товар відсутній

SIA920DJ-T1-GE3

MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 4064 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIA920DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70

товар відсутній

SIA921EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

на замовлення 2260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA921EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

на замовлення 2260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA921EDJ-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 76501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.93 грн
10+	40.66 грн
100+	24.56 грн
500+	20.5 грн
1000+	17.46 грн
3000+	14.93 грн
6000+	14.42 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA921EDJ-T1-GE3

SIA921EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SIA921EDJ-T4-GE3

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 2775 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.93 грн
10+	41.83 грн
100+	24.85 грн
500+	20.72 грн
1000+	17.68 грн
3000+	15.72 грн
6000+	14.85 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA921EDJ-T4-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA922EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6

на замовлення 5651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA922EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6

товар відсутній

SIA922EDJ-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 1113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIA922EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6

на замовлення 5651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SIA923AEDJ-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.5A; 7.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 7.8W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2

товар відсутній

SIA923AEDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.36 грн
6000+	12.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA923AEDJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH Si 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA923AEDJ-T1-GE3

MOSFETs -20V .054ohm@-4.5V -4.5A P-CH

на замовлення 28564 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.41 грн
10+	38.91 грн
100+	24.85 грн
500+	19.63 грн
1000+	15.72 грн
3000+	13.48 грн
9000+	12.53 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA923AEDJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA923AEDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 21563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.67 грн
10+	36.3 грн
100+	25.25 грн
500+	18.5 грн
1000+	15.03 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA923EDJ-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 15488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.93 грн
10+	41.24 грн
100+	24.85 грн
500+	20.72 грн
1000+	17.68 грн
3000+	15.29 грн
6000+	15 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA923EDJ-T1-GE3

SIA923EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors

товар відсутній

SIA923EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA923EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.044 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 7.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Trench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 500
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товар відсутній

SIA923EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товар відсутній

SIA923EDJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA923EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.044 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товар відсутній

SIA923EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

на замовлення 3123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.32 грн
10+	42.87 грн
100+	28 грн
500+	20.26 грн
1000+	18.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

SIA923EDJ-T4-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товар відсутній

SIA923EDJ-T4-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

товар відсутній

SIA923EDJ-T4-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.53 грн
10+	42.08 грн
100+	24.85 грн
500+	20.72 грн
1000+	17.68 грн
3000+	15.65 грн
6000+	14.85 грн

Мінімальне замовлення: 7

SiA928DJ-T1-GE3

MOSFETs Dual N-Ch 30V Vds 3nC Qg Typ

на замовлення 4573 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.16 грн
10+	35.41 грн
100+	19.71 грн
500+	15.07 грн
1000+	13.55 грн
3000+	10.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

SiA928DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.73 грн
10+	30.94 грн
100+	19.95 грн
500+	14.26 грн
1000+	12.82 грн

Мінімальне замовлення: 7

SiA928DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.8W
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SiA928DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.15 грн
6000+	10.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SiA928DJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA928DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

товар відсутній

SIA929DJ-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -15A; 5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SIA929DJ-T1-GE3

товар відсутній

SIA929DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA929DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.052 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 7.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SC70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET Gen III
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товар відсутній

SIA929DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 1141 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.11 грн
10+	36.08 грн
100+	24.95 грн
500+	19.57 грн
1000+	16.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA929DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA929DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA929DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.052 ohm, PowerPAK SC70, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товар відсутній

SIA929DJ-T1-GE3

MOSFETs -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 20381 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.93 грн
10+	41.24 грн
100+	24.85 грн
500+	20.72 грн
1000+	17.68 грн
3000+	17.17 грн
6000+	15.87 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA929DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

товар відсутній

SIA931DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.06 грн
6000+	11.02 грн
9000+	10.24 грн
30000+	9.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA931DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA931DJ-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 286603 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	33.05 грн
13+	26.25 грн
100+	17.46 грн
500+	14.35 грн
1000+	12.03 грн
3000+	10.65 грн
9000+	10.07 грн

Мінімальне замовлення: 11

SIA931DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA931DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 282535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.43 грн
500+	11.92 грн
1500+	10.8 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIA931DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual

на замовлення 41809 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.05 грн
11+	29.43 грн
100+	20.48 грн
500+	15 грн
1000+	12.19 грн

Мінімальне замовлення: 9

SIA931DJ-T1-GE3

SIA931DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SIA931DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIA931DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 282535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	34.46 грн
50+	28.45 грн
100+	22.43 грн
500+	11.92 грн
1500+	10.8 грн

Мінімальне замовлення: 24

SIA936EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70

товар відсутній

SIA936EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70

товар відсутній

SIA936EDJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70

товар відсутній

SIA938DJT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA938DJT-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.8W
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIA938DJT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A T/R

товар відсутній

SIA938DJT-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 11596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.13 грн
12+	26.72 грн
100+	18.59 грн
500+	13.62 грн
1000+	11.81 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIA938DJT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	14.03 грн

Мінімальне замовлення: 6000

SIA938DJT-T1-GE3

товар відсутній

SIA938DJT-T1-GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF

на замовлення 2805 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.42 грн
12+	29.83 грн
100+	18.04 грн
500+	14.06 грн
1000+	12.9 грн

Мінімальне замовлення: 10

SIA950DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 190V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete

товар відсутній

SIA950DJ-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 190V 0.47A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA950DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 190V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete

товар відсутній

SIA975DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 81000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.41 грн
6000+	14.97 грн
9000+	13.86 грн
30000+	12.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIA975DJ-T1-GE3

MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 17970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.93 грн
10+	39.91 грн
100+	24.85 грн
500+	20.72 грн
1000+	17.68 грн
3000+	15.51 грн
6000+	15 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA975DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

товар відсутній

SIA975DJ-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 86184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.11 грн
10+	36.08 грн
100+	24.95 грн
500+	19.57 грн
1000+	16.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIA975DJ-T1-GE3

SIA975DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SIAA00DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.1A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 12.5 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.3 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIAA00DJ-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70

товар відсутній

SIAA00DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.1A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 12.5 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIAA00DJ-T1-GE3

SIAA00DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIAA02DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIAA02DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 52 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm

на замовлення 5003 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	50.39 грн
20+	40.72 грн
100+	26.01 грн
500+	18.87 грн
1000+	12.54 грн
5000+	12.47 грн

Мінімальне замовлення: 17

SIAA02DJ-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 52A; Idm: 100A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 19W
On-state resistance: 16.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SIAA02DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V

на замовлення 4230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.54 грн
10+	33.89 грн
100+	23.58 грн
500+	17.28 грн
1000+	14.04 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIAA02DJ-T1-GE3

товар відсутній

SIAA02DJ-T1-GE3

Description: VISHAY - SIAA02DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 52 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 5103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.01 грн
500+	18.87 грн
1000+	14.84 грн
5000+	12.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

SIAA02DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SIAA02DJ-T1-GE3

MOSFET 20-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

на замовлення 20360 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.56 грн
10+	36.83 грн
100+	23.11 грн
500+	18.04 грн
1000+	14.71 грн
3000+	12.53 грн
9000+	12.03 грн

Мінімальне замовлення: 8

SIAA40DJ-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 11695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SIAA40DJ-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V

на замовлення 5363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.3 грн
10+	45.28 грн
100+	34.71 грн
500+	25.75 грн
1000+	20.6 грн

Мінімальне замовлення: 6

SIAA40DJ-T1-GE3

SIAA40DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SIAA40DJ-T1-GE3